用于等离子体增强化学气相沉积的腔室制造技术

本发明专利技术描述以实质垂直的定向等离子体处理基板的方法与设备。基板定位在包含至少两个实质垂直定向的框架的承载件上。承载件设置在等离子体腔室中，等离子体腔室具有定位于基板间的天线结构。多个等离子体腔室可耦合至具有转盘的移送腔室，以将承载件引导至目标腔室。装载器在承载件与负载锁定腔室之间移动基板，在负载锁定腔室中基板是置放在实质上水平的位置。

Chamber for plasma enhanced chemical vapor deposition

The present invention describes a method and a device for treating a substrate with a substantially perpendicular directional plasma. The substrate is positioned on a load-bearing member comprising at least two substantially vertically oriented frames. The bearing body is arranged in the plasma cavity chamber, and the plasma cavity chamber has an antenna structure positioned between the substrates. A plurality of plasma chambers can be coupled to a transfer chamber with a turntable to guide the carrying member to the target chamber. The loader moves the substrate between the load bearing and the load locking chamber, and the substrate is placed at the substantially horizontal position in the load lock chamber.

【技术实现步骤摘要】
用于等离子体增强化学气相沉积的腔室本申请是申请号为201080048407.1的专利技术专利申请的分案申请。
本文所述实施例是关于处理半导体基板的设备及方法。详言之，本文描述在实质垂直的位置用于半导体基板的整合工艺的设备与方法。
技术介绍
在许多半导体物品的制造中经常处理大基板。大半导体基板最普遍的终端应用为光伏面板及大显示器基板。这些基板在典型的工艺中经受若干的工艺步骤，包括材料沉积步骤、材料移除步骤、清洁步骤等。在大部分的这些步骤中，基板是在实质水平的位置处理及输送，并经常是一次处理一个基板。在水平位置处理大基板将需要大占地面积的设备以达成期望的产量。此设备的建造及操作费用昂贵，因而提高每个基板的单位成本。此外，一次处理一个基板也会提高成本。随着市场对于大半导体基板的需求增长，仍旧需要符合成本效益来建造与操作的大基板制造工艺。
技术实现思路
本专利技术描述在实质垂直的位置处理基板的方法与设备。基板安装在承载件上，承载件将基板移动至实质垂直的工艺腔室。基板在承载件上从系统中的一腔室移动至另一腔室，以实质垂直的定向处理基板。描述一种用于等离子体处理基板的腔室，腔室包含一具有实质垂直的主轴本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理基板的工艺腔室，包含：PECVD腔室，所述PECVD腔室具有单一工艺体积，所述单一工艺体积具有两个工艺区域，所述两个工艺区域经配置以处理面对面、垂直定向固定的基板；垂直定向的天线结构，所述天线结构置中设置于所述PECVD腔室内，所述天线结构在所述单一工艺体积内分隔所述两个工艺区域；垂直定向的气体馈送结构，所述气体馈送结构与所述垂直定向的天线结构分离，延伸至所述工艺体积内且邻近所述天线结构，其中所述垂直定向的气体馈送结构设置于基板处理位置与所述垂直定向的天线结构之间；及传送器，所述传送器可经操作以将基板移动进出所述PECVD腔室，同时保持所述基板处于垂直定向。

【技术特征摘要】
2009.10.28 US 61/255,731;2009.10.28 US 61/255,7031.一种用于处理基板的工艺腔室，包含：PECVD腔室，所述PECVD腔室具有单一工艺体积，所述单一工艺体积具有两个工艺区域，所述两个工艺区域经配置以处理面对面、垂直定向固定的基板；垂直定向的天线结构，所述天线结构置中设置于所述PECVD腔室内，所述天线结构在所述单一工艺体积内分隔所述两个工艺区域；垂直定向的气体馈送结构，所述气体馈送结构与所述垂直定向的天线结构分离，延伸至所述工艺体积内且邻近所述天线结构，其中所述垂直定向的气体馈送结构设置于基板处理位置与所述垂直定向的天线结构之间；及传送器，所述传送器可经操作以将基板移动进出所述PECVD腔室，同时保持所述基板处于垂直定向。2.如权利要求1的工艺腔室，其中所述天线结构包括突出到所述PE...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐纳德·J·K·奥尔加多，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US