本公开内容的实施方式大致关于一种用于在热处理腔室中使用的反射体。在一个实施方式中，所述热处理腔室大致包含上圆顶；下圆顶，所述下圆顶与上圆顶相对，上圆顶及下圆顶界定处理腔室的内部空间；基板支撑件，所述基板支撑件设置在内部空间内；以及反射体...

本发明涉及一种制品及用于制造腔室的腔室组件。一种制品包括涂覆有陶瓷涂层的主体。该陶瓷涂层可以包括：在约45摩尔％到约99摩尔％之间的范围内的Y2O3、在约0摩尔％到约55摩尔％之间的范围内的ZrO2、以及在约0摩尔％到约10摩尔％之间的...

本公开内容的实现方式一般地涉及外延膜上的硅材料的外延生长的方法。在一个实现方式中，该方法包括于半导体鳍片(fin)之上形成外延膜，其中外延膜包括具有第一刻面与第二刻面的顶表面，以及通过在约375℃至约450℃的温度与约5Torr至约20...

本文所述实施方式大体关于用于封装OLED结构的方法和设备，更特别关于用于OLED结构的TFE结构。TFE结构包括至少一介电层和至少二阻障层，TFE结构形成在OLED结构上面。至少一介电层由原子层沉积(ALD)沉积。具有利用ALD形成在T...

本公开内容的实现方式总体涉及用于在高深宽比特征限定中形成薄膜的方法。在一个实现方式中，提供一种在工艺腔室中处理基板的方法。所述方法包括：使包含配位体的含硼前驱物流入工艺腔室的内部处理容积中；使包含配位体的含氮前驱物流入内部处理容积中；以...

本公开总体上关于用于在多个工艺腔室之间传送半导体基板的半导体工艺装备。更具体而言，本文中所述的实施例关于使用输送装置以在多个工艺腔室之间传送或交换半导体基板的系统与方法，所述输送装置采用至少两个叶片以用于在多个处理腔室之间同时传送基板。

本发明提供用于校正基板变形之方法和设备的实施例。在一些实施例中，基板平坦化系统包括：第一工艺腔室，所述第一工艺腔室具有第一基板支撑件和第一喷头，其中所述第一基板支撑件不包括夹持机构；第一加热器，所述第一加热器设置在所述第一基板支撑件中以...

提供一种包括下盘形扩散器的负载锁定设备。负载锁定设备包括负载锁定主体，负载锁定主体含有下负载锁定腔室和上负载锁定腔室，下冷却板在下负载锁定腔室中，且上冷却板在上负载锁定腔室中。下盘形扩散器可置中地位于下冷却板的上方。上盘形扩散器可置中地...

描述了一种缓冲腔室，所述缓冲腔室包括机械臂、转盘和至少一个加热模块，用于与批量处理腔室一起使用。描述了用于将晶片快速并且可重复地送入和送出缓冲腔室的机械臂配置，以及合并由所述缓冲腔室和机械臂的群集工具。

工件保持器包括定位盘，该定位盘具有圆柱轴、该圆柱轴周围的半径及厚度。该定位盘的至少顶面是实质平面的，且该定位盘限定一或更多个断热器。各断热器为径向凹口，该径向凹口与该圆柱形定位盘的该顶面及底面中的至少一者相交。该径向凹口具有断热器深度及...

本公开内容的实施方式一般涉及可扩展的基板检查系统。所述检查系统包括适于检查、检测或者测量基板的一种或多种特征(包括厚度、电阻率、锯痕、几何形状、污点、碎片、微裂纹以及晶体片段)的多个计量单元。检查系统可用于在处理基板之前辨识基板上的缺陷...

本文中提供选择性沉积金属硅化物层的方法。在一些实施方式中，一种方法包括：(a)使基板暴露于前驱物气体，该前驱物气体包含金属卤化物，该基板具有第一层，该第一层包含第一表面和形成在该第一表面中的特征，该特征包含开口，该开口由一个或更多个侧壁...

相对于第二基板表面选择性地沉积膜到第一基板表面上的方法。方法包括使用甲硅烷基胺浸泡包含羟基终端的基板表面以形成甲硅烷基醚终端以及沉积膜到该甲硅烷基醚终端表面以外的表面上。

一种用于处理工件的等离子体反应器具有微波源与用户接口，微波源具有使用直接数字上转换的数字同步的旋转频率，用户接口用于控制该旋转频率。

晶片夹具组件包括圆盘、杆、及基座。该圆盘包括电气绝缘材料，该电气绝缘材料界定该圆盘的顶表面，多个电极嵌入在该电气绝缘材料内。该圆盘也包括内圆盘元件，该内圆盘元件形成热交换流体的一个或多个通道，且与该电气绝缘材料热连通，且导电板材被设置与...

本文提供用于处理基板的方法与设备。一些实施方式中，基板处理腔室包含：腔室主体；腔室盖组件，所述腔室盖组件具有外壳(housing)，所述外壳包围中央通道，所述中央通道沿着中央轴延伸并具有上部与下部；盖板，所述盖板耦接于所述外壳并具有含轮...

本公开内容描述了一种制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和其设备。所述方法包括通过使用第一处理参数集合从含氧化铟的靶溅射第一层而将层堆叠沉积(101)至基板上；使用与第一处理参数集合不同的第二处理参数集合从含氧化铟的靶将第二层溅...

本发明涉及针对防止静电夹盘的黏接粘合剂侵蚀的方法及设备。本发明的实施例提供具有保护性元件的腔室部件，该保护性元件用于遮蔽黏接材料隔绝处理环境中的处理环境。该保护性元件可包括保护性密封物、保护性结构、抗侵蚀填料，或前述元件的组合。本发明的...

本发明涉及基板支撑组件及导热基底。基板支撑组件包括陶瓷定位盘与导热基底，该导热基底具有与陶瓷定位盘的下表面接合的上表面。该导热基底包括多个热区与多个热隔离器，该多个热隔离器从导热基底的上表面朝向导热基底的下表面延伸，其中该多个热隔离器中...

本文介绍在构建由作为顶面的顶板、作为底面的基板安装部分，及作为侧面的侧壁界定及形成的反应腔室时，支撑件在顶板的圆周边缘自圆周边缘的上侧及外侧支撑顶板，并且反应气体在设置于侧壁中的反应气体供应路径中经整流，使得反应腔室中处于反应气体流动方...