【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】打印化学机械研磨垫背景
本专利技术涉及用于化学机械研磨中的研磨垫。
技术介绍
可靠地生产纳米及更小的特征是用于半导体组件的下世代超大规模集成电路(VLSI)与极大规模集成电路(ULSI)的关键技术挑战之一。然而,随着电路技术极限的推进,缩小VLSI与ULSI互连技术的尺寸已经对于处理能力有额外的要求。栅极结构于基板上的可靠形成对于VLSI与ULSI的成功以及对于继续努力增加各个基板和管芯(die)的电路密度与质量是重要的。集成电路通常通过导电、半导电或绝缘层于硅晶片上的连续沉积而形成于基板上。各种制造工艺需要于基板上的层的平坦化。例如,对于特定应用,如研磨金属层以在图案层的沟槽中形成通孔、插头与线,平坦化上覆层直到图案层的顶表面暴露。在其他应用中,如用于微影术的介电层的平坦化,研磨上覆层直至所需厚度剩余在下层上。化学机械研磨(CMP)是常用于高密度集成电路制造中的工艺以平坦化或研磨沉积于基板上的材料层。承载头可提供固定于其中的基板至CMP系统的研磨站且可控制地促使基板抵靠移动的研磨垫。通过提供基板的特征侧之间的接触以及于存在有研磨流体时相对于研磨垫移动基板而有效地 ...
【技术保护点】
一种制造研磨垫的方法,包括以下步骤:用3D打印机沉积多个层,所述多个研磨层的至少第一层包含基材料与添加材料;及固化所述多个层以形成固化的研磨层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.17 US 62/065,190;2014.10.20 US 62/066,2911.一种制造研磨垫的方法,包括以下步骤:用3D打印机沉积多个层,所述多个研磨层的至少第一层包含基材料与添加材料;及固化所述多个层以形成固化的研磨层。2.如权利要求1所述的方法,其中所述添加材料跨所述固化的研磨层具有非均匀的分布。3.如权利要求1所述的方法,其中所述添加材料改变所述研磨垫的热传导性。4.如权利要求1所述的方法,其中所述添加材料改变所述研磨层的孔隙度。5.如权利要求4所述的方法,其中所述添加材料包括具有介于约5nm至约50μm之间的直径的纳米颗粒。6.如权利要求1所述的方法,其中所述添加材料是压电材料。7.如权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:在所述研磨层上依次沉积多个层以与所述研磨层一体地形成背层。8.如权利要求7所述的方法,其中形成所述背层包括:沉积与用于形成所述研磨层的基材料的材料不同的材料。9...
【专利技术属性】
技术研发人员:M·C·奥里拉尔,T·麦克尔森,K·克里希南,R·巴贾杰,N·B·帕迪班德拉,D·莱德菲尔德,F·C·雷德克,G·E·孟克,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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