本申请公开了具有流通源的腔室。所描述的处理腔室可以包括腔室外壳，腔室外壳至少部分地限定半导体处理腔室的内部区域。腔室可以包括定位在腔室外壳内的喷头，并且喷头可至少部分地将内部区域划分为远程区域和处理区域，在处理区域能包含基板。腔室也可包...

本实用新型涉及多组分涂层和具有多组分涂层的半导体工艺腔室部件。一种用于半导体工艺腔室部件的表面的多组分涂层组成物包括使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工艺腔室部件的该表面上的氧化钇或氟化钇的至少一个第一膜层以及使用原子层沉积工艺涂布到该半...

本公开内容提供形成于基板上的膜堆叠结构和在基板上形成膜堆叠结构的方法。在一个实施方式中，在基板上形成膜堆叠结构的方法包括：于形成在基板上的氧化物层上沉积第一粘合层和在第一粘合层上沉积金属层，其中第一粘合层和金属层形成应力中和结构。

一种用于固持基板的方法和支撑件，其中支撑件包括在运输系统中，运输系统被构造以运输基板。所述方法包括将粘合剂附接至支撑件并且将所述粘合剂附接至基板，其中粘合剂的材料是合成刚毛材料，并且其中粘合剂被构造以将基板附接至支撑件。另外，基板的厚度...

本公开内容涉及一种用于处理基板的设备及一种用于热处理基板的设备。本公开内容的实现方式提供在热处理期间改善气体分布的设备和方法。本公开内容的一个实现方式提供一种用于处理基板的设备，该设备包含界定处理容积的腔室主体，安置在处理容积中的基板支...

本公开内容提供一种在基板上形成的互连及在基板上形成互连的方法。在一个实施方式中，在基板上形成互连的方法包括以下步骤：将阻挡层沉积在基板上，将过渡层沉积在阻挡层上，及将蚀刻停止层沉积在过渡层上，其中该过渡层与该阻挡层共有共同元素，且其中该...

本公开内容的实施方式涉及基板的热处理。更具体而言，在此所描述的实施方式涉及闪光尖峰退火处理及适合执行这种处理的设备。在一个实施方式中，热处理设备可包括灯辐射源、激光源及设置在灯辐射源与激光源之间的反射板。一或更多个孔可形成于反射板中，且...

描述用于减少图案化基板上的多孔膜经历的收缩的方法。该膜可以是含硅和氢的层，该含硅和氢的层进一步含有碳、氧及氮中的一者或两者。沉积之后，立刻通过同时暴露于相对小的分子前体(例如NH3或C2H2)和UV光源来处理该含硅和氢的层。该处理甚至可...

描述了一种溅射源(100)。所述溅射源包括：背衬支撑件(102)，所述背衬支撑件具有靶接收表面(112)和与所述靶接收表面相对的另一表面(110)；和至少一个磁体组件(115)，所述磁体组件邻近所述另一表面设置，其中所述背衬支撑件的所述...

本文中所公开的实施方式包括用于消除半导体工艺中所产生的化合物的等离子体源、消除系统和真空处理系统。在一个实施方式中，等离子体源包括介电管和围绕所述管的线圈天线。线圈天线包括多个匝，且至少一个匝被短接。选择性地短接线圈天线的一个或多个匝帮...

一种用于制品的表面的多层涂层包含扩散阻障层和抗侵蚀层。扩散阻障层可以是氮化物膜，包括、但不限于TiNx、TaNx、Zr3N4和TiZrxNy。抗侵蚀层可以是稀土氧化物膜，包括、但不限于YF3、Y2O3、Er2O3、Al2O3、ZrO2、...

一种线圈组件，包含两个或更多个线圈，两个或更多个线圈的每一个从第一末端径向向外缠绕到第二末端，两个或更多个线圈的第一末端接合在一起，并且两个或更多个线圈的第二末端以等间隔安置。也提供了包含线圈组件的蚀刻反应器和使用蚀刻反应器形成沟槽的方法。

一种增材制造系统包括：工作台；分配器设备，经构造以将粉末层输送至所述工作台或先前在所述工作台上分配的层上；电压源，耦接至所述工作台并且经构造以将电压施加至所述工作台，从而产生所述粉末到所述工作台的静电吸引，所述静电吸引足以压实所述粉末；...

一种用于表面改性的设备包括：支撑件，用以固持工件；等离子体源，用以在小于所述工件的局部区域中产生等离子体；和六轴机器人，用以操纵所述工件与所述等离子体源的相对定位。所述六轴机器人耦接至所述支撑件和所述等离子体源中的至少一个。

一种增材制造的方法包括：在工作台上方以层形式分配供给材料之前，使所述供给材料的温度升高至第一温度，所述第一温度高于室温且低于使所述供给材料变得发粘的第二温度；在所述工作台上方以层形式分配处于所述第一温度下的所述供给材料；在所述工作台上方...

一种用于增材制造的前驱物包括金属微粒状粉末，每个微粒具有金属核，所述金属核具有在10μm与150μm之间的平均直径，所述金属核具有第一熔化温度；并且所述金属核各自具有官能化的表面，所述官能化的表面包括金属材料，所述金属材料具有比所述第一...

一种传输线RF施加器装置和用于将RF功率耦接至等离子体腔室中的等离子体的方法。装置包括内导体和一个或两个外导体。所述一个或两个外导体的每个外导体的主要部分包括多个孔，所述多个孔在外导体的内表面和外表面之间延伸。

本发明揭示切割具有数个IC的基板的方法。方法包括以下步骤：在半导体基板之上形成掩模，掩模包含水溶性材料层。利用飞秒(femtosecond)激光划线工艺来图案化掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。图案化步骤曝露基板介于IC之间的区域。随后...

描述了用于预先判定用于处理腔室的部件的系统。所述系统可以用于将颗粒从腔室部件清除并且同时量化清洁度。所述系统可以用于在将替换零件发送到用于安装的客户地点之前对替换零件进行判定。所述系统具有由不可渗透的阻挡层分开的三个相邻的隔室。所有三个...

提供一种处理腔室，包括侧壁、基板支撑件、以及设置于基板支撑件上方的排气口。在排气口与基板支撑件之间形成有处理区域，且排气口耦接到排气器件，排气器件经构造以在相对于处理区域的排气口处建立低压。处理腔室进一步包括气体环，气体环包括具有内表面...