用于晶片处理系统的热管理系统及方法技术方案

工件保持器包括定位盘，该定位盘具有圆柱轴、该圆柱轴周围的半径及厚度。该定位盘的至少顶面是实质平面的，且该定位盘限定一或更多个断热器。各断热器为径向凹口，该径向凹口与该圆柱形定位盘的该顶面及底面中的至少一者相交。该径向凹口具有断热器深度及断热器半径，该断热器深度延伸穿过该定位盘厚度的至少一半，该断热器半径为该定位盘半径的至少一半。一种处理晶片的方法，包括以下步骤：以第一处理处理该晶片，该第一处理提供第一中心至边缘处理变化，且随后，以第二处理处理该晶片，该第二处理提供实质补偿该第一中心至边缘处理的第二中心至边缘处理变化。

Heat management system and method for chip processing system

The workpiece holder consists of a positioning disc, which has a cylindrical shaft, a radius and a thickness around the cylindrical shaft. At least the top surface of the positioning disc is in the solid plane, and the positioning disc defines one or more heat breakers. Each heat exchanger is a radial concave mouth, which intersects at least one of the top surface and bottom of the cylindrical positioning disc. The radial notch has the depth of the heat receiver and the radius of the heat interruption. The depth of the heat exchanger extends through at least half of the thickness of the positioning disk, and the radius of the heat interruption is at least half of the radius of the positioning disk. A method for processing a wafer, which comprises the following steps: first processing the wafer, the first processing center to provide the first edge processing changes, and then to second processing of the wafer, the second second center to edge processing changes provide substantial compensation of the first center to edge processing.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于晶片处理系统的热管理系统及方法
本公开广泛地应用于处理设备的领域。更具体而言，公开了用于提供工件的空间上量身定制的处理的系统及方法。
技术介绍
集成电路及其他半导体产品通常在称为“晶片”的基板的表面上制造。有时候，处理执行于保持于载具中的晶片的群组上，而在其他时候，处理及测试一次执行于一个晶片上。在执行单一的晶片处理或测试时，晶片可定位于晶片卡盘上。亦可在类似的卡盘上处理其他工件。卡盘可以是温度受控的，以针对处理控制工件的温度。
技术实现思路
在实施例中，工件保持器定位工件以供处理。该工件保持器包括实质圆柱形定位盘，该定位盘的特征为圆柱轴、该圆柱轴周围的定位盘半径及定位盘厚度。该定位盘半径为该定位盘厚度的至少四倍，该圆柱形定位盘的至少顶面是实质平面的，且该圆柱形定位盘限定一或更多个径向断热器。各断热器被特征化为径向凹口，该径向凹口与该圆柱形定位盘的该顶面及底面中的至少一者相交。该径向凹口的特征为断热器深度及断热器半径，该断热器深度从该定位盘的该顶面或该底面延伸穿过该定位盘厚度的至少一半，该断热器半径对称安置于该圆柱轴周围，且为该定位盘半径的至少一半。在实施例中，一种处理晶片的方法包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种工件保持器，定位工件以供处理，所述工件保持器包括：实质圆柱形定位盘，特征为圆柱轴、所述圆柱轴周围的定位盘半径及定位盘厚度，其中所述定位盘半径为所述定位盘厚度的至少四倍，其中所述圆柱形定位盘的至少顶面是实质平面的，及其中所述圆柱形定位盘限定一或更多个径向断热器，各断热器被特征化为径向凹口，所述径向凹口与所述圆柱形定位盘的所述顶面及底面中的至少一者相交，其中所述径向凹口的特征为：断热器深度，从所述定位盘的所述顶面或所述底面延伸穿过所述定位盘厚度的至少一半，及断热器半径，对称安置于所述圆柱轴的周围，且为所述定位盘半径的至少一半。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.06 US 14/820,422;2015.08.06 US 14/820,3651.一种工件保持器，定位工件以供处理，所述工件保持器包括：实质圆柱形定位盘，特征为圆柱轴、所述圆柱轴周围的定位盘半径及定位盘厚度，其中所述定位盘半径为所述定位盘厚度的至少四倍，其中所述圆柱形定位盘的至少顶面是实质平面的，及其中所述圆柱形定位盘限定一或更多个径向断热器，各断热器被特征化为径向凹口，所述径向凹口与所述圆柱形定位盘的所述顶面及底面中的至少一者相交，其中所述径向凹口的特征为：断热器深度，从所述定位盘的所述顶面或所述底面延伸穿过所述定位盘厚度的至少一半，及断热器半径，对称安置于所述圆柱轴的周围，且为所述定位盘半径的至少一半。2.如权利要求1所述的工件保持器，其中所述径向凹口与所述顶面相交，所述工件保持器进一步包括至少三个升降构件，所述至少三个升降构件在延伸状态下延伸于所述顶面上方，以从所述顶面抬升所述工件，且所述至少三个升降构件于回缩状态下回缩进所述径向凹口中，以将所述工件下降至所述顶面上。3.如权利要求1所的工件保持器，进一步包括：第一加热装置，安置于所述定位盘的所述底面附近，且从所述一或更多个断热器相对于所述圆柱轴径向向内布置，所述第一加热装置在所述断热器半径内与所述定位盘的所述底面热接触，及第二加热装置，安置于所述定位盘的所述底面附近，且从所述一或更多个断热器相对于所述圆柱轴径向向外布置，所述第二加热装置在所述断热器半径外面与所述定位盘的所述底面热接触。4.如权利要求3所述的工件保持器，其中：所述第一及第二加热装置中的至少一者包括加热器构件迹线，所述加热器构件迹线安置于多个电绝缘层内；所述加热器构件迹线包括电阻材料；及所述电绝缘层中的至少一者包括聚酰亚胺。5.如权利要求4所述的工件保持器，其中所述加热器构件迹线及所述电绝缘层安置于多个金属层内。6.如权利要求3所述的工件保持器，进一步包括：散热器，实质跨所述圆柱形定位盘的所述底面延伸，所述第一及第二加热装置安置于所述散热器及所述圆柱形定位盘的所述底面之间，所述散热器包括金属板，所述金属板限定一或更多个流体通道。7.一种处理晶片的方法，包括以下步骤：以第一处理处理所述晶片，所述第一处理提供第一中心至边缘处理变化；且随后，以第二处理处理所述晶片，所述第二处理提供第二中心至边缘处理变化；其中所述第二中心至边缘处理变化实质补偿所述第一中心至边缘处理变化。8.如权利要求7所述的处理晶片的方法，其中：以所述第一处理处理所述晶片的步骤包括以下步骤：在所述晶片上沉积材料层；所述第一中心至边缘变化为所述材料层的厚度上的厚度变化；以所述第二处理处理所述晶片的步...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·本杰明森，D·卢博米尔斯基，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US