一种III族半导体发光器件的制作方法技术

本申请公开了一种III族半导体发光器件的制作方法，包括步骤：自下而上依次生长衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层形成外延结构，所述外延结构的上表面为p型氮化物半导体层的上表面；沉积透明导电层在所述p型氮化物半导体上表面；黄光蚀刻制程定义隔离槽；同时沉积P型接触金属与N型接触金属；沉积第一表面粗糙绝缘层；同时沉积倒装P型表面粗糙电极和倒装N型表面粗糙电极，得到圆片；将圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选。本发明专利技术采用线凸形台面技术取代现有技术中的多个孔洞vias技术。本发明专利技术使用倒装P型表面粗糙电极、倒装N型表面粗糙电极，增加与锡膏的附着力，使贴片率上升。

【技术实现步骤摘要】

本申请设及半导体照明
，具体地说，是设及一种III族半导体发光器件 的制作方法。
技术介绍
传统发光二极管采用正装结构，一般透明导电层采用高穿透率的材料，如ITO、 AZO…等，而电极一般采用Cr/Pt/Au等，然而在倒装结构中，有源层激发的光直接从电极的 另一面衬底发出，所W对P型电极的要求変成覆盖在整面P型氮化物半导体层的高反射材 料来当反射镜结构，第一种是在P型氮化物半导体层上锻高穿透率的透明电极再加上高反 射金属，例如口0/Ag等，另一种是在P型氮化物半导体层上直接锻上高反射率的金属同时 作为欧姆接触层和反射镜，例如Ag、A1等，不管选用哪一种方法，后面必须使用金属保护层 (guardmetal),覆盖高反射材料，W避免不稳定，再蚀刻多个孔洞（vias)。 此外贴片式倒装的最后一道金属（倒装P型电极、倒装N型电极）通常位于绝缘 层上，利用锡膏将贴片式倒装巧片的倒装P型电极、倒装N型电极与封装支架连接在一起， 由于倒装P型电极、倒装N型电极表面太过平整造成贴片率下降。
技术实现思路
为了解决在上述现有技术中出现的问题，本专利技术的目的在于克服倒装P型电极、 倒装N型电极表面太过平整造成贴片率下降的问题，提供一种使倒装P型电极、倒装N型电 极表面变粗趟（倒装P型表面粗趟电极、倒装N型表面粗趟电极），增加其与锡膏的附着力， 使贴片率上升的方法， 本专利技术提供了一种III族半导体发光器件的制作方法，包括步骤： 自下而上依次生长衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和P型氮化物半导 体层形成外延结构，所述外延结构的上表面为P型氮化物半导体层的上表面； 沉积透明导电层在所述P型氮化物半导体上表面，并利用黄光蚀刻制程定义线凸 形台面图案，再蚀刻透明导电层、P型氮化物半导体层和有源层，暴露n型氮化物半导体层， 再用蚀刻溶液将透明导电层内缩，最后去除光阻，得到线凸形台面，且所述线凸形台面的上 表面有透明导电层；[000引黄光蚀刻制程定义隔离槽，再蚀刻n型氮化物半导体层和缓冲层而暴露衬底，最 后去除光阻； 黄光剥离制程定义P型接触金属与N型接触金属的图案，同时沉积P型接触金属 与N型接触金属，然后利用剥离制程，再去除光阻，得到P型接触金属与N型接触金属； 沉积第一表面粗趟绝缘层，使用等离子体增强化学气相沉积法沉积Si02作为第 一绝缘层，利用黄光蚀刻制程定义开孔存取P型接触金属和N型接触金属的图案，利用干法 蚀刻第一绝缘层的开孔图案，利用蚀刻选择比的控制，过蚀刻使得光阻消失，继续蚀刻第一 绝缘层表面，使第一绝缘层表面从平整变粗趟，得到第一表面粗趟绝缘层，清洁；黄光剥离 制程定义倒装P型表面粗趟电极和倒装N型表面粗趟电极的图案，使用电子束蒸锻法同时 沉积倒装P型表面粗趟电极和倒装N型表面粗趟电极，利用剥离制程，再去除光阻，得到圆 片； 将圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选。 优选地，所述P型接触金属和N型接触金属结构相同，且均为由内向外依次排列的 第一Ni层、A1层、第二Ni层、Au层W及第SNi层组成，或由内向外依次排列的Ti层、A1 层、第二Ni层、Au层W及第SNi层组成，或由内向外依次排列的Ti层、A1层W及第SNi 层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、A1层、第二Ni层、Pt层、Au层W及第SNi层组 成，或由内向外依次排列的化层、Pt层、Au层W及第SNi层组成，或由内向外依次排列的 第一Ni层、A1层、W及第SNi层组成，或由化层组成，其中，化层的厚度为50-3000皿，第 一Ni层的厚度为0. 3-300皿，A1层的厚度为50-3000皿，第二Ni层的厚度为10-300皿，Pt 层的厚度为10-300皿，Au层的厚度为10-3000皿，第SNi层的厚度为0. 3-300皿。 优选地，所述第一表面粗趟绝缘层的材料为=氧化二侣、二氧化娃、二氧化铁、五 氧化二粗、五氧化二魄、氮氧化娃W及氮化娃中的一种。 优选地，所述倒装P型表面粗趟电极与倒装N型表面粗趟电极的结构相同，均为由 内向外依次排列的Ti层、第二Ni层、Au层组成，或由内向外依次排列的中间化层、Pt层、 Au层、第二Ni层、Pt层、第二Ni层、AuSn层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、A1层、 第二Ni层、Au层组成，或由内向外依次排列的中间化层、Pt层、Au层组成，或由内向外依 次排列的中间化层、第二Ni层W及Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、A1层、中 间化层、第二Ni层化及Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、A1层、中间化层、Pt 层、Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、A1层、第二Ni层、Pt层、Au层组成，或由 内向外依次排列的第一Ni层、A1层、Ti层、Pt层化及Au层组成，或由内向外依次排列的第 一化层、A1层、中间化层、Pt层、Au层组成，或由内向外依次排列的第一化层、A1层、Ni 层、Pt层、Au层组成，其中，所述第一Ni层的厚度为0. 4-3皿，第二Ni层的厚度为10-300皿， Ti层的厚度为10-300皿，A1层的厚度为50-300皿，Au层的厚度为20-3000皿，第一化层的 厚度为0. 4-5皿，中间化层的厚度为10-300皿，Pt层的厚度为10-300皿，AuSn层的厚度为 1000-5000nm。 本专利技术还提供一种III族半导体发光器件的制作方法，包括步骤：自下而上依次生长衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和P型氮化物半导 体层形成外延结构，所述外延结构的上表面为P型氮化物半导体层的上表面； 沉积透明导电层在所述P型氮化物半导体上表面，并利用黄光蚀刻制程定义线凸 形线凸形台面图案，再蚀刻透明导电层、P型氮化物半导体层和有源层，暴露n型氮化物半 导体层，再用蚀刻溶液将透明导电层内缩，最后去除光阻，得到线凸形线凸形台面，且所述 线凸形线凸形台面的上表面有透明导电层；[001引黄光蚀刻制程定义隔离槽图案，再蚀刻n型氮化物半导体层和缓冲层而暴露衬 底，最后去除光阻； 沉积第一绝缘层，使用等离子体增强化学气相沉积法沉积Si化作为第一绝缘层， 利用黄光蚀刻制程定义P型接触金属与透明导电层、及N型接触金属与线凸形台面的n型 氮化物半导体层的连接图案，再利用干法或湿法蚀刻第一绝缘层的连接图案，最后去除光 阻，得到第一绝缘层； 黄光剥离制程定义P型接触金属与N型接触金属的图案，使用电子束蒸锻法同时 沉积P型接触金属与N型接触金属，然后利用剥离制程，再去除光阻，得到P型接触金属与 N型接触金属； 沉积第二表面粗趟绝缘层，使用等离子体增强化学气相沉积法沉积Si〇2作为第二 绝缘层，利用黄光蚀刻制程定义开孔存取P型接触金属与N型接触金属的图案，利用干法蚀 刻第二绝缘层的开孔图案，利用蚀刻选择比的控制，过蚀刻让光阻消失，然后继续蚀刻第二 绝缘层表面，使第二绝缘层表面从平整变粗趟，得到第二表面粗趟绝缘层，然后清洁； 黄光剥离制程定义倒装P型表面粗趟电极与倒装N型表面粗趟电极的图案，使用 电子束蒸锻法同时沉积倒装P型表面粗趟电极和倒装N型表面粗趟电极，利用剥离制程，再 去除光阻，得到圆片； 最后将圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选。 优选地，所述第一表面粗趟绝缘层的材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：自下而上依次生长衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层形成外延结构，所述外延结构的上表面为p型氮化物半导体层的上表面；沉积透明导电层在所述p型氮化物半导体上表面，并利用黄光蚀刻制程定义线凸形台面图案，再蚀刻透明导电层、p型氮化物半导体层和有源层，暴露n型氮化物半导体层，再用蚀刻溶液将透明导电层内缩，最后去除光阻，得到线凸形台面，且所述线凸形台面的上表面有透明导电层；黄光蚀刻制程定义隔离槽，再蚀刻n型氮化物半导体层和缓冲层而暴露衬底，最后去除光阻；黄光剥离制程定义P型接触金属与N型接触金属的图案，同时沉积P型接触金属与N型接触金属，然后利用剥离制程，再去除光阻，得到P型接触金属与N型接触金属；沉积第一表面粗糙绝缘层，使用等离子体增强化学气相沉积法沉积SiO2作为第一绝缘层，利用黄光蚀刻制程定义开孔存取P型接触金属和N型接触金属的图案，利用干法蚀刻第一绝缘层的开孔图案，利用蚀刻选择比的控制，过蚀刻使得光阻消失，继续蚀刻第一绝缘层表面，使第一绝缘层表面从平整变粗糙，得到第一表面粗糙绝缘层，清洁；黄光剥离制程定义倒装P型表面粗糙电极和倒装N型表面粗糙电极的图案，使用电子束蒸镀法同时沉积倒装P型表面粗糙电极和倒装N型表面粗糙电极，利用剥离制程，再去除光阻，得到圆片；将圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许顺成，袁章洁，梁智勇，蔡炳傑，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43