具有反射光电阴极阵列的光电倍增管(PMT)制造技术

本发明专利技术提供一种光电倍增管PMT的具有反射光电阴极阵列的内部部分及一种用于制造所述内部部分的方法。所述PMT的所述内部部分包括所述反射光电阴极阵列及对应于所述反射光电阴极阵列的至少一个二次发射极结构。每一反射光电阴极接收光且从所述光产生光电子，所述光电子接着朝向所述至少一个二次发射极结构行进。在所述光电子与所述至少一个二次发射极结构接触后，所述光电子即刻倍增。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有反射光电阴极阵列的光电倍增管(PMT)相关申请案本申请案主张2014年11月14日提出申请的第62/079,985号美国临时专利申请案的权益，所述临时专利申请案的全部内容以引用方式并入本文中。
本专利技术涉及光电倍增管(PMT)。
技术介绍
光电倍增管(PMT)是用以检测光的装置。其将光转换为光电子，所述光电子接着倍增且被检测。在过去，一种特定类型的PMT由透射光电阴极及二次发射极链形成。图1中展示根据现有技术的PMT的内部结构的实例。如图1中所展示，光102与透明光电阴极104的一侧接触且因此光电子106从透明光电阴极104的另一侧发射出。接着光电子106与二次发射极结构108接触，二次发射极结构108又使光电子106倍增。遗憾地，现有技术PMT(例如图1中所图解说明的PMT)已展现了各种限制。举例来说，与反射光电阴极相比，透射光电阴极的使用通常导致较低量子效率及较短使用寿命。然而，主要出于几何原因(例如，需要具有紧凑PMT以便具有高带宽)，有时在PMT装置中避免使用反射光电阴极。因此，需要解决与现有技术PMT相关联的这些及/或其它问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种光电倍增管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电倍增管PMT的内部部分，其包括：反射光电阴极阵列，所述反射光电阴极中的每一者用于接收光且从所述所接收光产生光电子；及至少一个二次发射极结构，其对应于所述反射光电阴极阵列以使由所述对应反射光电阴极阵列产生的所述光电子倍增。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.14 US 62/079,985;2015.11.05 US 14/934,1071.一种光电倍增管PMT的内部部分，其包括：反射光电阴极阵列，所述反射光电阴极中的每一者用于接收光且从所述所接收光产生光电子；及至少一个二次发射极结构，其对应于所述反射光电阴极阵列以使由所述对应反射光电阴极阵列产生的所述光电子倍增。2.根据权利要求1所述的PMT的内部部分，其中所述反射光电阴极阵列及所述对应至少一个二次发射极结构包含于外壳内。3.根据权利要求2所述的PMT的内部部分，其中所述外壳是管。4.根据权利要求2所述的PMT的内部部分，其中所述反射光电阴极中的每一者是从所述外壳的端侧以对角线角度定位。5.根据权利要求4所述的PMT的内部部分，其中所述外壳的所述端侧至少部分地是所述光可穿过的窗。6.根据权利要求1所述的PMT的内部部分，其中所述至少一个二次发射极结构中的每一者包含多个二次发射极。7.根据权利要求6所述的PMT的内部部分，其中所述二次发射极被定位成链以使所述光电子在其间通过。8.根据权利要求6所述的PMT的内部部分，其中所述二次发射极中的每一者使其所接收的光电子倍增。9.根据权利要求1所述的PMT的内部部分，其中所述至少一个二次发射极结构包含对应于所述阵列中的多个所述反射光电阴极的单个二次发射极结构。10.根据权利要求9所述的PMT的内部部分，其中所述单个二次发射极结构对应于所述阵列中的所有所述反射光电阴极。11.根据权利要求1所述的PMT的内部部分，其中所述至少一个二次发射极结构包含对应于所述阵列中的所述反射光电阴极中的每一者的单独二次发射极结构。12.根据权利要求1所述的PMT的内部部分，其中所述光是以下各项中的一者：以一角度入射到所述反射光电阴极阵列，及垂直地入射到所述反射光电阴极阵列。13.根据权利要求12所述的PMT的内部部分，其中：当所述光是以所述角度入射到所述反射光电阴极阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·麦凯，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US