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本发明一种四元LED芯片干法蚀刻方法，属于LED蚀刻技术领域；解决的技术问题是提供了一种四元LED芯片干法蚀刻方法，在偏压功率、电感耦合等离子体和蚀刻时间设定为特定值时调整气体流量,使被蚀刻产品的均匀度降低，提高产品质量；采用的技术方案为：...
该专利属于山西南烨立碁光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西南烨立碁光电有限公司授权不得商用。

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