本公开涉及具有用于实现最佳薄膜沉积或蚀刻工艺的性质的静电卡盘。公开一种受热支撑组件，所述受热支撑组件包括：主体，所述主体包含氧化镁掺杂的氮化铝，具有在约600摄氏度下约1×10

本文所述实施方式涉及用于处理基板的装置和方法。在一个实施方式中，提供一种集群工具装置，所述集群工具装置具有传递腔室和围绕所述传递腔室设置的预清洁腔室、自组装单层(self‑assembled monolayer；SAM)沉积腔室、原子层...

提供一种用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种处理设置于处理腔室中的基板的方法包括：在基板上执行处理，所述基板设置于处理腔室中，所述处理腔室具有基板支撑环和反射板，所述基板支撑环配置成支撑所述基板，所述反射板设置成接近所述基板...

本发明涉及自居中底座加热器。本发明提供了一种底座，所述底座包括：主体；加热器，嵌入在主体中；支撑凹槽，在主体内形成，具有安置在第一平面中的表面；周边表面，安置在第二平面中，包围支撑凹槽；以及多个定心凸片，定位在支撑凹槽与周边表面之间，每...

本公开提供了一种用于半导体处理腔室的双通道喷头。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有多个第一开口和多个第二开口，该多个第一开口和多个第二开口形成为穿过该导电材料，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开...

公开了边缘保护板、边缘保护组件以及用于处理基板的设备。本发明的实施例大体上关于用等离子体蚀刻基板的方法与设备，更详言之，关于保护受处理的基板的边缘、侧边及背面的方法与设备。本发明的实施例提供一种边缘保护板，该边缘保护板具有通孔，该通孔在...

本文揭示一种用于热处理系统的脉冲宽度控制器。脉冲电磁辐射被引导穿过转动式波片至偏振分束器，所述偏振分束器根据所述波片的相角而反射及透射。通过所述偏振分束器透射的辐射被引导至光路，所述光路经渡越时间后使所述辐射返回所述偏振分束器。第二转动...

本文公开了一种气体供应线组件和使用所述气体供应线组件的处理设备。在一些实施方式中，气体供应线组件包括：电介质主体；延伸穿过所述电介质主体的至少一个通道；和设置在所述至少一个通道中的电介质管，其中所述通道的内直径大于所述电介质管的外直径使...

在此所描述的具体实施方式涉及基板的快速热处理。光纤耦合激光二极管阵列设置于光学系统中，所述光学系统经配置以在基板表面上产生均匀辐照图案。多个单独可控的激光二极管经由多个光纤而与一个或多个透镜光学耦接。所述光纤耦合激光二极管阵列产生高斯辐...

本文描述了一种用于待处理基板的载体系统。所述载体系统包括主载体(100)，所述主载体(100)包括用于将一个或多个副载体(400；800)耦接到主载体(100)的副载体耦接装置(201)。所述主载体(100)包括具有带交叉格栅(121)...

提供用于在基板上形成互连的方法与装置。保护层形成于基板上和过孔中，所述过孔形成于所述基板上，其中所述保护层耐受含卤素材料。阻挡层形成于所述保护层的顶部。所述阻挡层包括含卤素材料。金属层沉积于所述阻挡层上方。另一实施方式中，保护层选择性地...

本文所描述实施方式涉及用于在半导体基板上形成或处理材料层的方法。在一个实施方式中，用于执行原子层工艺方法包括输送物质至处于第一温度的基板的表面，随后将基板的表面尖峰退火至第二温度以引发物质与基板的表面上的分子之间的反应。第二温度高于第一...

描述一种气流，用于减少基板处理夹盘的冷凝。在一示例中，该腔室中的工件支架具有定位盘、上板、冷却板、底板、以及该底板的干燥气体入口，该定位盘用于携载该工件以进行制造处理，该上板热耦接至该定位盘，该冷却板紧固至并热耦接至该上板，该冷却板具有...

本公开内容的实施方式一般涉及用于在增大的压力及降低的温度下在半导体装置上形成掺杂硅的外延层的方法。在一个实施方式中，该方法包括将设置在处理腔室内的基板加热至约550℃至约800℃的温度，将包含三氯硅烷(TCS)的硅源、磷源及包含卤素的气...

本案中提供处理基板的方法。在一些实施方式中，处理设置在处理腔室中的基板的方法包括：(a)通过将基板暴露于第一反应性物种和第一前驱物而在基板上沉积材料层，所述第一反应性物种由远程等离子体源产生，其中所述第一反应性物种与所述第一前驱物反应；...

描述用于循环的沉积和固化工艺的方法。本文描述的实施方案提供用于填充形成在基板上的特征的循环连续沉积和固化工艺。填充特征以确保在形成在基板上的集成电路中的特征的电绝缘。本文描述的工艺使用的可流动膜沉积工艺可有效减小在形成在基板上的特征中产...

针对空腔的任何谐振模式TEmnl或TMmnl建立旋转微波，其中用户自由地选择模式索引m、n和l的值。旋转频率等于操作微波频率的快速旋转通过将两个微波输入端口P与Q之间的时域相位差

提供一种适合用于触摸屏面板的层状系统(100)。层状系统(100)包括至少一个层堆叠，层堆叠具有三个或更多个层，三个或更多个层在相同的结构化工艺中被结构化。三个或更多个层包括金属层(110)、及两个或更多个其他的层，金属层(110)包括...

本文提供用于清洁原子层沉积腔室的方法及设备。在一些实施方式中，腔室盖组件包含：外壳，外壳围绕中央通道，中央通道沿着中心轴延伸且具有上部分及下部分；盖板，盖板耦接至外壳且具有轮廓底表面，轮廓底表面从中央开口向下及向外延伸至盖板的周边部分，...

化学机械研磨设备包括平台以支撑研磨垫，及原位(in‑situ)声学发射监控系统，该原位声学发射监控系统包括由该平台支撑的声学发射传感器、经配置以延伸穿过研磨垫的至少一部分的波导，及用以接收来自声学发射传感器的信号的处理器。原位声学发射监...