电镀装置具有一或更多个环状膜管，这一或更多个环状膜管充当电场屏蔽件，以在工件的周边处提供有利的镀覆特性。这些环状膜管可用具有不同的传导性的流体填充，以如期望地改变屏蔽效应而用于电镀不同类型的基板。可选地，这些环状膜管可提供于该装置的容器...

电处理设备具有包含密封件的接触环，所述密封件能够补偿由晶片或工件上的凹槽(或其他不规则体)所产生的电场畸变。改变凹槽处接触环的形状，以减小凹槽处的电流拥挤。形状上的变化改变了窃流电极与晶片边缘之间的电流通路的阻抗，以增加从凹槽的区域抽取...

一种晶片电镀系统具有至少一个第一电镀腔室，所述第一电镀腔室具有含钴离子的第一电解质，并且适于以第一沉积速率电镀钴膜到晶片上。第二电镀腔室具有含钴离子的第二电解质，并且适于以第二沉积速率电镀钴膜到所述晶片上，所述第二沉积速率比所述第一沉积...

公开用于空间式原子层沉积的设备和方法。所述设备包括气体递送系统，所述气体递送系统包含第一气体和第二气体，所述第一气体流动通过与阀流体连通的多个腿部，并且所述第二气体流动通过多个腿部进入所述阀。

描述了选择性地沉积金属在金属表面上相对于在介电表面上的方法。方法包括将金属氧化物表面还原成金属表面且保护介电表面以将介电表面上的沉积予以最小化及暴露基板于金属前驱物和醇类以沉积膜。

于此披露静电卡盘组件和具有所述静电卡盘组件的处理腔室。在一个实施方式中，提供一种静电卡盘组件，静电卡盘组件包括具有外边缘的主体，外边缘连接前侧表面和背侧表面。主体具有设置在主体中的夹持电极。晶片间隔掩模形成在主体的前侧表面上。晶片间隔掩...

本公开内容描述了用于在真空沉积腔室(110)中的基板(121)上沉积材料的材料源布置(100)。所述材料源布置包括分配管(106)，所述分配管(106)被配置成与材料源(102)流体连通，所述材料源(102)提供材料至分配管(106)；...

本发明提供用于控制在处理腔室内的多区域加热器的温度的方法与装置。在一些实施方式中，提供控制多区域加热器的方法，所述多区域加热器被配置在基板支撑件上，其中所述多区域加热器具有第一区域与第二区域。在一些实施方式中，所述方法可包括以下步骤：测...

描述了一种用于沉积一层或多层(特别地，在其中包含有机材料的层)的系统。所述系统包括：第一装载锁定腔室；第一传递腔室和第二传递腔室，用于传送所述基板；包括两个或更多个沉积设备的直列式沉积系统部分，所述两个或更多个沉积设备设置在所述第一传递...

本公开大体涉及抛光制品，以及使用抛光制品的化学机械抛光基板的装置和方法。在一些实施方式中，诸如抛光垫的抛光制品包括多个层，其中一个或多个层(即，至少顶层)包括在抛光工艺期间被放置成接触基板的多个纳米纤维。在一个实施方式中，抛光制品包括具...

本文揭示的实施例通常涉及形成氧化硅膜的方法。此方法可包括在具有末端羟基的基板的表面上执行硅烷化。接着使用等离子体与H2O浸泡来再生成基板的表面上的羟基以执行额外的硅烷化。进一步的方法包括使用路易斯酸来催化这些暴露表面，直接地使该暴露第一...

本文公开用于调整处理腔室的照明器模块位置的设备。实现方式一般包括处理腔室，该处理腔室包括界定内容积的封闭体；基板支撑件，该基板支撑件设置于该处理腔室的该内容积中；以及多个可调整照明器模块。各可调整照明器模块可包括辐射源；与辐射源连接的照...

一种蚀刻基板的方法包含在基板上形成由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅组成的多个双重图案化特征。将具有双重图案化特征的基板提供至工艺区。在远程腔室中激励包含三氟化氮、氨及氢的蚀刻气体。将受激励的蚀刻气体引入至工艺区以蚀刻双重图案化特征而形成固态残...

揭露沉积介电层以及从半导体基板的表面蚀刻介电层的方法。方法可包括沉积第一介电层，第一介电层具有HF水溶液中的第一湿法蚀刻速率。方法亦可包括沉积第二介电层，第二介电层在沉积之后最初可为可流动的，且第二介电层可具有HF水溶液中的第二湿法蚀刻...

本文提供静电夹具的实施方式。在一些实施方式中，用于固定基板的静电夹具包括：底板；陶瓷板，陶瓷板由所述底板支撑，陶瓷板具有基板支撑表面；多个第一电极，所述多个第一电极设置于陶瓷板内，所述多个第一电极具有第一极性；以及多个第二电极，所述多个...

本实用新型描述了基板处理腔室。本文描述了用于处理半导体晶片的装置，其中传感器(例如，接触式热电偶)定位在气体分配组件中，在沉积之前、期间和/或之后测量温度和/或膜参数。

本实用新型公开了一种用于抛光系统的保持环，本文所述的实施方式保护所述保持环不受腐蚀性抛光化学物质的影响。在一个实施方式中，保持环具有环形主体，所述环形主体具有顶表面、内径侧壁、外径侧壁和底表面。内径侧壁被配置成用于限定基板。环形主体具有...

本发明是涉及用于旋转压板式ALD腔室的等离子体源。提供了基板处理腔室以及用于处理多个基板的方法，并且所述基板处理腔室大体包括电感耦合的饼形等离子体源，所述电感耦合的饼形等离子体源定位成使得在压板上旋转的基板将穿过与所述等离子体源相邻的等...

晶片处理器具有处于工艺储槽内的转子，转子固定晶片。转子旋转，从而顺序地将晶片移动通过工艺储槽中保存的处理液体。储槽可以具有工字梁形，以便减小处理液体体积。装料端口提供在工艺储槽顶部处，以将晶片装卸进出工艺储槽。冲洗和清洁腔室可与装料端口...

本申请公开了具有共享腔的真空腔室。本揭示案的实施例大体关于真空处理腔室，这些真空处理腔室具有不同泵送要求且经由单个前级真空管线连接至共享泵送系统。在一个实施例中，真空处理腔室包括耦接至单个高传导前级真空管线的高传导泵送管道及低传导泵送管...