本申请公开了具有可拆卸式气体分配板的喷淋头的实施例。在一些实施例中，一种使用于基板处理腔室的喷淋头，可包括：主体，所述主体具有第一侧与相对的第二侧；气体分配板，所述气体分配板设置成邻近于所述主体的所述第二侧；以及夹具，所述夹具围绕所述气...

本发明的实施方式一般涉及具有用于将图案成像于基板上的光学元件的激光退火系统。光学元件可包含将图像整形以暴露于基板的表面上的多个孔或一个孔。该图像可由光学元件系统内的孔的形状加以确定。

描述一种基板边缘掩模系统。所述基板边缘掩模系统包括：基板固定元件，所述基板固定元件用于保持所述基板；掩模元件，所述掩模元件用于覆盖所述基板的边缘的至少一部分；以及基板接触元件，所述基板接触元件被连接至所述掩模元件并且用于接触所述基板。

本发明的实施方式大体涉及从基板表面移除污染物和原生氧化物的方法。方法一般包括利用等离子体工艺移除设置于基板表面上的污染物，并接着通过利用远程等离子体辅助干式蚀刻工艺清洁基板表面。

描述了一种用于基板的载具。载具包括基板固定组件，其中基板固定组件包含一或多个固定单元，各固定单元包括：边缘接触表面，配置用以接触基板的边缘并定义接触位置；第一固定元件，具有第一表面，所述第一表面配置用以接触基板的第一基板表面，其中所述第...

本公开内容的实施方式提供用于基板处理腔室的改良基座。在一个实施方式中，基座包括：外侧周边边缘，围绕凹处，其中凹处具有凹形表面，凹形表面从外侧周边边缘凹陷；及成角度的支撑表面，设置于外侧周边边缘和凹处之间，其中成角度的支撑表面相关于外侧周...

本发明的实施方式提供包含注射插件的衬垫组件。所述注射插件使得跨过正在被处理的基板的流动参数的可维持性变为可能，例如速度、密度、方向和空间位置。根据本发明的实施方式，跨过正在被处理的基板的处理气体可被特定地定制用于使用衬垫组件的个别处理。

本公开内容的实施方式包括用于降低处理腔室内的颗粒产生的方法和设备。在一个实施方式中，本发明提供一种用于基板处理腔室的盖体。盖体包括：盖构件，所述盖构件具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；通过所述盖构件的中央开口，其中所述中央开口的内...

本发明的实施方式提供用于在基板上沉积层的方法及设备。在一个实施方式中，该方法包括将设置在处理腔室内的基板的表面暴露于流体前驱物；把产生自辐射源的电磁辐射引导至光扫描单元，使得电磁辐射在基板的整个表面上被偏转及被扫描，材料层待形成于该基板...

本发明涉及一种用于托持、定位和/或移动物体的装置，所述装置包含以下：‑基座(30)和可相对于基座移动的支撑件(50)，‑至少一个磁性轴承(10、100)，用于在基座与支撑件之间产生承载力或托持力(Hv、Hh)，利用磁性轴承以非接触方式将...

本发明描述了一种用于真空处理系统(500)的负载锁定腔室(100)。负载锁定腔室包括负载锁定壁，负载锁定壁包围负载锁定腔室空间，其中负载锁定壁包括第一负载锁定壁(101)和第二负载锁定壁(102)，其中第二负载锁定壁(102)与第一负载...

本发明描述了制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和所述方法的设备。所述方法包括在处理气体氛围中从含氧化铟的靶溅射透明导电氧化物层。处理气体氛围(222)包含水蒸汽、H2，和惰性气体，其中水蒸汽的含量是从1％至10％，其中H2的含...

本文提供电感耦合式等离子体(ICP)反应器的实施例。在一些实施例中，用于电感耦合式等离子体反应器的电介质窗包括：主体，该主体包括第一侧、与第一侧相对的第二侧、边缘和中心，其中，该电介质窗具有在空间上变化的介电系数。在一些实施例中，用于处...

描述于此的实施方式提供一种基板处理设备，所述基板处理设备包括：真空腔室，所述真空腔室包括第一拱形结构和第二拱形结构；基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述真空腔室内部的所述第一拱形结构和所述第二拱形结构之间；准直能量源，所述准直能量源布置...

本文所述的实施方式大体上是关于处理腔室中的流量控制。所述处理腔室可包括流量控制排放器与宽注入器的组合。当多种处理气体进入和离开所述腔室时，所述流量控制排放器与所述宽注入器可提供所述多种气体的受控流量，以及控制已经存在于所述腔室中的所述多...

提供一种用于在基板上沉积材料的沉积设备(300)。沉积设备(300)包括：两个或更多的处理腔室，包括第一处理腔室(310)及第二处理腔室(320)；基板支撑件(330)，至少延伸通过第一处理腔室(310)及第二处理腔室(320)；及两个...

本实用新型公开了一种靶材布置和处理设备。描述了一种用于处理设备(105；107)的靶材布置(100；101；102；103；104；106)。所述靶材布置包括靶材支座(110)，所述靶材支座配置成用于支撑非平面靶材材料(120)，其中靶...

在多个工艺条件下用于在反应器腔室内晶片定位的校准的光学校准方法和设备采用在腔室的盖中的相机阵列，使用晶片边缘的多个图像，以相对于参考特征而定位晶片。

提供一种处理腔室，该处理腔室包括侧壁，具有外突出部分的基板支撑件及基板支撑件下方的气体入口。处理腔室进一步包括第一衬垫，第一衬垫绕基板支撑件的外突出部分的底表面设置。第一衬垫具有内表面，该内表面通过第一间隙而与基板支撑件的外突出部分分隔...

本文所描述的实施方式大体涉及一种用于热处理腔室中的灯头组件的改良的功率分配组件。在一个实施方式中，灯头组件包括用于半导体基板的热处理的多个灯和具有多个开口的功率分配组件，所述功率分配组件向多个灯提供功率且各个开口被调整尺寸以允许灯从中通过。