晶片边缘的测量和控制制造技术

提供用于定位和/或旋转非固体接触的基板(诸如使晶片浮动于气体薄层上)的装置和方法。由于与处理腔室的各部件无固体接触，因此使用晶片上的各特征结构来确定晶片位置和旋转速度。闭环控制系统设置有电容式传感器，以监测晶片边缘在水平平面中的位置。控制系统也可以于晶片旋转时监测晶片特征结构的位置，诸如监测晶片边缘中的凹口。因为凹口的存在可能中断面向晶片边缘的传感器，因此还提供用以减少或消除这种中断的方法和装置。

The measurement and control of the edge of the chip

A device and method for locating and / or rotating a substrate of non solid contact, such as making a wafer floating on a gas thin layer, is provided. Since there is no solid contact with the components dealing with the chamber, each characteristic structure on the chip is used to determine the position and rotation speed of the wafer. The closed loop control system is equipped with a capacitive sensor to monitor the position of the chip edge in the horizontal plane. The control system can also monitor the location of the characteristic structure of the wafer when the chip is rotated, such as monitoring the notch in the edge of the wafer. Because the existence of the concave mouth may interrupt the sensor on the edge of the chip, the methods and devices used to reduce or eliminate such interruptions are also provided.

【技术实现步骤摘要】
晶片边缘的测量和控制本申请是申请日为2013年4月3日申请的申请号为201380011065.X，并且专利技术名称为“晶片边缘的测量和控制”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的各方面大体涉及在半导体装置制造期间于处理腔室中定位和/或旋转基板的方法和装置。
技术介绍
集成电路是可在单一芯片上包括数百万个晶体管、电容器和电阻的复杂装置。芯片设计不断地需要更快的电路和更高的电路密度，因此要求越来越精准的制造工艺。在一些制造工艺(诸如离子注入法)中，在基板上的膜层产生高度的内部应力。为了释放所述应力并控制膜性质和均匀性，使膜经受诸如退火之类的热处理。快速热处理(RTP)腔室使基板经受高度控制的热循环，诸如在小于10秒内加热基板至超过1000℃。RTP释放膜层中的应力并且也可以用于调整膜性质，诸如改变膜的密度或电气特征。然而，RTP处理可遍及基板表面造成非均匀加热，特别是在基板与其他部件诸如基板支撑件或支撑环接触处。例如，在许多晶片(基板)处理系统中，晶片处理器可包括与晶片接触的组件。这在处理的晶片需要旋转的情况下是有利的，因为可利用在晶片处理器或旋转器中所设计的特征结构来控制位置和旋本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理基板的设备，所述设备包括：腔室主体，所述腔室主体界定内部容积；基板定位组件，所述基板定位组件设置在所述内部容积中，其中所述基板定位组件能够至少于水平平面内定位和旋转基板；第一电容式传感器，所述第一电容式传感器设置在所述内部容积中，其中所述第一电容式传感器被定位成面向所述基板的切线、位于与所述基板的圆周具有相同的尺寸的圆的第一位置处，以于第一边缘位置处检测所述基板的边缘位置；第二电容式传感器，所述第二电容式传感器设置在所述内部容积中，其中所述第二电容式传感器被定位成面向所述基板的切线、位于与所述基板的圆周具有相同的尺寸的圆的第二位置处，以于第二边缘位置处检测所述基板的边缘位置，其中所...

【技术特征摘要】
2012.04.25 US 61/637,9841.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：腔室主体，所述腔室主体界定内部容积；基板定位组件，所述基板定位组件设置在所述内部容积中，其中所述基板定位组件能够至少于水平平面内定位和旋转基板；第一电容式传感器，所述第一电容式传感器设置在所述内部容积中，其中所述第一电容式传感器被定位成面向所述基板的切线、位于与所述基板的圆周具有相同的尺寸的圆的第一位置处，以于第一边缘位置处检测所述基板的边缘位置；第二电容式传感器，所述第二电容式传感器设置在所述内部容积中，其中所述第二电容式传感器被定位成面向所述基板的切线、位于与所述基板的圆周具有相同的尺寸的圆的第二位置处，以于第二边缘位置处检测所述基板的边缘位置，其中所述第一电容式传感器和所述第二电容式传感器定位于绕着所述圆的圆周为小于180度的分离角度处；第三电容式传感器，所述第三电容式传感器设置在所述内部容积中...

【专利技术属性】
技术研发人员：布莱克·克尔米，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US