一种增材制造系统包括：支撑件；分配器，用于将金属粉末层输送至所述支撑件上或所述支撑件上的下层上；能量源，用于熔融所述金属粉末层的至少一部分；和磁体，被定位并配置以在熔融所述层时将磁场施加至所述金属粉末层的所述部分。

本实用新型涉及具有不均匀的气体流间隙的基板支撑组件。本文所述实施方式一般涉及一种用于在等离子体处理腔室中使用以提供在基板支撑组件与等离子体处理腔室的侧壁之间流动的不均匀的气体流的基板支撑组件。在一个实施方式中，基板支撑组件包括基板支撑组...

本文所述的实施例通常涉及用于半导体处理腔室中的具有减少的锌含量的铝合金喷头。喷头可被用于适用于制造低温多晶硅液晶显示器或LTPS有机发光二极管显示器的处理腔室中，所述显示器可通过薄膜晶体管控制。更具体地说，本文所述的实施例涉及锌减少的喷头。

一种处理腔室具有顶部、底部、侧壁、基板支撑件、能量源及气体注射器衬垫，所述顶部、底部及侧壁耦接在一起以界定壳体，基板支撑件具有基板支撑表面，能量源耦接至顶部或底部，气体注射器衬垫设置在侧壁。气体注射器衬垫包括设置在第一高度的第一多个气体...

披露了一种接合基板的方法、使用此方法形成组件的方法，以及整修这些组件的改良方法，这些方法利用在用于结合两个基板的粘结剂中形成的至少一个沟道来改良组件的制造、性能和整修。在一个实施方式中，组件包括通过粘结层固定至第二基板的第一基板。所述组...

描述形成异质结应力源层的方法与设备。将锗前驱物与金属前驱物提供至腔室，并在基板上形成锗‑金属合金的外延层。金属前驱物通常是金属卤化物，可由升华固态金属卤化物或通过卤素气体接触纯金属来提供金属卤化物。可通过喷头或通过侧进入点来提供前驱物，...

本发明涉及包括双通道喷头的装置。本文所公开的实施方式总体包括一种用于电介质膜的基于自由基的沉积的装置。该装置包括：处理腔室；自由基源，所述自由基源被耦接到处理腔室；基板支撑件，所述基板支撑件设置在处理腔室中；以及双通道喷头，所述双通道喷...

本实用新型描述了图像投影装置和系统。更具体地，提供用于将图像投影到基板上的紧凑装置。在一个实施方式中，图像投影装置包括耦接到第一安装板的光导管，以及耦接到第二安装板的受抑棱镜组件、一个或多个数字微镜器件、一个或多个分束器和一个或多个投影...

本公开内容的实施方式提供盖组件，该盖组件包括盖件，该盖件具有多个通口，且每一通口具有低于1mm的直径，例如在约0.1mm至约0.9mm之间。盖件可设置于基板的设备侧表面与反射器板之间，皆设置于热处理腔室内。在热处理腔室内具有多个小通口的...

本公开的实施例涉及在形成于光刻胶或硬掩模中的特征上方沉积保形有机材料，以减少临界尺寸及线边缘粗糙度。在各种实施例中，超保形碳基材料沉积在形成于高分辨率光刻胶中的特征上方。形成于光刻胶上方的保形有机层由此缩减特征的临界尺寸及线边缘粗糙度。

本发明涉及用于在有机发光二极管(OLED)基板上形成封装层的方法。提供用于封装有机发光二极管(OLED)结构的方法及装置，上述有机发光二极管结构使用材料混合层布置于基板上。封装方法可以作为单一或多重腔室处理来实行。在材料混合层的沉积期间...

本文提供装置结构及用于制造装置结构的方法。本文描述的磁性随机存取存储器(MRAM)装置可包括膜堆叠，所述膜堆叠包括磁性隧道结层、介电覆盖层、蚀刻终止层、导电硬掩模层、介电硬掩模层、旋涂式碳层和抗反射涂层。所述膜堆叠可以被一种或更多种选择...

本说明书所述的实施例一般提供一种用于填充形成在基板上的特征的方法。在一个实施例中，提供了一种用于在基板上选择性地形成氧化硅层的方法。该方法包括将氧化硅层选择性地沉积于在基板表面上形成的图案化特征中，其中该图案化特征可包括沉积表面以及一或...

提供一种用于处理半导体基板的反射体。反射体包括环形主体，所述环形主体具有外边缘、内边缘与底侧。底侧包含多个第一表面与多个第二表面。每个第一表面与每个第二表面定位于环绕环形主体的不同角位置处。每个第一表面是曲面，所述曲面具有约1.50英吋...

本申请公开了包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统。本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。...

本发明的实施方式涉及一种拱形结构组件。该拱形结构组件包括上拱形结构与下拱形结构。该上拱形结构包括：中心窗；以及上周边凸缘，该上周边凸缘在该中心窗的圆周处接合于该中心窗，其中在该中心窗的内侧表面上的切线相对于该周边凸缘的平坦上表面成约8°...

在此所描述的实施方式一般涉及在热处理腔室内具有吸收性上表面的灯头组件。在一个实施方式中，处理腔室可包括：上部结构；下部结构；基座环，该基座环将该上部结构连接至该下部结构；基板支撑座，该基板支撑座设置于该上部结构与该下部结构之间；下部结构...

静电定位盘组件包括上定位盘板、下定位盘板和背板。上定位盘板包含AlN或Al2O3且具第一热膨胀系数。下定位盘板包含具第二热膨胀系数的材料，第二热膨胀系数大致匹配第一热膨胀系数，下定位盘板由第一金属结合剂结合至上定位盘板。背板包含AlN或...

本实用新型提供了用于在真空处理腔室中支撑基板的载体和用于在基板上沉积层的设备。所述载体(100)包括：载体主体(110)，所述载体主体被配置成用于沿所述线性传送路径(133)来进行传送；以及至少一个基板支撑布置(120)，所述至少一个基...

本公开内容涉及一种溅射靶和一种基板处理腔室。本文提供用于改进溅射、或物理气相沉积(PVD)的设备。在一些实施方式中，一种溅射靶包括：材料主体，具有背侧和相对的成型处理表面，其中所述成型处理表面包括内部环形凹部和外部环形凹部。