OLED器件和用于在显示器件上形成封装结构的方法技术

本发明专利技术公开了用于形成OLED器件的方法。将具有有机缓冲层夹在阻挡层之间的封装结构沉积在OLED结构上。所述缓冲层是利用含氟等离子体形成。随后，将所述第二阻挡层沉积在所述缓冲层上。另外，为了确保良好的粘附性，在所述缓冲层与第一阻挡层之间形成缓冲粘附层。最后，为了确保良好的透射率，将应力减少层沉积在所述缓冲层与所述第二阻挡层之间。

【技术实现步骤摘要】
用于OLED薄膜封装的含氟等离子体聚合的HMDSO本申请是申请日为2014年2月6日、申请号为“201480011308.4”、专利技术名称为“用于OLED薄膜封装的含氟等离子体聚合的HMDSO”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的实施方式总体涉及一种用于封装有机发光二极管(OLED)的方法和装置。
技术介绍
OLED用于电视屏幕、计算机监视器、移动电话以及用来显示信息的其他手持设备等的制造。与液晶显示器(LCD)相比，OLED显示器响应时间更快、视角更大、对比度高、重量更轻、耗能较低并且能够顺应柔性，因此，近来在显示器应用中已受到越来越多关注。OLED结构使用寿命有限，这以电致发光效率降低和驱动电压增加来表征。OLED结构劣化主因在于，由于水汽或氧侵入造成的不发光的暗点(non-emissivedarkspots)的形成。出于这一原因，OLED结构通常通过将缓冲层夹在阻挡层之间加以封装。缓冲层利用来填充第一阻挡层中的任何空隙或缺口，使第二阻挡层具有基本均匀表面以供进行沉积。已观察到，当前的封装层可能难以防止因颗粒覆盖不佳而失效(failure)。因此，需要提供一种用于封装O本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在显示器件上形成封装结构的方法，所述方法包括以下步骤：将第一阻挡层沉积在基板的区域上，有显示器件设置于所述区域上，其中所述第一阻挡层包括氮氧化硅；将缓冲粘附层沉积在所述第一阻挡层上并与所述第一阻挡层直接物理地接触；利用含氟等离子体将缓冲层沉积在所述缓冲粘附层上并与所述缓冲粘附层直接物理地接触，其中在沉积所述缓冲层期间增加用于沉积所述缓冲层的一种或多种前驱物气体的流率；将应力减少层沉积在所述缓冲层上并与所述缓冲层直接物理地接触；以及将第二阻挡层沉积在所述应力减少层上并与所述应力减少层直接物理地接触，其中所述第二阻挡层包括氮氧化硅。

【技术特征摘要】
2013.03.04 US 61/772,509;2013.10.21 US 61/893,3841.一种用于在显示器件上形成封装结构的方法，所述方法包括以下步骤：将第一阻挡层沉积在基板的区域上，有显示器件设置于所述区域上，其中所述第一阻挡层包括氮氧化硅；将缓冲粘附层沉积在所述第一阻挡层上并与所述第一阻挡层直接物理地接触；利用含氟等离子体将缓冲层沉积在所述缓冲粘附层上并与所述缓冲粘附层直接物理地接触，其中在沉积所述缓冲层期间增加用于沉积所述缓冲层的一种或多种前驱物气体的流率；将应力减少层沉积在所述缓冲层上并与所述缓冲层直接物理地接触；以及将第二阻挡层沉积在所述应力减少层上并与所述应力减少层直接物理地接触，其中所述第二阻挡层包括氮氧化硅。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缓冲层包含氟化等离子体聚合的六甲基二硅氧烷(pp-HMDSO:F)。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述一种或多种前驱物气体包含一或多种含氟气体以及HMDSO气体。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述含氟气体是选自由以下各项组成的组：NF3、SiF4、F2、CF4及其组合。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述含氟气体与所述HMDSO气体的流率比率介于0.25与1.5之间。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阻挡层、所述第二阻挡层、所述缓冲粘附层、所述应力减少层和所述缓冲层在单个工艺腔室中进行沉积。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述单个工艺腔室是PECVD腔室。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述PECVD腔室被连接至远程等离子体源，其中所述一种或多种前驱物气体的氟前驱物在绕过所述远程等离子体源后被递送至所述PECVD腔室，并且其中所述一种或多种前驱物气体的HMDSO前驱物在穿过所述远程等离子体源后被递送至所述PECVD腔室。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，相同的掩模被使用来沉积所述第一阻挡层、所述缓冲层以及所述第二阻挡层。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阻挡层和所述缓冲粘附层由不同材料制成，并且所述应力减少层和所述第二阻挡层由不同材料制成。11.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·J·陈，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US