一种制造电化学器件的方法可包括：在金属电极上提供介电材料层；增强介电材料层中的在可见光及近紫外线范围内的光吸收，形成增强的介电材料层；和使用具有在可见光及近紫外线范围中的波长的激光在所述层的选择区域中激光烧蚀大体上所有的增强的介电材料，...

于此描述的实施方式提供用于传输基板的静电载具。静电载具可具有透明主体。透明主体可具有第一表面，调整第一表面的大小以运输基板进入及离开处理腔室。该静电载具也可具有一个或多个静电吸附电极，这一个或多个静电吸附电极耦接至该透明主体。这一个或多...

本文所述的实施方式提供一种用于处理基板支撑组件上的基板的方法，该方法实现静电夹具与基板之间的热传递的横向与方位角两者上的调整。该方法包括下述步骤：使用ESC上的第一温度分布来处理第一基板，ESC具有主加热器与空间上可调整的加热器。从处理...

一种具有高架电子束源的反应器，能够产生用于执行原子层蚀刻工艺的离子对离子等离子体。

本文所描述的实现方式可保护腔室部件免遭高温下使用的腐蚀性清洁气体腐蚀。在一个实施方式中，腔室部件包括至少一波纹管，此波纹管包括通过管状折形接头结构耦接至底部安装凸缘的顶部安装凸缘。在至少管状折形接头结构的外表面上设置涂层。涂层包括聚四氟...

一种基板载体门组件，包括可被调变的相对高的密封力。基板载体门组件包括配置为密封至载体主体的载体门、该载体主体上的第一吸引构件和该载体门上的第二吸引构件。吸引构件选自以下组：磁性材料和永久磁铁。基板载体门组件包括磁场产生器，该磁场产生器可...

于此描述用于外延腔室的热屏蔽组件。所述热屏蔽组件具有热屏蔽构件及预热构件。热屏蔽构件设置于预热构件上。热屏蔽构件具有切口部分，所述切口部分暴露预热构件的一部分。预热构件具有凹陷部分以接收热屏蔽构件。

本发明大体上关于具有渐变组成的处理腔室调整层。在一实施例中，该调整层为硼‑碳‑氮化物(BCN)膜。该BCN膜在该膜的底部处可具有较高的硼成分。随着该BCN膜被沉积，硼的浓度可能接近零，同时碳及氮的相对浓度提高。可借着在初期使硼前体、碳前...

提供用于溅射沉积的沉积源(100、300、400、500)。所述沉积源包括用于提供要沉积的靶材料的阴极(110)、可移动磁体组件(120)和阳极组件(130)，所述阳极组件(130)能根据磁体组件(120)移动。

依据实施方式，一种选择性剥蚀覆盖器件的金属层的光学透明材料的方法可以包含以下步骤：在金属层上提供光学透明材料层；以及使用失焦或成形激光束照射所述光学透明材料层的一部分及剥蚀所述光学透明材料层的所述部分；其中所述剥蚀让所述金属层完全未受损...

本公开内容提供一种制造薄膜电池中的锂沉积工艺中使用的掩蔽装置(100)。掩蔽装置(100)包括由金属或金属合金制成的掩模部分(110)、和在掩模部分(110)中的一个或多个开口(120)，其中一个或多个开口(120)经构造以允许沉积材料...

本发明实施例提供用于形成供磁性媒体中使用的图案化磁性层的方法和设备。根据本案实施例，通过低温化学气相沉积形成的氧化硅层用以在硬掩模层中形成图案，且图案化硬掩模用以通过等离子体离子注入形成图案化磁性层。

本申请提供了适合用于连接多个半导体腔室部件的附着材料和半导体腔室部件。在一个实施例中，一种适合用于连接多个半导体腔室部件的附着材料包括：具有低于300psi的杨氏模量的附着材料，其中所述附着材料是具有大于150％的伸长率的碟形穿孔片料，...

本文所述的数个实施方式涉及一种用以将已蒸发源材料沉积于基板上的蒸发源(20)。蒸发源(20)包括：一或多个分配管(106)，具有多个喷嘴(22)，其中所述多个喷嘴(22)的每个喷嘴被构造成用于朝向基板(10)导引已蒸发源材料的羽流；和遮...

本文所述实施方式一般涉及适合在半导体处理腔室中使用的处理套件和等离子体腔室，与常规处理套件相比，所述处理套件用单个边缘环减小边缘效应并加宽处理窗口。所述处理套件一般包括设置为邻近于并且围绕在等离子体腔室中的半导体基板周边的边缘环。所述基...

本发明的实施方式大体关于一种RTP腔室内的旋转装置。该旋转装置包括圆柱形内座圈、多个止推轴承及多个径向轴承。在操作期间，这些轴承产生气垫，该气垫防止旋转部分接触静止部分。

本发明的实施方式大体涉及使用薄膜除去孔构件的污染物的热处理半导体基板的设备和方法。孔构件设置在能量源和待处理的基板之间。薄膜可为对选定形式的能量(诸如来自在一段所需时间内在一个或更多个适当波长下发出辐射的激光的电磁能脉冲)实质上透明的薄...

一种用于热处理基板的装置、系统及方法。脉冲电磁能量源能以至少100Hz的频率产生脉冲。可移动基板支撑件可相对于电磁能量脉冲移动基板。光学系统可设置在能量源和可移动基板支撑件之间，且可包含将电磁能量脉冲塑形成矩形分布的部件。控制器可命令所...

本发明的基座支撑部包括基座轴及基板升降部。基座轴包括支撑柱及从支撑柱径向延伸的多个臂，基板升降部包括支撑柱及从支撑柱径向延伸的多个臂，基座轴的臂从基座轴的支撑柱侧起包括第一臂、耦接至第一臂的第二臂及耦接至第二臂的第三臂，第二臂提供有通孔...

本发明的实施方式提供在处理腔室内处理基板的方法。在一个实施方式中，方法包含提供前驱物气体混合物至处理腔室内，前驱物气体混合物包含沉积前驱物气体和蚀刻前驱物气体、使前驱物气体混合物受到出自热源的热能作用，以在基板的表面上沉积材料层，其中热...