用于等离子体切割的接近接触盖环制造技术

用于切割半导体晶片的方法与载体，每个晶片具有多个集成电路。在一个示例中，用于在蚀刻工艺期间保护载体与基板组件的一种盖环包括内部开孔，内部开孔具有直径，所述内部开孔的直径小于载体与基板组件的基板的直径。外部框体围绕内部开孔。外部框体具有用于容纳载体与基板组件的基板的最外部分的斜面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于等离子体切割的接近接触盖环
技术介绍
1)
本专利技术的实施方式关于半导体工艺的领域，且具体而言，是关于用于切割半导体晶片的方法与载体，每个晶片上具有多个集成电路。2)相关技术说明在半导体晶片工艺中，集成电路形成于晶片(也称为基板)上，晶片包含硅或其他半导体材料。通常，半导电、导电或绝缘的各种材料层用于形成集成电路。使用各种熟知的工艺来掺杂、沉积与蚀刻这些材料，以形成集成电路。每个晶片经处理以形成大量包含集成电路的单独区域，被称为晶粒(dice)。在集成电路形成工艺之后，晶片被“切割(diced)”，以将单独的晶粒彼此分离，以用于封装或以未封装的形式用于较大电路内。用于晶片切割的两个主要技术为划线(scribing)与锯切(sawing)。在划线技术中，钻石尖端的划线器沿着预先形成的划线而移动跨越晶片表面。这些划线沿着晶粒之间的空间延伸。这些空间通常称为“切割道(street)”。钻石划线器沿着切割道在晶片表面中形成浅刻痕。在施加压力后(例如利用滚轴)，晶片沿着划线分开。晶片中的断裂遵循晶片基板的晶格结构。划线可用于厚度为大约10密尔(千分的一英寸)或更小厚度的晶片。对于较厚的晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种盖环，用于在蚀刻工艺期间保护载体与基板组件，所述盖环包括：内部开孔，具有直径，所述直径小于所述载体与基板组件的基板的直径；及外部框体，围绕所述内部开孔，所述外部框体具有斜面，用于容纳所述载体与基板组件的所述基板的最外部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.19 US 14/491,8561.一种盖环，用于在蚀刻工艺期间保护载体与基板组件，所述盖环包括：内部开孔，具有直径，所述直径小于所述载体与基板组件的基板的直径；及外部框体，围绕所述内部开孔，所述外部框体具有斜面，用于容纳所述载体与基板组件的所述基板的最外部分。2.根据权利要求1所述的盖环，其中所述斜面包括悬垂表面与周边表面。3.根据权利要求1所述的盖环，其中所述斜面的所述悬垂表面用于接触所述载体与基板组件的所述基板的所述最外部分的上表面。4.根据权利要求1所述的盖环，其中所述斜面的所述周边表面用于接触所述载体与基板组件的所述基板的所述最外部分的周边表面。5.根据权利要求2所述的盖环，其中所述斜面进一步包括突伸倾斜表面，所述突伸倾斜表面接合所述斜面的所述悬垂表面与所述周边表面。6.根据权利要求2所述的盖环，其中所述斜面进一步包括凹陷倾斜表面，所述凹陷倾斜表面接合所述斜面的所述悬垂表面与所述周边表面。7.根据权利要求6所述的盖环，其中所述凹陷倾斜表面用于提供所述外部框体的光阱区域。8.根据权利要求1所述的盖环，其中所述外部框体包括实质不透射紫外线辐射的材料。9.一种切割半导体晶片的方法，所述半导体晶片包括前表面，所述前表面上具有多个集成电路，所述方法包括：在基板载体上提供所述半导体晶片，所述半导体晶片具有覆盖这些集成电路的图案化掩膜，并且具有位于这些集成电路之间的划线；在所述半导体晶片与基板载体的上定位盖环，所述盖环包括内部开孔，所述内部开孔具有直径，所述直径小于所述半导体晶片的直径，所述盖环还具有外部框体，所述外部框体围绕所述内部开孔，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯·M·霍顿，亚历山大·N·勒纳，阿杰伊·库马尔，阿帕娜·伊耶，艾伦·希罗什·奥叶，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US