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湘能华磊光电股份有限公司
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一种GaN发光二极管制作方法技术
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文档序号:41181722
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本申请公开了一种GaN发光二极管制作方法,依次包括:处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的n型GaN层、生长促进层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层,降温冷却,其中生长促进层依...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。
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