本发明一般地阐述对用于蚀刻或其他等离子体处理腔室中的环组件的侵蚀进行检测的方法和设备。在一个实施方式中，一种方法通过以下步骤开始：在等离子体处理腔室中利用等离子体进行处理之前获得指示设置在等离子体处理腔室中的基板支撑件上的环组件的磨损的...

一种用于处理包含注入器单元插入件的基板的设备与方法，该注入器单元插入件带有多个通向第一气室的流动路径，所述流动路径的每者提供基本上相同的停留时间、长度和/或传导性中的一者或多者。包含注入器单元插入件的注入器单元已增加流均匀性。

提供了一种密封多孔低k介电膜的方法。该方法包含以下步骤：将基板暴露于UV辐射和第一反应气体，其中基板具有限定在基板中的开口特征，开口特征由多孔低k介电层和导电材料所界定，其中多孔低k介电层是含硅和碳材料且使用UV辅助光化学气相沉积而在多...

用于处理基板的装置及方法包括注射器单元，该注射器单元包括沿该注射器单元的长度延伸的前反应气体端口、沿该注射器单元的该长度延伸的后反应气体端口以及在该前反应气体端口及该后反应气体端口周围形成边界且封闭该前反应气体端口及该后反应气体端口的合...

描述了一种用于在基板上形成具有磁特性图案的磁性层的方法和装置。所述方法包括使用金属氮化物硬模层来通过等离子体暴露图案化所述磁性层。所述金属氮化物层是使用纳米压印图案化工艺用氧化硅图案负性材料来图案化的。使用含卤素和氧的远程等离子体来使图...

提供用于定位和/或旋转非固体接触的基板(诸如使晶片浮动于气体薄层上)的装置和方法。由于与处理腔室的各部件无固体接触，因此使用晶片上的各特征结构来确定晶片位置和旋转速度。闭环控制系统设置有电容式传感器，以监测晶片边缘在水平平面中的位置。控...

本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点...

一种制造薄膜电化学装置的方法可包括以下步骤：在基板上沉积膜堆叠结构，所述膜堆叠结构包括阴极集电体(CCC)、阴极、电解质、阳极及阳极集电体(ACC)；对堆叠结构进行激光裸片图案化以形成已裸片图案化的堆叠结构；对已裸片图案化的堆叠结构进行...

描述了用于在批处理腔室中对准大型基座的设备及方法。还描述了用于控制基座相对于气体分配组件的平行的设备及方法。

本文的实施方式提供在多重图案化工艺中用于在间隔物层上进行具有良好轮廓控制的沉积和图案化工艺的设备和方法。在一个实施方式中，一种在多重图案化工艺期间沉积和图案化间隔物层的方法包括以下步骤：在设在基板上的图案化结构的外表面上保形地形成间隔物...

本公开内容的实施方式包括用于使沉积腔室中使用的阴影掩模电接地的方法和设备。在一个实施方式中，提供基板支撑件，并且基板支撑件包括：基板接收表面；以及多个可压缩的接地装置，所述多个可压缩的接地装置围绕基板接收表面的周边设置。多个接地装置中的...

本公开内容的实施方式提供了用于原位监控基板上的膜性质的方法和设备。在一个实施方式中，提供了一种沉积系统。所述沉积系统包括至少两个沉积腔室以及被特别设计以用于每一个沉积腔室的图案化掩膜，其中所述图案化掩膜的第一掩膜具有位于在第一掩膜上形成...

本公开内容的实施方式大体涉及用于热处理腔室中的支撑圆柱。在一个实施方式中，支撑圆柱包括具有内周表面和外周表面的环形主体，其中环形主体包括不透明石英玻璃材料且其中环形主体被光学透明层涂布。光学透明层具有与不透明石英玻璃材料实质匹配或相似的...

本发明关于一种用于等离子体处理腔室设备中的腔室部件、用于等离子体处理腔室中的设备以及用于制造腔室部件的方法。一种用于等离子体处理设备中的腔室部件包含：铝主体，所述铝主体具有安置于所述主体的经抛光的外表面上的经抛光的铝涂层，其中所述主体的...

本公开内容的实施方式一般地涉及隔板、包括上述隔板的诸如电池和电容器之类的高性能电化学装置，及制造所述隔板和电化学装置的方法。在一实施方式中，提供用于电池的隔板。隔板包括能传导离子的基板和能传导离子的至少一介电层。至少一介电层至少部分覆盖...

本文描述的实施方式大体涉及用于等离子体处理工艺腔室的方法和设备。基板可放置在工艺腔室中，所述基板具有形成于其上的栅极堆叠，且含氢等离子体可用于处理栅极堆叠，以消除栅极堆叠中的缺陷。由于含氢等离子体处理，栅极堆叠具有较低的泄漏和改良的可靠...

本文描述的实现方式提供一种基板支撑组件，该基板支撑组件实现等离子体腔室内的等离子体调谐。在一个实施例中，提供一种用于在腔室中调谐等离子体的方法。该方法包含以下步骤：向基板支撑组件中的第一电极提供第一射频功率及直流功率；向第二电极提供第二...

本发明提供一种用于在溅射沉积处理期间支撑至少一个基板的载具(100)。载具(100)包括载具主体(102)及在载具主体(102)处提供的绝缘部分。此绝缘部分提供电绝缘材料的表面(103)，其中表面(103)被构造为在溅射沉积处理期间面向...

描述一种用于测量蒸发材料的沉积速率的方法(100)。所述方法包括：以第一测量M1与第二测量M2之间的一时间间隔ΔT测量(110)沉积速率；以及根据所测量的沉积速率调整(120)时间间隔ΔT。此外，描述一种沉积速率控制系统(200)。所述...

本文提供了一种增材制造方法，所述增材制造方法包括通过在支撑件上沉积均匀的粉末层然后用表面具有空间上受控的静电荷的辊去除所述层的一部分，或通过将粉末沉积到辊的表面上并且使辊相对于支撑件移动以使辊表面上的空间上可控的静电荷导致粉末的相应部分...