用于干法刻蚀的承载装置及干法刻蚀设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于干法刻蚀的承载装置和干法刻蚀设备，包括相对设置的上部电极和下部电极，以及设置于所述下部电极上面向所述上部电极的一面的待刻蚀基板，所述下部电极的面积不小于待刻蚀基板的面积。本发明专利技术的有益效果是：增大了基板的有效使用面积，提升基板边缘刻蚀率的有效性。

【技术实现步骤摘要】
用于干法刻蚀的承载装置及干法刻蚀设备
本专利技术涉及液晶产品制作
，尤其涉及一种用于干法刻蚀的承载装置及干法刻蚀设备。
技术介绍
液晶显示装置生产行业中，玻璃基板在进行干法刻蚀时，一般采用等离子对玻璃基板进行刻蚀，如图1所示，目前技术中的干法刻蚀设备，包括上部电极(图中未示)和下部电极2，基板1承载于下部电极2上，基板1的中心与下部电极2的中心重合，基板1的面积大于下部电极2的面积，且基板1和下部电极2一般均是矩形结构，基板1外露于下部电极2的第一区域形成由四个边首尾相接形成的环形框架结构，框架结构的每个边的宽度a为15mm，干法刻蚀设备还包括用于支撑于基板1的第一区域的支撑结构，利用上部电极和下部电极形成的电场对等离子体进行引导和加速以实现对基板进行刻蚀的目的，但是由于基板的面积大于下部电极的面积，导致基板的边缘外露于下部电极，基板的边缘区域无电场效果，对自由基和离子吸引力较小，刻蚀率较低。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种用于干法刻蚀的承载装置及干法刻蚀设备，提升基板的刻蚀率。为了达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种用于干法刻蚀的承载装置，包括相对设置的上部电极和下部电极，以及设置于所述下部电极上面向所述上部电极的一面的待刻蚀基板，所述下部电极的面积不小于待刻蚀基板的面积。进一步的，还包括在所述下部电极的面积大于待刻蚀基板的面积时、围设于待刻蚀基板四周的边框，所述边框包括完全覆盖于所述下部电极未承载待刻蚀基板的区域的第一部分。进一步的，所述边框还包括覆盖待刻蚀基板边缘区域的第二部分。进一步的，所述第二部分为由四个边首尾相接形成的矩形环形结构，每个边的宽度为2mm-3mm。进一步的，所述边框采用陶瓷材质制成。进一步的，所述边框的表面涂覆有氧化钇。进一步的，还包括用于控制所述边框升降的升降结构，所述边框还包括外露于所述下部电极的第三部分，所述升降结构包括：升降部，能够与所述第三部分连接；驱动部，用于驱动所述升降部在第一状态和第二状态之间转换；所述第一状态为所述升降部在所述驱动部的驱动下与所述第三部分连接并带动所述边框升降；所述第二状态为在所述边框与所述下部电极接触或所述边框与所述基板边缘区域接触后、所述升降部继续下降以与所述第三部分分离。进一步的，所述升降部为与所述驱动部驱动连接的升降杆，所述第三部分靠近下部电极的一面设置有可供所述升降杆插入的插槽。进一步的，所述升降杆为光杆，所述光杆的表面具有经阳极氧化处理形成的金属氧化物薄膜。本专利技术还提供一种干法刻蚀设备，包括上述的用于干法刻蚀的承载装置。本专利技术的有益效果是：增大了基板的有效使用面积，提升基板边缘刻蚀率的有效性。附图说明图1表示现有技术中干法刻蚀设备结构示意图；图2表示本专利技术一实施例中干法刻蚀设备结构俯视图；图3表示本专利技术另一实施例中干法刻蚀设备结构俯视图；图4表示本专利技术另一实施例中升降部位于第一状态时干法刻蚀设备结构示意图；图5表示本专利技术另一实施例中升降部位于第二状态时干法刻蚀设备结构示意图；图6表示本专利技术另一实施例中边框结构俯视图；图7表示本专利技术另一实施例中边框结构侧视图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的特征和原理进行详细说明，所举实施例仅用于解释本专利技术，但并不限定本专利技术的保护范围。如图2所示，本实施例提供一种用于干法刻蚀的承载装置，包括相对设置的上部电极和下部电极2，以及设置于所述下部电极2上面向所述上部电极的一面的待刻蚀基板1，所述下部电极2的面积不小于待刻蚀基板1的面积。待刻蚀基板1在下部电极2上的投影完全落于下部电极2内，使得待刻蚀基板1整体完全位于上部电极和下部电极2之间产生的电场内，从而提高基板1整体的刻蚀率。本实施例中，所述下部电极2的面积大于待刻蚀基板1的面积时、围设于待刻蚀基板1四周的边框3，所述边框3包括完全覆盖于所述下部电极2未承载待刻蚀基板1的区域的第一部分，如图3所示。当所述下部电极2的面积大于待刻蚀基板1时，所述下部电极2存在未被待刻蚀基板1覆盖的第一部分，在刻蚀时，如果所述第一部分裸露在充满等离子体的刻蚀环境内，所述第一部分容易被等离子体击穿，而边框3的设置有效的避免了上述现象的发生，保护了所述下部电极2。所述下部电极2上均匀设置有多个通孔，该通孔用于供冷却气体氦气通过以对待刻蚀基板1进行冷却，为了防止氦气泄露，本实施例中，所述边框3还包括覆盖待刻蚀基板1边缘区域的第二部分。所述边框3的第二部分轻压(无外力、仅是所述边框3的重力)待刻蚀基板1的边缘区域，避免了氦气的泄露，且有效的保证了待刻蚀基板1在所述下部电极2上的位置稳定性。进一步的，所述第二部分为由四个边首尾相接形成的矩形环形结构，每个边的宽度b为2mm-3mm。待刻蚀基板1一般是矩形结构，所述边框3为由四个边首尾相接形成的环形结构，由内向外依次包括所述第二部分、所述第一部分，所述第二部分覆盖于待刻蚀基板1的边缘，所述第一部分覆盖于所述下部电极2的未承载待刻蚀基板1的区域，为了避免所述第二部分的面积过大影响待刻蚀基板1的边缘刻蚀率，所述第二部分每个边的宽度很窄，本实施例中每个边的宽度b为2mm-3mm，但并不以此为限。本实施例中，所述边框一体成型，即所述第二部分、所述第一部分并v不是可分离的，而是整体结构。由于所述边框3处于所述上部电极和所述下部电极2形成的电场内，避免边框3被等离子轰击产生灰尘、或影响电场方向等降低刻蚀质量，本实施例中，所述边框3采用陶瓷材质制成，进一步的，所述边框3的表面涂覆有氧化钇，可有效减少离子轰击生成的灰尘和沉淀物掉落的风险。为了便于待刻蚀基板1的取放，还包括用于控制所述边框3升降的升降结构，所述升降结构的具体结构形式可以有多种，只要实现所述边框3的升降即可，本实施例中，所述边框3还包括外露于所述下部电极2的第三部分，所述升降结构包括：升降部，能够与所述第三部分连接；驱动部，用于驱动所述升降部在第一状态和第二状态之间转换；所述第一状态为所述升降部在所述驱动部的驱动下与所述第三部分连接并带动所述边框3升降，如图4所示；所述第二状态为在所述边框3与所述下部电极2接触或所述边框3与所述基板1边缘区域接触后、所述升降部继续下降以与所述第三部分分离，如图5所示。需要放置待刻蚀基板1时，所述升降部带动所述边框3在所述驱动部的驱动下上升至预设位置，将待刻蚀基板1放置于所述下部电极2后，所述升降部带动所述边框3在所述驱动部的驱动下下降，直至所述边框3与所述下部电极2接触或所述边框3与所述基板1边缘区域接触后，所述升降部继续下降、此时所述升降部与所述第三部分分离，所述升降部与所述第三部分之间采用如此可分离的连接方式，防止所述升降部在所述边框3与所述下部电极2接触或所述边框3与所述基板1边缘区域接触后仍然下降、对下部电极2或基板1的压力过大而对下部电极2或基板1造成损伤。所述升降部的具体结构形式、以及所述升降部与所述第三部分的具体连接方式均可以有多种，只要实现所述边框3的升降即可，本实施例中，所述升降部为与所述驱动部驱动连接的升降杆4，所述第三部分靠近下部电极2的一面设置有可供所述升降杆4插入的插槽31，如图6和图7所示。本实施例中，所述升降杆4为光杆，所述光杆的表面具有经阳极氧化处理形成的金属氧化物薄膜，避免采用纯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于干法刻蚀的承载装置，包括相对设置的上部电极和下部电极，以及设置于所述下部电极上面向所述上部电极的一面的待刻蚀基板，其特征在于，所述下部电极的面积不小于待刻蚀基板的面积。

【技术特征摘要】
1.一种用于干法刻蚀的承载装置，包括相对设置的上部电极和下部电极，以及设置于所述下部电极上面向所述上部电极的一面的待刻蚀基板，其特征在于，所述下部电极的面积不小于待刻蚀基板的面积。2.根据权利要求1所述的用于干法刻蚀的承载装置，其特征在于，还包括在所述下部电极的面积大于待刻蚀基板的面积时、围设于待刻蚀基板四周的边框，所述边框包括完全覆盖于所述下部电极未承载待刻蚀基板的区域的第一部分。3.根据权利要求2所述的用于干法刻蚀的承载装置，其特征在于，所述边框还包括覆盖待刻蚀基板边缘区域的第二部分。4.根据权利要求3所述的用于干法刻蚀的承载装置，其特征在于，所述第二部分为由四个边首尾相接形成的矩形环形结构，每个边的宽度为2mm-3mm。5.根据权利要求2-4任一项所述的用于干法刻蚀的承载装置，其特征在于，所述边框采用陶瓷材质制成。6.根据权利要求5所述的用于干法刻蚀的承载装置，其特征在于，所述边框的表面涂覆有氧化钇。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖鹏宇，蒋冬华，赵吾阳，姜龙，宋亮，谭超，彭于航，谢贤虹，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51