在此提供用于形成FinFET结构的方法与设备。本文所述的选择性蚀刻与沉积工艺可提供于FinFET的制造而无需利用多重图案化工艺。本文所述的实施例也提供鳍片材料的制造方法，该方法用于从硅转变成三五族材料，同时维持所用的各种材料的可接受的晶...

一种用于化学机械平坦化的浆料，该浆料包含表面活性剂及平均直径介于20nm至30nm之间且具有氧化铈外表面的研磨粒子。这些研磨粒子是使用水热合成工艺所形成。这些研磨粒子占该浆料的0.1重量％至3重量％。

本公开的实施例大体而言提供包括复合衬垫主体的研磨垫及形成该研磨垫的方法。一个实施例提供包括复合衬垫主体的研磨垫。该复合衬垫主体包括由第一材料或第一材料组成物形成的一个或更多个第一特征，及由第二材料或第二材料组成物形成的一个或更多个第二特...

揭示了使用定向成在喷洒主体下方且朝向入口端口引导流体的流体出口的抛光垫清洗系统及相关方法。结合浆料的抛光垫接触基板以使基板的表面平面化且移除基板缺陷，同时产生碎屑。喷洒系统从抛光垫移除碎屑以防止基板损坏并改良效率。通过在喷洒主体下方向抛...

在此提供用以选择性地沉积钴层的方法。在一些实施方式中，一种用以选择性地沉积钴层的方法包括以下步骤：暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面，其中该基板包含电介质层与金属层，该电介质层具有暴露的电介质表面，该金属层具有暴露的金属表面；...

用于切割半导体晶片的方法与载体，每个晶片具有多个集成电路。在一个示例中，用于在蚀刻工艺期间保护载体与基板组件的一种盖环包括内部开孔，内部开孔具有直径，所述内部开孔的直径小于载体与基板组件的基板的直径。外部框体围绕内部开孔。外部框体具有用...

在实施例中，一种等离子体源包括：第一电极，配置成用于移送一种或更多种等离子体源气体通过所述第一电极中的第一穿孔；绝缘体，设置成绕所述第一电极的外周与所述第一电极接触；以及第二电极，设置成使所述第二电极的外周抵靠所述绝缘体，使得所述第一和...

根据本公开案，提供一种用于处理可移动的基板的带电粒子装置以及一种用于在处理系统中处理移动的基板的方法。带电粒子装置包括源以及束位移装置，源用于形成带电粒子束，以处理沿着运送方向移动的基板，束位移装置用于使带电粒子束从第一束轨迹沿着所述运...

依据本公开内容，提供一种用于处理基板的带电粒子装置以及用于增加带电粒子装置的提取效率的方法。带电粒子装置包括壳体、狭缝开口以及第二电极。壳体提供第一电极，且具有后壁与前壁。狭缝开口位于壳体内。第二电极配置于壳体内且具有面向狭缝开口的第一...

一种用于在基板处理腔室中使用的加热模块。加热模块具有外壳，外壳中具有加热源。加热模块可以是设置于基座组件上方的气体分布组件的一部分，以直接加热基座的顶表面和晶片。加热模块可具有恒定的或可变的功率输出。描述了使用加热模块处理晶片的处理腔室...

一种调节一个或多个图案化膜的局部应力与覆盖误差的方法可包括调节引入腔室主体的气体的气体流动轮廓、使腔室主体内的气体流向基板、旋转基板，及通过利用双区加热器控制基板温度来统一基板的中心至边缘温度轮廓。用于沉积膜的腔室可包括包含一个或多个处...

描述了整体式旋转靶材。所述靶材包括溅射区域和凸缘区域，其中所述溅射区域由第一材料制成且所述凸缘区域由所述第一材料制成。所述溅射区域和所述凸缘区域是一体形成的。

本公开案描述了一种用于在基板上沉积材料的组件(100)。所述组件包括：第一阴极(110)，所述第一阴极(110)包括第一靶材材料；至少一个第二阴极(120)，所述至少一个第二阴极(120)包括不同于所述第一靶材材料的至少一个第二靶材材料...

本设备及方法的实施例用于后CMP清洗。更具体地，实施例提供用于移除纳米尺寸颗粒的设备及方法。一个实施例提供一种用于清洗基板的方法。该方法包括使基板暴露于黏弹性流体以自基板移除小颗粒。该黏弹性流体包含黏度调节剂及水性基底。

抛光制品制造系统包含：进料段和卷取段，所述卷取段包含供应辊，所述供应辊具有抛光制品，所述抛光制品设置在所述供应辊上并用于化学机械抛光工艺；打印段，所述打印段包含设置在所述进料段与所述卷取段之间的多个打印头；以及固化段，所述固化段设置在所...

一种制造研磨垫的研磨层的方法，该方法包括用3D打印机依次沉积多个层，该多个研磨层的各层是通过自第一喷嘴喷射基材料并且自第二喷嘴喷射添加材料并将基材料与添加材料固化以形成固化的垫材料而沉积的。

一种与工艺腔室一起使用的气体分散设备，该气体分散设备包括：石英主体，该石英主体具有顶部、环和底板，该环耦接顶部的底表面，该底板具有多个分散孔相对于顶部耦接该环；多个石英板，所述多个石英板设置于顶部与底板之间，其中多个板被定位在彼此上方并...

本公开内容提供了一种准直器、一种准直器组件以及一种基板处理腔室。在本文描述的一些实施方式中，提供一种可偏压准直器。使所述准直器偏压的能力允许控制溅射物质所穿过的电场。在本公开内容的一些实施方式中，提供了一种具有高有效深宽比，同时维持沿所...

用于处理半导体晶片的设备及方法，包含基座组件，基座组件具有凹陷，凹陷具有至少三个举升销。举升销包含套筒，弹簧和销定位在套筒中。弹簧和销举升晶片至晶片可被预热的位置处，在压缩后，降低晶片至处理位置。

本发明提供使用双选择性顺应组装机械手臂(Selective Compliant Assembly Robot Arm;SCARA)的机械手的方法及设备。在某些实施例中，提供两个SCARA，每一SCARA包括一肘管接头，其中这两个SCAR...