用于蚀刻均匀性控制的可变深度边缘环制造技术
Variable depth edge ring for etching uniformity control
A variable depth edge ring for controlling uniformity of etching is provided. The substrate support includes an internal portion arranged to support the substrate, an annular ring surrounding the inner portion, and a controller to calculate the desired pit depth of the substrate support. The depth of the pit corresponds to the distance between the upper surface of the edge ring and the upper surface of the substrate. Based on the desired pit depth, the controller selectively controls the actuator to raise and reduce at least one of the edge ring and the inner portion to adjust the distance between the upper surface of the edge ring and the upper surface of the substrate.
【技术实现步骤摘要】
用于蚀刻均匀性控制的可变深度边缘环相关申请的交叉引用本申请要求于2016年2月12日提交的美国临时申请No.62/294,593的权益。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及衬底处理，更具体地涉及用于控制衬底处理中的蚀刻均匀性的系统和方法。
技术介绍
这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的上下文的目的。目前所署名的专利技术人的工作，在该
技术介绍
部分以及本说明书的在申请时不会以其他方式被认为是现有技术的方面中描述的程度上，既不明确地也不隐含地被承认为针对本公开的现有技术。衬底处理系统可以用于蚀刻诸如半导体晶片之类的衬底上的膜。衬底处理系统通常包括处理室、气体分配装置和衬底支撑件。在处理期间，衬底被布置在衬底支撑件上。可以将不同的气体混合物引入到处理室中，并且射频(RF)等离子体可以用于激活化学反应。衬底支撑件可以包括围绕衬底支撑件的外部部分(例如，在周边的外部和/或与周边相邻)布置的边缘环。可以提供边缘环以将等离子体限制到衬底上方的体积，保护衬底支撑件免受等离子体等引起的侵蚀。
技术实现思路
衬底支撑件包括布置成支撑衬底的内部部分、围绕内部部分的边...
【技术保护点】
一种衬底支撑件，包括：内部部分，其布置成支撑衬底；边缘环，其围绕所述内部部分；和控制器，其计算所述衬底支撑件的期望凹坑深度，其中凹坑深度对应于所述边缘环的上表面与所述衬底的上表面之间的距离，并且基于所述期望凹坑深度，选择性地控制致动器以升高和降低所述边缘环和所述内部部分中的至少一个，以调节所述边缘环的上表面和所述衬底的上表面之间的距离。
【技术特征摘要】
2016.02.12 US 62/294,593;2017.02.02 US 15/422,8231.一种衬底支撑件，包括：内部部分，其布置成支撑衬底；边缘环，其围绕所述内部部分；和控制器，其计算所述衬底支撑件的期望凹坑深度，其中凹坑深度对应于所述边缘环的上表面与所述衬底的上表面之间的距离，并且基于所述期望凹坑深度，选择性地控制致动器以升高和降低所述边缘环和所述内部部分中的至少一个，以调节所述边缘环的上表面和所述衬底的上表面之间的距离。2.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述边缘环布置在所述衬底支撑件的外部部分上，并且为了升高和降低所述边缘环，所述控制器控制所述致动器以升高和降低所述外部部分。3.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述边缘环包括能独立于所述边缘环移动的内环部分。4.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述内部部分相当于静电卡盘。5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：艾夫林·安格洛夫，克里斯蒂安·赛拉迪，迪恩·拉森，布莱恩·西弗森，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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