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本申请公开了一种III族半导体发光器件的制作方法，包括步骤：自下而上依次生长衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层形成外延结构，所述外延结构的上表面为p型氮化物半导体层的上表面；沉积透明导电层在所述p型氮化物半导体上表...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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