应用材料公司专利技术

应用材料公司共有6595项专利

  • 用于形成圆筒状标靶组件的方法及装置
    本申请公开了用于形成圆筒状标靶组件的方法及装置。本发明的实施例大体包含用于制备圆筒状溅射标靶管且将圆筒状溅射标靶管接合至背衬管以形成旋转标靶组件的方法及装置。在一个实施例中,圆筒状标靶组件包括接合材料,该接合材料具有圆筒状表面且与背衬管...
  • 用于涂布基板的溅射沉积装置
    提供了一种通过旋转靶材组件在两个涂布区域中涂布基板的装置。此溅射沉积装置具有两个或更多个涂布区域以用于涂布所述基板。所述溅射沉积装置包括第一基板导引系统,用以在第一涂布区域中导引所述基板,其中所述第一基板导引系统定义第一基板输送方向。所...
  • 处理腔室和控制朝向基板支撑组件引导的气体的量的方法
    本公开涉及了一种处理腔室和控制朝向基板支撑组件引导的气体的量的方法。喷淋头组件包括:面板,所述面板被配置成将工艺气体输送到限定在所述喷淋头组件与所述基板支撑件之间的处理区域;以及底板,所述底板被定位在所述面板上方,在所述盖与所述底板之间...
  • 用于等离子体增强化学气相沉积的腔室
    本发明描述以实质垂直的定向等离子体处理基板的方法与设备。基板定位在包含至少两个实质垂直定向的框架的承载件上。承载件设置在等离子体腔室中,等离子体腔室具有定位于基板间的天线结构。多个等离子体腔室可耦合至具有转盘的移送腔室,以将承载件引导至...
  • 由物理气相沉积形成的氮化铝缓冲层和活性层
    本文所述的本发明的实施方式一般涉及用于形成高品质缓冲层和III‑V族层的设备和方法,所述缓冲层和III‑V族层用来形成有用的半导体装置,如电源装置、发光二极管(light emitting diode;LED)、激光二极管(laser ...
  • 用于热处理腔室的支撑圆柱
    本公开内容的实施方式大体涉及用于热处理腔室中的支撑圆柱。在一个实施方式中,支撑圆柱包括具有内周表面和外周表面的环形主体,其中环形主体包括不透明石英玻璃材料且其中环形主体被光学透明层涂布。光学透明层具有与不透明石英玻璃材料实质匹配或相似的...
  • 具有封装的光阻隔件的支撑环
    本文所述的实施方式提供一种热处理设备,该热处理设备具有热源以及旋转基板支座,该旋转基板支座与该热源相对,该旋转基板支座包括支撑构件,该支撑构件具有光阻挡构件。光阻挡构件可以是封装的部件,或可移动式设置在支撑构件内侧。光阻挡构件可以是不透...
  • LED阵列的线性高装填密度
    本发明涉及LED阵列的线性高装填密度。本文提供用于将能量提供至处理腔室的设备。在一个实施方式中,所述设备包括支撑基板、设置于支撑基板的第一表面上的第一多个固态光源和设置于支撑基板的顶表面上的第二多个固态光源,其中第一多个固态光源与第二多...
  • 用于处理腔室的陶瓷涂覆的石英盖体
    本公开内容的实施方式包括用于降低处理腔室内的颗粒产生的方法和设备。在一个实施方式中,本发明提供一种用于基板处理腔室的盖体。盖体包括:盖构件,所述盖构件具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;通过所述盖构件的中央开口,其中所述中央开口的内...
  • 用于在基板上沉积材料的沉积装置
    一种用于在基板上沉积材料的沉积装置(300)。沉积装置(300)包括第一处理腔室(310)和第二处理腔室(320);位于第一处理腔室(310)内的至少一个第一沉积源(311)和位于第二处理腔室(320)内的至少一个第二沉积源(321);...
  • 等离子体源组件
    公开了一种等离子体源组件,所述等离子体源组件包括:壳体,所述壳体具有气体入口和正面;在所述壳体中的RF热电极,所述RF热电极具有第一表面和第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对并且限定所述RF热电极的厚度;在所述壳体中的第一返回电极,...
  • 一种晶片处理器
    本公开内容涉及一种晶片处理器。晶片处理器具有处于工艺储槽内的转子,转子固定晶片。转子旋转,从而顺序地将晶片移动通过工艺储槽中保存的处理液体。储槽可以具有工字梁形,以便减小处理液体体积。装料端口提供在工艺储槽顶部处,以将晶片装卸进出工艺储...
  • 基板支撑件、处理腔室和用于在真空处理腔室中从基板支撑件升降基板的升降销
    本公开内容涉及基板支撑件、处理腔室和用于在真空处理腔室中从基板支撑件升降基板的升降销。本实用新型公开的实施方式包括一种具有传感器组件的基板支撑件,以及具有所述基板支撑件的处理腔室。在一个实施方式中,基板支撑件具有定位盘。所述定位盘具有工...
  • 用于半导体工艺腔室部件的保护涂层的原子层沉积
    本发明涉及用于半导体工艺腔室部件的保护涂层的原子层沉积。一种用于半导体工艺腔室部件的表面的多组分涂层组成物包括使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工艺腔室部件的该表面上的氧化钇或氟化钇的至少一个第一膜层以及使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工...
  • 用于化学机械抛光承载头的外部夹环,和承载头
    本实用新型描述了用于化学机械抛光承载头的外部夹环,和承载头。在一个实施方式中,提供一种包括圆柱体的外部夹环,所述圆柱体具有外圆柱壁和内圆柱壁。疏水层被设置在外圆柱壁上。
  • 一种静电卡盘
    公开了一种静电卡盘。所述静电卡盘包括:主体,所述主体耦合到支撑杆,所述主体具有基板支撑表面;肩部,所述肩部从所述主体的基板支撑表面突出,其中绕所述主体的周边设置所述肩部;内部电极,所述内部电极嵌入在所述主体内,所述内部电极从所述主体的中...
  • 用PECVD SiO2钝化保护制造铟镓锌氧化物和氧化锌薄膜晶体管的方法
    本发明大体上关于用PECVD SiO2钝化保护(passivation)制造铟镓锌氧化物(IGZO)和氧化锌(ZNO)薄膜晶体管的方法。薄膜晶体管具有包括铟镓锌氧化物(IGZO)或氧化锌的有源沟道。在形成源极电极与漏极电极之后,但在保护...
  • 光刻系统
    本实用新型提供一种光刻系统。在一个实施方式中,一种光刻系统包括:卡盘,所述卡盘具有基板接收表面;处理单元,所述处理单元设置在所述卡盘上方;一个或多个通气口,所述一个或多个通气口设置在所述处理单元上方;气源,所述气源耦接到所述一个或多个通...
  • 用于图案化的掩模蚀刻
    硬掩模层被沉积在基板上方的特征层上。所述硬掩模层包含有机掩模层。在高于室温的第一温度下使用包含卤元素的第一气体在所述有机掩模层中形成开口,以暴露出所述特征层的一部分。在一个实施例中,将包含卤元素的气体供应到腔室。在第一温度下使用所述卤元...
  • 采用具有摩擦增强图案的周边表面在湿式化学工艺期间接触基板的压模制品
    公开了采用具有摩擦增强图案的周边表面在湿式化学工艺期间接触基板的压模制品。例如环形主体的制品可借助压模技术形成。通过包含图案化表面作为环形主体的外周边的一部分,所述环形主体和基板之间的摩擦接触可被增强,因为与湿式化学工艺相关联的减少摩擦...