描述一种用于检查用于显示器制造的大面积基板的设备。所述设备包含：真空腔室；基板支撑件，布置在真空腔室中，其中基板支撑件被配置成用于支撑用于显示器制造的大面积基板；以及第一成像带电粒子束显微镜，被配置成用于产生用于检查由基板支撑件支撑的基...

于此描述用于在真空腔室中使用热传感器原位确定基板温度的方法及设备。在一个实施方式中，热感应器具有传送器，该传送器经构造以传送电磁波；接收器，该接收器经构造以接收电磁波；及控制器，该控制器经构造以控制该传送器及该接收器，其中该控制器自所传...

本公开内容的实施方式涉及用于在热处理腔室中作为热辐射源的灯的灯驱动器。灯驱动器包括电源、至少两个DC/DC转换器、至少两个DC/DC转换器之间的直接连接、以及附接至直接连接且可附接至基准电压的接线，每个DC/DC转换器与电源串联。多个灯...

本文的实施方式大致涉及半导体基板的热处理的基座。在一个实施方式中，基座包括第一缘、耦接至第一缘并被第一缘环绕的内部区域、及一个或多个形成在内部区域上的环状突出。所述一个或多个环状突出可被形成在内部区域上的与被形成在基板上的谷的位置对应的...

本公开内容的实施方式提供处理腔室，处理腔室具有顶部、底部、侧壁、气体分配器、基板支撑件、泵送口及能源，顶部、底部及侧壁耦接在一起以界定围封空间，气体分配器围绕侧壁，基板支撑件安置在围封空间中，基板支撑件具有中心开口及围绕中心开口分布的多...

本文所述实施方式涉及用于形成流动式化学气相沉积(FCVD)膜的方法，该方法适于高深宽比缝隙填充应用。所述多种处理流程包括处理沉积的FCVD膜以改善介电膜密度与材料组成而使用的离子注入工艺。可用多种次序组合来应用离子注入工艺、固化工艺与退...

本公开内容的实施方式包括用于控制钛‑钨(TiW)靶材小结形成的方法和设备。在一些实施方式中，靶材包括：源材料，所述源材料主要地包括钛(Ti)和钨(W)，所述源材料由钛粉末和钨粉末的混合物形成，其中主要数量的钛粉末的晶粒尺寸小于或等于主要...

提供一种用于在真空腔室(110)中于基板(121)上沉积蒸发材料的材料沉积布置(100)。所述材料沉积布置(100)包括用于提供要蒸发的材料的坩埚(102、102a、102b)、与坩埚(102、102a、102b)流体连通的线性分配管(...

本公开提供了用于在处理腔室中的层沉积期间支撑基板载体(130)和掩模载体(140)的固持布置(100)。固持布置(100)包括可连接至基板载体(130)和掩模载体(140)中的至少一个的两个或更多个对准致动器。固持布置(100)被配置为...

提供一种用于在沉积处理期间掩蔽基板(10)的掩蔽布置(100)。掩蔽布置(100)包含一个或多个表面区域(130)，所述一个或多个表面区域(130)被配置为在沉积处理期间暴露于材料沉积源，其中所述一个或多个表面区域(130)被至少部分地...

本公开的实施例是关于具有可调谐化学特性、材料特性及结构特性的高级研磨垫，及制造所述研磨垫的新方法。根据本公开的一或多个实施例，已发现具有改善特性的研磨垫可由诸如三维(3D)打印工艺的积层制造工艺来产生。因此，本公开的实施例可提供具有离散...

本公开的实施例是关于具有可调谐化学特性、材料特性及结构特性的高级研磨垫，及制造所述研磨垫的新方法。根据本公开的一或多个实施例，已发现具有改善特性的研磨垫可由诸如三维(3D)打印工艺的积层制造工艺来产生。因此，本公开的实施例可提供具有离散...

本发明公开研磨垫清洗系统与相关方法。旋转式台板包括与流体(如研磨流体)组合的研磨垫，旋转式台板接触基板以将基板表面处的材料平坦化并因此产生碎屑。清洗系统引入喷布系统、废弃物移除系统与研磨流体传送系统，喷布系统用于将碎屑自研磨垫移除以防止...

本公开涉及了一种具有多个流体输送区的喷淋头组件。所述喷淋头组件包括：面板，所述面板被配置成将工艺气体输送到限定在所述喷淋头组件与所述基板支撑件之间的处理区域；以及底板，所述底板被定位在所述面板上方，在所述盖与所述底板之间限定第一气室，所...

公开了一种用于将来自射频(RF)发生器的RF能量输出与可变阻抗负载匹配的紧凑型可配置式射频匹配网络。该匹配网络包括输入连接器；输出连接器；以及包含一个或多个调谐与负载电子部件的部件组件阵列。电子部件中的至少一个耦接至输入连接器，电子部件...

一种用于制造二次电池电极的高固体含量糊可包括：负极活性材料或正极活性材料；黏合剂；溶剂；和超分散剂；其中所述高固体含量糊具有选用于特定涂覆工具的比黏度以及组成，使得高固体含量糊在涂覆之后将维持沉积形状，至少直至高固体含量糊已干燥为止，其...

一种制造用于电化学单元的负电极的方法可包含：提供导电基板；在所述基板上沉积金属层；阳极化所述金属层，以在所述基板上形成多孔层；在所述多孔层上沉积离子传导材料层，所述离子传导材料层至少部分地延伸到所述多孔层的孔隙内；致密化所述离子传导材料...

描述了一种用于在真空腔室(110)中在基板(121)上沉积蒸发的材料的线性分布管(106)。线性分布管(106)包括沿着第一方向(136)延伸的分布管壳体(116)，其中第一方向提供线性分布管的线性延伸，且其中分布管壳体包括第一壳体材料...

本发明的实施例提供用于净化基板载具的系统、装置及方法。实施例包括框架，该框架经配置以坐落在装载端口门附近而不干扰工厂介面或设备前端模组机器人的运作；一或更多个基板间喷嘴阵列，该基板间喷嘴阵列由该框架支撑且经配置以喷射气体到基板载具中；一...

本文披露的实施方式包括等离子体源以及用于减少半导体处理中产生的化合物的减量系统。在一个实施方式中，披露一种等离子体源。等离子体源包括具有入口和出口的主体，并且所述入口和所述出口流体耦接于所述主体内。所述主体进一步包括内表面，并且所述内表...