吸收性灯头面制造技术

在此所描述的实施方式一般涉及在热处理腔室内具有吸收性上表面的灯头组件。在一个实施方式中，处理腔室可包括：上部结构；下部结构；基座环，该基座环将该上部结构连接至该下部结构；基板支撑座，该基板支撑座设置于该上部结构与该下部结构之间；下部结构设置于基板支撑座下方；灯头定位成邻近于下部结构且一个或更多个固定电灯位置形成于该灯头内，灯头包含邻近于该下部结构的第一表面以及正对该第一表面的第二表面，其中该第一表面包含吸收性涂层；以及一个或更多个电灯组件，每一个电灯组件包含辐射产生源且定位成与一个或更多个固定电灯位置相连接。

【技术实现步骤摘要】
吸收性灯头面本申请是申请号为201480023727.X的专利技术专利申请的分案申请。专利技术背景专利
在此所述的实施方式一般而言涉及使用于热处理腔室中的灯头。相关技术的描述快速热处理(RTP)与外延沉积(epi)系统使用于半导体芯片制造以在半导体晶片上产生化学改变或蚀刻表面结构。RTP与epi系统传统上取决于一阵列的高强度白炽电灯，该阵列的高强度白炽灯尺寸符合进入灯头且被导向于基板或晶片上。电灯被提供电功率且可被非常快速地关闭与启动，且电灯的辐射的一大部分可被导向至基板。因此，晶片可被非常快速地加热而没有实质上加热腔室且一旦将功率从电灯移除，晶片可以几近相同的速度快速地被冷却。一些红外光电灯位于灯头内。在处理期间，来自电灯的辐射在处理腔室内辐射通过上部窗、光通道以及下部窗而落在旋转中的半导体基板上。以此方式，晶片被加热至所需处理温度。灯头可包含一些光管以将来自钨卤素电灯的辐射传送至处理腔室。电灯被分割成多区域，分割成多区域的电灯以辐射对称方式配置。每一个区域由电灯驱动器独立供电，电灯驱动器继而由多输入、多输出控制器所控制。电灯通过大量布线套管和重型电布缆而连接到电灯驱动器。即便反射表面用于将热能维持与集中在基板上是一常态，过多的反射表面将导致缓慢的腔室冷却。较缓慢的腔室冷却会造成较长的步阶改变时间以及较少的产量数目。因此，所述
会需要更好的热处理后的冷却控制。专利技术概述在此所描述的实施方式一般而言涉及使用于热处理腔室的灯头。在一个实施方式中，处理腔室可包括：上部结构；下部结构；基座环，该基座环将该上部结构连接至该下部结构；基板支撑座，该基板支撑座设置于该上部结构与该下部结构之间；下部结构设置于基板支撑座下方；灯头定位成邻近于下部结构且一个或更多个固定电灯位置形成于该灯头内，灯头包含邻近于该下部结构的第一表面以及正对该第一表面的第二表面，其中该第一表面包含吸收性涂层；以及一个或更多个电灯组件，每一个电灯组件包含辐射产生源且定位成与一个或更多个固定电灯位置相连接。在另一个实施方式中，用于加热基板的处理腔室可包括：处理腔室；基板支撑座，该基板支撑座设置于处理腔室内而用于支撑基板；下部结构设置于基板支撑座下方；灯头定位成邻近于下部结构且一个或更多个固定电灯位置形成于该灯头内，灯头包含邻近于该下部结构的第一表面以及正对该第一表面的第二表面，其中该第一表面包含吸收性涂层且电灯组件包含辐射产生源。附图简要说明为了详细地理解本案内容的上述特征，通过参考本案内容的实施方式(其中一些图示在附图中)，可以得到上文所简要概括的内容的更为具体的描述。然而，应注意的是附图仅图示本专利技术的典型实施方式且因此不应被视为对本专利技术范围的限制，因为本专利技术可承认其他同等有效性的实施方式。图1绘示了根据本专利技术一个实施方式的背侧加热处理腔室的示意性截面视图；和图2A与图2B是根据本专利技术一个实施方式的灯头的示意性绘示图。为使更容易了解本专利技术，在可能的情况下，相同的元件符号会指定在不同附图中共享的相同元件。需了解的是，一实施方式中揭示的元件可有益地合并于其他实施方式中而无须进一步叙述。具体描述在此所公开的实施方式一般而言涉及半导体处理且更精确而言涉及在epi腔室或RTP腔室内所使用的辐射吸收性灯头面。之前的灯头使用反射表面以将辐射反射回腔室。这些反射表面导致难以冷却，因为在冷却期间所释放的辐射会被反射回腔室。通过使灯头的反射表面能吸收辐射，在冷却期间所传送的辐射可被灯头所吸收且因此更有效率地从处理腔室转移。在此所公开的本专利技术的实施方式会参照下述附图而更清楚地描述。图1绘示了根据一个实施方式的背侧加热处理腔室100的示意性截面视图。处理腔室100可被使用以处理一个或更多个基板，包含在基板108的第一表面上沉积材料。处理腔室100通常包含用于加热的(在其他部件当中的)一阵列的电灯组件102、设置于处理腔室100内的基板支撑座106的背侧104。基板支撑座106可为盘状基板支撑座106(如所示)，或可为将基板从基板边缘支撑起的环状基板支撑座(未示)，或可为由最小接触的柱或针而将基板从底部支撑起的针型支撑座。基板支撑座106位于处理腔室100内而介于上部结构128与下部结构114之间。上部结构128与下部结构114(伴随着设置于上部结构128与下部结构114之间的基座环136)通常界定出处理腔室100的内部区域。上部结构128、下部结构114，或上述两者皆可依使用者需求而为圆顶形、扁平状、斜角状或其他三维的形状。在一个实施方式中，上部结构128与下部结构114两者皆为圆顶形。基板108(未按比例)可被置入处理腔室100且通过负载端口(未示)而定位于基板支撑座106上，该负载端口被基板支撑座106所隐藏。基座环136一般而言包含负载端口、处理气体进气口174，以及气体出气口178。基座环136可具有一般的长方形，该长方形的长边在负载端口上且该长方形的多个短边分别在处理器进气口174与气体出气口178上。基座环136可具有任何所期望的形状，只要负载端口、处理气体进气口174，以及气体出气口178相对于彼此与负载端口在角度上偏移约90度。举例而言，负载端口可位于介于处理气体进气口174与气体出气口178之间的一侧，且处理气体进气口174与气体出气口178设置于基座环136的对端。在不同的实施方式中，负载端口103、处理气体进气口174以及气体出气口178彼此准直且设置于实质上相同的水平位置。处理气体进气口174与气体出气口178的配置使同心处理配件大大地增强环形遮蔽遏制光泄漏的能力成为可能，而使得允许低于500摄氏度的测温更准确。基座环136可包含设置成邻近于用于冷却基座环136的O-环182、184的一个或更多个冷却剂流通道。基座环136也可被不透明的具有必要切口(未示)的石英的衬垫所遮蔽。所示的基板支撑座106处于架高的处理位置，却可被致动器垂直地移动至处理位置下方的负载位置以允许升举销105接触下部结构114而穿过基板支撑座106与中心轴132内的孔洞，且将基板108从基板支撑座106抬升。机器人(未示)可接着进入处理腔室100以通过负载端口将基板108安装至处理腔室100以及从处理腔室100移除。基板支撑座106接着可被致动向上至处理位置以将基板108(同时它的组件侧116面朝上)置放于基板支撑座106的前侧110上。基板支撑座106(虽然位于处理位置)将处理腔室100的内部空间分割成基板上方的处理气体区域156以及基板支撑座106下方的净化气体区域158。基板支撑座106在处理期间通过中心轴132而旋转以极小化热流与处理气体流在处理腔室100内的空间上异常的影响，且因此促进基板108的均匀处理。基板支撑座106受中心轴132所支撑，在负载与卸除期间，且在一些实施方式中，在基板108的处理期间，中心轴132以往上以及往下的方向134移动基板108。基板支撑座106可由碳化硅或以碳化硅涂覆的石墨所形成以从电灯102吸收辐射能量且将辐射能量传导至基板108。一般而言，上部结构128的中心窗部分以及下部结构114的底部由光学性透明材料所形成，例如石英。上部结构128的曲率的厚度与曲度可配置成在处理腔室内提供为了均匀的流体均匀性的平坦的几何形状。一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种照明组件，包括：辐射源结构，所述辐射源结构包括第一表面，所述第一表面具有吸收性涂层；以及一个或更多个辐射源位置，所述一个或更多个辐射源位置形成在所述辐射源结构中，其中所述一个或更多个辐射源位置自内径延伸向外径时增加深度。

【技术特征摘要】
2013.04.26 US 61/876,4441.一种照明组件，包括：辐射源结构，所述辐射源结构包括第一表面，所述第一表面具有吸收性涂层；以及一个或更多个辐射源位置，所述一个或更多个辐射源位置形成在所述辐射源结构中，其中所述一个或更多个辐射源位置自内径延伸向外径时增加深度。2.如权利要求1所述的照明组件，其中所述吸收性涂层为炭黑颜料。3.如权利要求1所述的照明组件，其中所述辐射源结构为锥形。4.如权利要求1所述的照明组件，其中所述辐射源结构受水冷却。5.如权利要求1所述的照明组件，其中所述吸收性涂层在所述内径附近较厚并且随后朝向所述外径变薄。6.一种照明组件，包括：锥形辐射源结构，所述辐射源结构包括第一表面，所述第一表面具有吸收性涂层；一个或更多个辐射源位置，所述一个或更多个辐射源位置形成在所述辐射源结构中，其中所述一个或更多个辐射源位置自内径延伸向外径时增加深度；以及一个或更多个通道，所述一个或更多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：保罗·布里尔哈特，约瑟夫·M·拉内什，萨瑟施·库珀奥，巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷，朱作明，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US