本文提供的实施方式一般地涉及在半导体处理腔室中用于气体递送的装置。该装置可以是气体分配板，该气体分配板具有形成于该气体分配板中的多个通孔与多个盲孔。提供工艺气体穿过该气体分配板的这些通孔至半导体处理腔室的处理空间中。这些盲孔用于使用相变...

本发明涉及针对先进元件的晶圆上粒子性能的化学相容性涂层材料。为了针对一种用于半导体处理腔室的制品制造涂层，该制品包括Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体及主体上的陶瓷涂层。陶瓷涂层包括一化合物，该化合物包含自约50摩尔％至约75摩...

本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况(诸如...

本发明的实施例涉及使用非旧有控制器执行旧有半导体应用程序的系统及方法。在一些实施例中，硬件抽象层及/或模仿器可用于提供非旧有操作系统与包括旧有应用程序的旧有部件之间的通信。在一些实施例中，多种方法及/或装置可用于模仿及/或翻译旧有部件与...

本发明的实施方式提供用于支撑基板的基板支撑边缘环。一个实施方式中，提供一种基板支撑环。该基板支撑环包含环状主体。该环状主体包含：外条带，该外条带从外环状侧壁径向向内延伸；以及基板支撑区域，该基板支撑区域从外条带的内侧部分向内延伸，其中该...

描述了一种用于热处理腔室的支撑构件。所述支撑构件于至少一个表面上具有溶胶涂层。所述溶胶涂层含有阻挡预期波长或光谱的辐射的材料，使得所述辐射无法透过所述支撑构件的材料。所述溶胶涂层可为多层结构，除了辐射阻挡层以外，所述多层结构可还包含粘接...

本文公开了用于将III‑V族层沉积于基板上的方法。在某些实施例中，一种方法包括下列步骤：在范围自约300摄氏度至约400摄氏度的第一温度下，将第一层沉积在含硅表面上，该第一层包含第一III族元素或第一V族元素中的至少一者，该含硅表面定向...

描述一种真空沉积腔室。所述真空沉积腔室包括：材料沉积设备，具有分配管道；以及基板支撑件，用于在沉积期间支撑基板，其中所述材料沉积设备的至少一个分配管道与所述基板支撑件之间的距离小于250mm。

本文描述用于选择性地氧化硅的装置和方法。用于对暴露的硅表面进行选择性氧化的设备包括：热处理腔室，所述热处理腔室具有多个壁、第一入口连接件和第二入口连接件，其中壁界定处理腔室内的处理区域；处理腔室内的基板支撑件；与第一入口连接件连接的氢源...

提供一种用于形成磁性介质衬底的方法和设备。图案化抗蚀层形成在具有磁化层的衬底上。共形保护层形成在图案化抗蚀层上，以免图案于后续处理期间降解。衬底经能量处理，其中能量物种依据形成于图案化抗蚀剂中的图案，穿透部分图案化抗蚀层和共形保护层而撞...

一种工件固持器，包括：定位盘；第一及第二加热装置，与该定位盘的相应的内及外部分热连通；及热沉，与该定位盘热连通。该第一及第二加热装置可独立控制，且与该热沉与该定位盘的热连通相比，该第一及第二加热装置与该定位盘处于更大的热连通。一种控制工...

本发明涉及用于OLED应用的PECVD HMDSO膜的等离子体固化。本发明描述了一种用于形成OLED器件的方法。具有夹在阻挡层之间的缓冲层的封装层沉积在OLED结构上。所述缓冲层沉积在第一阻挡层上，并在低于100摄氏度的温度下利用含氟等...

本发明描述了基座组件，所述基座组件包括：基座基部；以及多个饼形蒙皮，所述多个饼形蒙皮在基座基部上。饼形锚件可以定位在基座基部的中心，以便在处理期间将所述饼形蒙皮保持于适当位置处。

本申请描述了具有可拆卸高电阻率气体分配板的喷淋头。在一些实施例中，在半导体处理腔室中使用的喷淋头可包括：主体，所述主体具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧；气体分配板，所述气体分配板设置为接近底座的第二侧，其中气体分配板由具有约60Ω‑c...

良品率预测由安排及分派控制器接收，其中该良品率预测有关于制造工具和产品。基于该良品率预测在路由算法中调整该制造工具的权重。计算成本‑利润分析，其确定在该制造工具上制造将来产品的成本和利润；以及基于该成本‑利润分析，决定是否在该制造工具上...

本发明的实施方式一般涉及具有用于将图案成像于基板上的光学元件的激光退火系统。光学元件可包含将图像整形以暴露于基板的表面上的多个孔或一个孔。该图像可由光学元件系统内的孔的形状加以确定。

本文所公开的实施方式涉及一种半导体处理腔室部件组件。在一个实施方式中，半导体处理腔室部件组件包括第一半导体处理腔室部件、第二半导体处理部件和密封构件。密封构件具有基本上由聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene；PTF...

本实用新型总体上涉及控制边缘环的射频(RF)振幅的装置和方法。装置和方法包括通过可变电容器耦接到接地的电极。所述电极可以是环形的并且嵌入在基板支撑件中，所述基板支撑件包括静电卡盘。所述电极可定位于基板和/或所述边缘环的周边下方。当等离子...

本文所述的实施例涉及用于确定清洁终点的方法。可在清洁腔室环境中执行第一等离子体清洁工艺，以确定由第一斜率所限定的清洁时间函数。可在非清洁腔室环境中执行第二等离子体清洁工艺，以确定由第二斜率所限定的清洁时间函数。可比较第一及第二斜率以确定...

本发明公开了用于形成OLED器件的方法。将具有有机缓冲层夹在阻挡层之间的封装结构沉积在OLED结构上。所述缓冲层是利用含氟等离子体形成。随后，将所述第二阻挡层沉积在所述缓冲层上。另外，为了确保良好的粘附性，在所述缓冲层与第一阻挡层之间形...