本发明专利技术公开了用于形成OLED器件的方法。将具有有机缓冲层夹在阻挡层之间的封装结构沉积在OLED结构上。所述缓冲层是利用含氟等离子体形成。随后，将所述第二阻挡层沉积在所述缓冲层上。另外，为了确保良好的粘附性，在所述缓冲层与第一阻挡层之间形成缓冲粘附层。最后，为了确保良好的透射率，将应力减少层沉积在所述缓冲层与所述第二阻挡层之间。
【技术实现步骤摘要】
用于OLED薄膜封装的含氟等离子体聚合的HMDSO本申请是申请日为2014年2月6日、申请号为“201480011308.4”、专利技术名称为“用于OLED薄膜封装的含氟等离子体聚合的HMDSO”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的实施方式总体涉及一种用于封装有机发光二极管(OLED)的方法和装置。
技术介绍
OLED用于电视屏幕、计算机监视器、移动电话以及用来显示信息的其他手持设备等的制造。与液晶显示器(LCD)相比，OLED显示器响应时间更快、视角更大、对比度高、重量更轻、耗能较低并且能够顺应柔性，因此，近来在显示器应用中已受到越来越多关注。OLED结构使用寿命有限，这以电致发光效率降低和驱动电压增加来表征。OLED结构劣化主因在于，由于水汽或氧侵入造成的不发光的暗点(non-emissivedarkspots)的形成。出于这一原因，OLED结构通常通过将缓冲层夹在阻挡层之间加以封装。缓冲层利用来填充第一阻挡层中的任何空隙或缺口，使第二阻挡层具有基本均匀表面以供进行沉积。已观察到，当前的封装层可能难以防止因颗粒覆盖不佳而失效(failure)。因此，需要提供一种用于封装OLED结构的的改进方法和装置。
技术实现思路
描述用于形成OLED器件的方法。将具有缓冲层夹在阻挡层之间的封装结构沉积在OLED结构上。所述缓冲层是利用含氟等离子体形成。随后，将第二阻挡层沉积在所述缓冲层上。另外，为了确保良好的粘附性，在所述缓冲层与第一阻挡层之间形成缓冲粘附层。最后，为了确保良好的透射率(transmittance)，在所述缓冲层与所述第二阻挡层之间沉积应力减少层。在一个实施方式中，一种用于在有机发光二极管(OLED)器件上形成封装结构的方法包括以下步骤：将第一阻挡层沉积在基板具有OLED结构设置在其上的区域上；将缓冲粘附层沉积在所述第一阻挡层上；利用含氟等离子体将缓冲层沉积在所述缓冲粘附层上；将应力减少层沉积在所述缓冲层上；以及将第二阻挡层沉积在所述应力减少层上。在另一实施方式中，一种OLED器件包括：第一阻挡层，所述第一阻挡层设置在基板具有OLED结构设置于其上的区域上；缓冲粘附层，所述缓冲粘附层设置在所述第一阻挡层上；氟化缓冲层，所述氟化缓冲层设置在所述缓冲粘附层上；应力减少层，所述应力减少层沉积在所述氟化缓冲层上；以及第二阻挡层，所述第二阻挡层设置在所述应力减少层上。附图说明因此，为了详细理解本公开案的上述特征结构的方式，上文简要概述的本公开案的更具体的描述可以参照实施方式进行，一些实施方式图示在附图中。然而，应当注意，附图仅仅图示本公开案的典型实施方式，并且因此不应被视为本公开案的范围的限制，因为本公开案可以允许其他等效实施方式。图1A是可用于执行本文所述方法的PECVD装置腔室的示意横截面图。图1B是图1A的PECVD装置的示意性俯视图。图2是根据本专利技术的一实施方式所绘示，形成有机发光二极管器件的方法流程图。图3A至图3E是绘示在图2的方法的不同步骤中，有机发光二极管器件的结构剖面示意图。为了促进理解，已尽可能使用相同元件符号指定各图所共有的相同元件。应预见到，一个实施方式的要素和特征可有利地并入其他实施方式，而无需进一步叙述。具体实施方式描述用于形成OLED器件的方法被。将具有有机缓冲层夹在阻挡层之间的封装结构沉积在OLED结构上。所述缓冲层是利用含氟等离子体形成。随后，将第二阻挡层沉积在所述缓冲层上。另外，为了确保良好的粘附性，在所述缓冲层与第一阻挡层之间形成缓冲粘附层。最后，为了确保良好的透射率(transmittance)，在所述缓冲层与所述第二阻挡层之间沉积应力减少层。图1A是可用于执行本文所述操作的的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)装置的示意横截面图。所述装置包括腔室100，在腔室100中，一或多层薄膜可沉积于基板120上。腔室100一般包括壁102、底部104以及喷淋头106，它们共同限定工艺容积。基板支撑件118设置在工艺容积内。工艺容积通过狭缝阀开口108进入，使得基板120可移入或移出腔室100。基板支撑件118被耦接至致动器116，以升高或降低基板支撑件118。升降杆122可移动地穿过基板支撑件118设置，以从和向基板接收表面移动基板120。基板支撑件118还包括了加热和/或冷却元件124，用于维持基板支撑件118处于期望温度。基板支撑件118还包括了RF回程带126，用于在基板支撑件118的周边提供RF回程路径。喷淋头106通过紧固机构150来耦接至背板112。喷淋头106通过一或多个紧固机构150来耦接至背板112，以有助于防止喷淋头106下垂及/或控制喷淋头106直度/曲度。气源132被耦接至背板112，以便通过喷淋头106中的气体通道来气体提供至介于喷淋头106与基板120之间的处理区域。真空泵110被耦接至腔室100，用以维持工艺容积处于预定压力。RF源128通过匹配网络190来耦接至背板112和/或喷淋头106，以向喷淋头106提供RF电流。RF电流在喷淋头106与基板支撑件118之间形成电场，使得等离子体可从介于喷淋头106与基板支撑件118之间的气体产生。远程等离子体源130(如感应耦合远程等离子体源130)耦接在气源132与背板112之间。介于处理基板之间，清洁气体可提供至远程等离子体源130，使得远程等离子体生成。来自远程等离子体的自由基可提供至腔室100，以便清洁腔室100部件。清洁气体可进一步由提供至喷淋头106的RF源128激发。喷淋头106另外通过喷淋头悬架134来耦接至背板112。在一个实施方式中，喷淋头悬架134是柔性金属衬套(flexiblemetalskirt)。喷淋头悬架134可以具有唇缘136，喷淋头106可搁置在唇缘上。背板112可搁置在与腔室壁102耦接的突出部分114的上表面上，以便密封腔室100。如图1B所示，气源132包括第一部分132A和第二部分132B。第一部分132A直接将气体供料至远程等离子体源130，接着通过背板112而供料至腔室100。第二部分132B绕过远程等离子体源130，通过背板112将气体递送至腔室100。图2是根据本专利技术的各种实施方式的用于在OLED器件上形成封装结构的方法200的流程图。图3A至图3E示出在图2的方法200的不同阶段期间的OLED器件的示意横截面图。方法200始于以下工艺202：将具有预成型的OLED结构304设置在其上的基板300引入工艺腔室(诸如腔室100)中。基板300可具有接触层302设置在其上，并且OLED结构304设置在接触层302上，如图3A所示。在工艺204处，掩模309对准在基板300上，使得OLED结构304通过不受掩模309保护的开口307而暴露，如图3A所示。掩模309被定位成使得接触层302邻接OLED结构304的部分305被掩模309覆盖，以使任何后续所沉积的材料不会沉积在部分305上。接触层302的部分305是OLED器件的电触点，因此，其上不会沉积任何材料。掩模309可由金属材料(诸如)制成。在工艺206处，在基板300上沉积第一阻挡层308，如图3A所示。第一阻挡层308具有第一部分308a和第二部分308b，并且厚度介于约5000埃至约1000本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于在显示器件上形成封装结构的方法，所述方法包括以下步骤：将第一阻挡层沉积在基板的区域上，有显示器件设置于所述区域上，其中所述第一阻挡层包括氮氧化硅；将缓冲粘附层沉积在所述第一阻挡层上并与所述第一阻挡层直接物理地接触；利用含氟等离子体将缓冲层沉积在所述缓冲粘附层上并与所述缓冲粘附层直接物理地接触，其中在沉积所述缓冲层期间增加用于沉积所述缓冲层的一种或多种前驱物气体的流率；将应力减少层沉积在所述缓冲层上并与所述缓冲层直接物理地接触；以及将第二阻挡层沉积在所述应力减少层上并与所述应力减少层直接物理地接触，其中所述第二阻挡层包括氮氧化硅。
【技术特征摘要】
2013.03.04 US 61/772,509;2013.10.21 US 61/893,3841.一种用于在显示器件上形成封装结构的方法，所述方法包括以下步骤：将第一阻挡层沉积在基板的区域上，有显示器件设置于所述区域上，其中所述第一阻挡层包括氮氧化硅；将缓冲粘附层沉积在所述第一阻挡层上并与所述第一阻挡层直接物理地接触；利用含氟等离子体将缓冲层沉积在所述缓冲粘附层上并与所述缓冲粘附层直接物理地接触，其中在沉积所述缓冲层期间增加用于沉积所述缓冲层的一种或多种前驱物气体的流率；将应力减少层沉积在所述缓冲层上并与所述缓冲层直接物理地接触；以及将第二阻挡层沉积在所述应力减少层上并与所述应力减少层直接物理地接触，其中所述第二阻挡层包括氮氧化硅。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缓冲层包含氟化等离子体聚合的六甲基二硅氧烷(pp-HMDSO:F)。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述一种或多种前驱物气体包含一或多种含氟气体以及HMDSO气体。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述含氟气体是选自由以下各项组成的组：NF3、SiF4、F2、CF4及其组合。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述含氟气体与所述HMDSO气体的流率比率介于0.25与1.5之间。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阻挡层、所述第二阻挡层、所述缓冲粘附层、所述应力减少层和所述缓冲层在单个工艺腔室中进行沉积。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述单个工艺腔室是PECVD腔室。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述PECVD腔室被连接至远程等离子体源，其中所述一种或多种前驱物气体的氟前驱物在绕过所述远程等离子体源后被递送至所述PECVD腔室，并且其中所述一种或多种前驱物气体的HMDSO前驱物在穿过所述远程等离子体源后被递送至所述PECVD腔室。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，相同的掩模被使用来沉积所述第一阻挡层、所述缓冲层以及所述第二阻挡层。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阻挡层和所述缓冲粘附层由不同材料制成，并且所述应力减少层和所述第二阻挡层由不同材料制成。11.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·J·陈，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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