描述具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件。一种气体注入系统包括：(a)侧部气体气室；(b)耦接于所述侧部气体气室的多数N个气体入口；(c)从所述气室径向向内延伸的数个侧部气体出口；(d)N通道气体流率控制器，所述N通道气体流率控...

本发明的实施例大致上涉及用以测量及监控基板的温度的设备及方法，所述基板上具有三维(3D)特征结构。设备包含光源、聚焦透镜及发射率计，所述光源用以照射基板，所述基板上具有3D特征结构，所述聚焦透镜用以聚集且聚焦反射光，所述发射率计用以检测...

提供用于在脉冲激光熔化期间测量基板熔化深度的方法和设备。所述设备可包括热源、其中形成有开口的基板支撑件及干涉仪，所述干涉仪被安置成将相干辐射导向所述基板支撑件。所述方法可包括将具有第一表面的基板安置在热处理腔室内、使用热源加热所述第一表...

描述一种用于将待处理的基板(480)夹紧在基板载体(500)中的夹紧装置(100)、夹紧工具(200)和夹紧系统(300)。夹紧装置包括第一杆(110)和第二杆(120)，其中第一杆(110)可移动地支撑在第一接头(115)中，第二杆(...

一种电镀处理器包括电极板，该电极板具有在通道内形成的连续流动路径。流动路径可视情况为盘绕形流动路径。一或更多个电极定位于通道内。薄膜板附接于电极板，两者之间具有薄膜。电解液高速穿过流动路径，防止气泡粘住薄膜的底表面。流动路径内的任何气泡...

本文公开了用于半导体处理的处理腔室中的温度控制的方法及设备。在一个实施方式中，提供了用于半导体处理的处理腔室。所述处理腔室包含腔室主体及温度控制系统。所述温度控制系统包含温度传感器、送风机、及控制器，所述温度传感器经配置以测量处理腔室的...

本公开内容的多个方面涉及在图案化的基板上形成平面非晶碳层的方法。根据本文所概述的实施例形成的层可通过以下方式来提高制造良率：无论下层拓扑或化学计量变化如何都使非晶碳层的顶表面更平面。在实施例中，非晶碳层可包含碳和氢，可由碳和氢组成，或者...

本公开的多个方面涉及在图案化的基板上形成保形衬垫的方法，所述图案化的基板具有高的高宽纵横比的间隙。已发现根据本文所概述的实施例形成的层抑制跨保形衬垫的扩散和电泄漏。根据实施例，衬垫可包含氮并且被描述为氮化物层。在实施例中，保形衬垫可包含...

描述一种在电介质层中形成特征的方法。通孔、沟槽或双镶嵌结构可以在沉积共形氮化铝层前存在于电介质层中。共形氮化铝层被配置成用作阻挡层以便防止跨阻挡层的扩散。形成氮化铝层的方法包括交替地暴露于两个前驱物处理(如ALD)以便实现高共形度。氮化...

于此描述一种用于基板蚀刻的方法和设备。于此所述的处理腔室包括：源模块、处理模块、流动模块和排气模块。RF源可耦接至腔室，且远程等离子体可在源模块中产生且直接等离子体可在处理模块中产生。所描述的循环蚀刻处理可使用交替的自由基和直接等离子体...

本文中描述的实施方式一般涉及用于执行光刻工艺的设备和方法。更特定地，本文中描述的实施方式一般涉及用于在激光二极管上采用的光耦合固态继电器的数字控制的设备和方法。对光耦合固态继电器的数字控制可以允许光耦合固态继电器的打开和/或关闭，以及允...

减少具支柱的基板的线条弯曲与表面粗糙度的方法包括通过用自由基处理含支柱的基板来形成处理表面。自由基可以是硅基的、氮基的或氧基的。该方法可包括通过使有机硅前体和氧前体反应来在处理表面上面形成介电膜。该方法可包括在约150℃或以下的温度下，...

本文提供了使用自组装单层(self‑assembled monolayer；SAM)的选择性电介质沉积的方法。一种在具有暴露的硅表面和暴露的含硅表面的基板顶上选择性沉积低k电介质层的方法，包括：(a)在暴露的含硅表面顶上生长基于有机硅烷...

本公开内容的实现方式提供在热处理期间改善气体分布的设备和方法。本公开内容的一个实现方式提供一种用于处理基板的设备，该设备包含界定处理容积的腔室主体，安置在处理容积中的基板支撑件，其中所述基板支撑件具有基板支撑表面、耦接至腔室主体的入口的...

本公开内容的实现方式提供在热处理期间改善气体分布的设备和方法。本公开内容的一个实现方式提供一种用于处理基板的设备，该设备包含界定处理容积的腔室主体，安置在处理容积中的基板支撑件，其中所述基板支撑件具有基板支撑表面、耦接至腔室主体的入口的...

本文提供了一种具有陶瓷基板与陶瓷涂层的陶瓷物品，其中该陶瓷涂层具有初始孔隙度与初始裂缝量。该陶瓷物品以约每分钟0.1℃至约每分钟20℃的升降温速率被加热至介于约1000℃与约1800℃间的温度范围。以该温度范围内的一或多个温度热处理该陶...

本实用新型描述了缓冲腔室和晶片传送机器人。本公开描述了一种缓冲腔室，所述缓冲腔室包括机器人、转盘和至少一个加热模块，用于与批处理腔室一起使用。描述了用于将晶片快速并且可重复地送入和抽离所述缓冲腔室的机器人配置，以及并有所述缓冲腔室和机器...

本实用新型提供一种用于在基板处理腔室中支撑基板(200)的载体(100)。所述载体包括：框架(110)，所述框架被配置成用于接收基板(200)；以及基板固持组件(120)，所述基板固持组件被配置成用于竖直地将所述基板固持在所述框架(11...

本发明涉及用于提供均匀气流的设备与方法。提供了一种具有输送通道的气体分配设备，其中输送通道具有一入口端、一出口端与沿着长度而分隔开的多个孔隙。入口端系可连接至一惰性气体源，且出口端系可连接于一真空源。同时提供了一种具有螺旋输送通道、互相...

所描述为用于处理半导体晶圆的装置及方法，其中在晶圆表面及气体分配组件之间的空隙保持一致且具有已知的厚度。晶圆放置于基座组件内且该组件使用致动器被举起往气体分配组件。可通过产生晶圆下方及/或上方的流体轴承，以举起该晶圆往气体分配组件。