具有反射体的处理腔室制造技术

提供一种用于处理半导体基板的反射体。反射体包括环形主体，所述环形主体具有外边缘、内边缘与底侧。底侧包含多个第一表面与多个第二表面。每个第一表面与每个第二表面定位于环绕环形主体的不同角位置处。每个第一表面是曲面，所述曲面具有约1.50英吋至约2.20英吋的曲率半径。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有反射体的处理腔室
本人所述实施方式一般涉及一种半导体处理腔室。更具体言之，本公开内容的实施方式涉及具有一个或多个反射体的半导体处理腔室。
技术介绍
在集成电路的制造中，沉积工艺用于将各种材料的膜沉积在半导体基板上。这些沉积工艺可发生在封闭的处理腔室中。外延(epitaxy)工艺是在基板表面上生长薄的、超纯层(通常是硅或锗)的沉积工艺。在基板上形成具有跨越基板表面的均匀厚度的外延层可能是有挑战性的。例如，因为不明原因，而常在外延层的一些部分有厚度凹陷或隆起。这些厚度变化降低了外延层的品质，且可能提高生产成本。因此，对于为了产生跨越基板表面具有均匀厚度的外延层的一种改进的处理腔室是有所需求的。
技术实现思路
本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理腔室中的反射体。在一个实施方式中，提供了一种用于处理半导体基板的反射体。反射体包括环形主体，所述环形主体具有外边缘、内边缘与底侧。所述底侧包含多个第一表面与多个第二表面。每个第一表面与每个第二表面定位于环绕环形主体的不同角位置处。每个第一表面是曲面，所述曲面具有约1.50英吋至约2.20英吋的曲率半径。在另一个实施方式中，提供了一种用于处理半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理半导体基板的反射体，所述反射体包括：环形主体，所述环形主体具有外边缘、内边缘与底侧，所述底侧包含多个第一表面与多个第二表面，其中每个第一表面与每个第二表面定位于环绕所述环形主体的不同角位置处；及每个第一表面是曲面，所述曲面具有约1.50英吋至约2.20英吋的曲率半径。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.29 US 62/168,6701.一种用于处理半导体基板的反射体，所述反射体包括：环形主体，所述环形主体具有外边缘、内边缘与底侧，所述底侧包含多个第一表面与多个第二表面，其中每个第一表面与每个第二表面定位于环绕所述环形主体的不同角位置处；及每个第一表面是曲面，所述曲面具有约1.50英吋至约2.20英吋的曲率半径。2.根据权利要求1所述的反射体，其中所述曲率半径为约2.02英吋至约2.10英吋。3.根据权利要求1所述的反射体，其中所述底侧包括20个所述第一表面与12个所述第二表面。4.根据权利要求1所述的反射体，其中所述第一反射表面由金形成。5.根据权利要求1所述的反射体，其中每个第一表面具有圆柱形，所述圆柱形在从所述反射体的所述外边缘朝向所述内边缘的方向上延伸。6.根据权利要求1所述的反射体，其中所述多个第一表面与所述多个第二表面以圆形阵列的方式设置，其中每个第二表面以圆形阵列的方式设置，并且与两个第一表面相邻设置且设置于两个第一表面之间。7.根据权利要求6所述的反射体，其中所述多个第一表面包括四对第一表面，且第一表面中的每对第一表面由共用一条边缘的两个第一表面组成。8.根据权利要求7所述的反射体，其中所述圆形阵列包括邻近于连续对第一表面且在连续对第一表面之间的至少一个第二表面。9.一种用于处理半导体基板的反射体，所述反射体包括：环形主体，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘树坤，苏拉吉特·库马尔，卡尔蒂克·萨哈，穆罕默德·图格鲁利·萨米尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US