赋予掺杂硼的碳膜静电夹持及极佳颗粒性能的渐变原位电荷捕捉层制造技术

本发明专利技术大体上关于具有渐变组成的处理腔室调整层。在一实施例中，该调整层为硼‑碳‑氮化物(BCN)膜。该BCN膜在该膜的底部处可具有较高的硼成分。随着该BCN膜被沉积，硼的浓度可能接近零，同时碳及氮的相对浓度提高。可借着在初期使硼前体、碳前体及氮前体一同流入来沉积该BCN膜。经过第一时段之后，可降低硼前体的流动速率。在沉积该调整层期间，可在硼前体的流动速率降低时，施加RF功率以生成等离子体。

Electrostatically gripped and excellent particle properties of carbon films doped with boron in in-situ charge capture layer

The invention generally relates to a processing chamber adjustment layer consisting of a gradient. In one embodiment, the adjustment layer is boron carbon nitride (BCN) film. The BCN film has a high boron composition at the bottom of the membrane. With the deposition of the BCN film, the concentration of boron may be close to zero, while the relative concentration of carbon and nitrogen is increased. The BCN film can be deposited by inflow of boron precursors, carbon precursors and nitrogen precursors at the initial stage. After the first period of time, the flow rate of boron precursor can be reduced. During the deposition of the adjustment layer, the RF power is applied to generate plasma when the flow rate of the boron precursor is reduced.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】赋予掺杂硼的碳膜静电夹持及极佳颗粒性能的渐变原位电荷捕捉层背景
本专利技术实施例大体上关于处理腔室(例如半导体处理腔室)用的调整膜，及涂覆和使用所述调整膜的方法。
技术介绍
下一代器件的其中一方面是从所处理的每个硅基板获得更高产量及更佳的器件良率和性能。未来诸代的NAND及DRAM器件具更多由氮氧化物沉积物所形成的多个堆栈，从而造成进料基板具有超过±200微米的弓形。在膜层沉积期间若没有足够的夹持力使基板保持平坦，会变得难以使膜性质(例如，斜角覆盖率、厚度及蚀刻选择性)达到均匀一致。可能通过静电夹持来消除基板的弓形，从而增进膜性质的均匀性。然而，在处理腔室内涂覆有调整层以用来保护处理腔室部件，而基板的静电夹持作用经常受到所述调整层的影响。调整膜的一个示例是含硼的碳。虽然含硼的碳膜有助于静电夹持作用，但含硼的碳膜容易剥落并在基板上造成颗粒污染。调整层的另一个示例是非晶硼膜。相较于含硼的碳膜而言，非晶硼膜具有较少的剥落情形。然而，非晶硼膜具有相对高的漏电电流且进而对弓形基板的静电夹持作用产生负面影响。因此，需要一种改善的处理腔室调整层，该调整层提供适当的颗粒性能及夹持性能。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种沉积调整层的方法，包括以下步骤：将硼前体、氮前体及碳前体引入处理腔室中达第一时段；在所述第一时段期间，形成硼‑碳‑氮调整层的非晶硼基底部分；在第二时段期间，逐渐减小所述硼前体的流动速率；及在所述第二时段期间，于所述基底部分上沉积所述硼‑碳‑氮调整层的顶部部分，所述顶部部分具有逐渐减小的硼浓度分布轮廓。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.05 US 62/171,751;2015.07.08 US 62/190,1201.一种沉积调整层的方法，包括以下步骤：将硼前体、氮前体及碳前体引入处理腔室中达第一时段；在所述第一时段期间，形成硼-碳-氮调整层的非晶硼基底部分；在第二时段期间，逐渐减小所述硼前体的流动速率；及在所述第二时段期间，于所述基底部分上沉积所述硼-碳-氮调整层的顶部部分，所述顶部部分具有逐渐减小的硼浓度分布轮廓。2.如权利要求1所述的方法，其中所述硼前体、所述氮前体及所述碳前体在所述第一时段期间被热分解。3.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：对所述处理腔室施加RF功率以使所述硼前体、所述氮前体及所述碳前体离子化，其中在所述第二时段期间内施加所述RF功率。4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一时段在约5秒至约30秒的范围内，以及其中所述第二时段在约10秒至约20秒的范围内。5.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在将所述硼前体、所述氮前体及所述碳前体引入处理腔室内之前，先将清洗气体引入所述处理腔室内，其中所述清洗气体包括O2、Ar及NF3其中一者或更多者。6.如权利要求1所述的方法，其中所述硼前体选自于由二硼烷、邻碳硼烷及三甲基环硼氮烷所构成的群组中。7.如权利要求1所述的方法，其中所述氮前体选自于由吡啶、脂族胺类、胺类、腈类及氨所构成的群组中，以及其中所述碳前体选自于由丙烯、乙炔、乙烯、甲烷、己烷、异戊二烯及丁二烯所构成的群组中。8.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·K·库尔施拉希萨，段子青，A·A·哈贾，Z·J·叶，A·K·班塞尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US