【技术实现步骤摘要】
本专利技术一种四元LED巧片干法蚀刻方法，属于L邸蚀刻
技术介绍
干法蚀刻是利用蚀刻气体在电场加速作用下形成等离子体中的活性基，与被腐蚀 材料同时进行物理式撞击瓣蚀及化学反应，来移除欲蚀刻部份，被蚀刻的物质变成挥发性 的气体，经抽气系统抽离；蚀刻的产品均匀度越低，则产品的良率越高，干法蚀刻的均匀度 受气体种类、流量、电浆源及偏压功率所的影响，通常，对于四元L邸巧片的干法蚀刻方法 所选用的气体流量为lOsccm或20sccm，在电浆源、偏压功率和蚀刻时间等条件相同的情况 下，气体流量为lOsccm时的均匀度为1. 92%，气体流量为20sccm时的均匀度为1. 32%，该 两种气体流量所生产的产品的均匀度均较高，因此产品的品质不高。
技术实现思路
本专利技术克服现有技术存在的不足，所要解决的技术问题为提供一种四元LED巧片 干法蚀刻方法，调整气体流量，使被蚀刻产品的均匀度降低，提高产品质量。 为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：一种四元L邸巧片干法蚀刻 方法，按照W下步骤进行： a、 将偏压功率设定为300W，电感禪合等离子体功率设定为500W，蚀刻时间设定为 130s，气体流量设定为15±lsccm; b、 将带有掩膜的待蚀刻材料放入反应腔内； C、将蚀刻完成的材料取出，置入化学溶液中去除掩膜；cU将材料放入测量仪，测试材料多个位置的蚀刻深度； 所述干法蚀刻方法的整个过程温度控制在室温20±2°C。 本专利技术与现有技术相比具有W下有益效果： 本专利技术选用了特定的气体流量区间，大幅度降低了产品的均匀度，提高了产品质...
【技术保护点】
一种四元LED芯片干法蚀刻方法，其特征在于：按照以下步骤进行：a、将偏压功率设定为300W，电感耦合等离子体功率设定为500W，蚀刻时间设定为130s，气体流量设定为15±1sccm；b、将带有掩膜的待蚀刻材料放入反应腔内；c、将蚀刻完成的材料取出，置入化学溶液中去除掩膜；d、将材料放入测量仪，测试材料多个位置的蚀刻深度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：索志伟，
申请(专利权)人：山西南烨立碁光电有限公司，
类型：发明
国别省市：山西;14
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