一种GaN发光二极管制作方法技术

本申请公开了一种GaN发光二极管制作方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的n型GaN层、生长促进层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长促进层依次包括生长Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;渐变层、生长MgO层和Mg掺杂InAlN层的步骤。本发明专利技术可以提高LED的发光效率，并提高LED的抗静电能力，并减少波长蓝移，提高波长均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于led，具体涉及一种gan发光二极管制作方法。

技术介绍

1、发光二极管(light-emitting diode，led)是一种将电能转化为光能的半导体电子器件。当led有电流流过时，led中的电子与空穴在其多量子阱内复合而发出单色光。led作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，除了目前已被广泛用作室内外照明，还被广泛应用于交通信号灯、汽车灯、室内外照明和小间距显示屏。

2、随着led应用越来越广泛，市场对其亮度和可靠性的需求也越来越高，尤其是手机/电视背光led、深紫外led、mini/micro-led等高端led芯片产品的发光效率和可靠性需要尽快提升。

3、因此，急需开发新的led制作方法用以提高led的发光效率和可靠性。

技术实现思路

0、
技术实现思路
：

1、本专利技术通过采用新的led制作方法来提高led的发光效率，并提高led的抗静电能力，以及减少波长蓝移，提高波长均匀性。

2、本专利技术的gan发光二极管制作方法，依次包括：处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN发光二极管制作方法，其特征在于，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的n型GaN层、生长促进层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层和降温冷却，

2.根据权利要求1所述的GaN发光二极管制作方法，其特征在于，在1000-1100℃的温度下，通入H2，处理蓝宝石衬底5-10min。

3.根据权利要求2所述的GaN发光二极管制作方法，其特征在于，所述生长低温GaN缓冲层的具体过程为：

4.根据权利要求1所述的GaN发光二极管制作方法，其特征在于，所述生长非掺杂GaN层的具体...

【技术特征摘要】

1.一种gan发光二极管制作方法，其特征在于，依次包括：处理衬底、生长低温gan缓冲层、生长非掺杂gan层、生长掺杂si的n型gan层、生长促进层、生长多量子阱层、生长algan电子阻挡层、生长掺杂mg的p型gan层和降温冷却，

2.根据权利要求1所述的gan发光二极管制作方法，其特征在于，在1000-1100℃的温度下，通入h2，处理蓝宝石衬底5-10min。

3.根据权利要求2所述的gan发光二极管制作方法，其特征在于，所述生长低温gan缓冲层的具体过程为：

4.根据权利要求1所述的gan发光二极管制作方法，其特征在于，所述生长非掺杂gan...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐平，许亚兵，王建长，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：