等离子体源的室构件和有移动衬底C形环的升降销的基座制造技术

本发明专利技术涉及等离子体源的室构件和有移动衬底C形环的升降销的基座。提供了一种等离子体源的室构件，其包括侧壁、过渡构件、顶壁和注射器连接构件。所述侧壁是圆筒形的并且围绕衬底处理室的上部区域。所述过渡构件连接到所述侧壁。所述顶壁连接到所述过渡构件。所述注射器连接构件连接到所述顶壁，定位成竖直地高于所述侧壁，并且被构造成连接到气体注射器。气体经由所述气体注射器穿过所述注射器连接构件并进入所述衬底处理室的所述上部区域。所述室构件的中心高度与下内径的比率为0.25‑0.5和/或所述室构件的中心高度与外部高度的比率为0.4‑0.85。

A chamber member of a plasma source and a base of a lift pin with a moving substrate C ring

The present invention relates to a chamber member of a plasma source and a base of a lift pin with a moving substrate C ring. A chamber member for a plasma source includes a side wall, a transition member, a top wall, and a syringe connecting member. The sidewalls are cylindrical and surround the upper region of the substrate processing chamber. The transition member is connected to the side wall. The top wall is connected to the transition member. The syringe connecting member is connected to the top wall, positioned vertically above the side wall and is configured to be connected to a gas syringe. The gas passes through the syringe connecting member through the gas injector and enters the upper region of the substrate processing chamber. Ratio of the chamber component center height and diameter of the center under the height of 0.25 0.5 and / or the chamber components and external height is 0.4 0.85.

【技术实现步骤摘要】
等离子体源的室构件和有移动衬底C形环的升降销的基座相关申请的交叉引用本申请要求于2016年2月12日提交的美国临时申请No.62/294,574的权益。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。
本公开涉及衬底处理，并且更具体地涉及等离子体源和基座的结构。
技术介绍
这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的背景的目的。在该
技术介绍
部分以及在提交时不会以其他方式认为是现有技术的说明书的方面中描述的程度上，目前署名的专利技术人的工作既不明确地也不隐含地被承认为针对本公开的现有技术。衬底处理系统可用于蚀刻衬底(诸如半导体晶片)上的膜。衬底处理系统通常包括衬底处理室、气体分配装置和衬底支撑件。在处理期间，衬底被布置在衬底支撑件上。可以将不同的气体混合物引入到衬底处理室中，并且可以产生射频(RF)等离子体以激活化学反应。RF等离子体可以是感应耦合等离子体(ICP)或变压器耦合等离子体(TCP)。作为对一个或多个线圈充电的结果，ICP或TCP可以由等离子体源提供。等离子体源包括衬底处理室的上部以及一个或多个线圈。ICP源的室构件可以是圆筒形或圆顶形。TCP源的室构件可以是扁平形的(flat-sh本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体源的室构件，其包括：围绕衬底处理室的上部区域的侧壁，其中所述侧壁为圆筒形；连接到所述侧壁的过渡构件；连接到所述过渡构件的顶壁；以及注射器连接构件，其连接到所述顶壁，定位成竖直地高于所述侧壁，并且被构造成连接到气体注射器，其中气体经由所述气体注射器穿过所述注射器连接构件并进入所述衬底处理室的所述上部区域，其中符合以下项中的至少一个：所述室构件的中心高度与下内径的比率为0.25‑0.5，或者所述室构件的中心高度与外部高度的比率为0.4‑0.85。

【技术特征摘要】
2016.02.12 US 62/294,574;2017.02.09 US 15/428,5851.一种等离子体源的室构件，其包括：围绕衬底处理室的上部区域的侧壁，其中所述侧壁为圆筒形；连接到所述侧壁的过渡构件；连接到所述过渡构件的顶壁；以及注射器连接构件，其连接到所述顶壁，定位成竖直地高于所述侧壁，并且被构造成连接到气体注射器，其中气体经由所述气体注射器穿过所述注射器连接构件并进入所述衬底处理室的所述上部区域，其中符合以下项中的至少一个：所述室构件的中心高度与下内径的比率为0.25-0.5，或者所述室构件的中心高度与外部高度的比率为0.4-0.85。2.根据权利要求1所述的室构件，其中所述顶壁是半直线形的。3.根据权利要求1所述的室构件，其中所述顶壁是直线形的。4.根据权利要求1所述的室构件，其中所述室构件的中心高度与下内径的所述比率为0.35-0.45。5.根据权利要求1所述的室构件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯·尤金·卡朗，艾夫林·安格洛夫，詹森·李·特雷德韦尔，朴俊洪，赖灿峰，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US