一种沉积介电薄膜的方法可包括以下步骤：沉积薄介电层；停止沉积介电层，以及改变腔室中的气体(如果需要)；在基板附近诱导和维持等离子体，以提供对所沉积的介电层的离子轰击；以及重复所述沉积、停止、以及诱导和维持步骤，直到沉积了所需厚度的电介质...

提供了一种照明系统以及用于控制该照明系统的方法。在一个实施例中，该方法包括：提供多个照明源；在一段时间内，监测多个照明源的光输出功率；以及控制多个照明源以维持预定水平的光输出功率。该方法还包括：补偿多个照明源中的一个或多个照明源的衰减以...

本公开内容涉及电镀系统及与电镀处理器一起使用的补充器。一种电镀系统包括具有容器的处理器，所述容器具有分别含有阴极电解液和阳极电解液的第一或上隔室和第二或下隔室，在所述隔室之间存在处理器阴离子隔膜。惰性阳极安置在所述第二隔室中。补充器经由...

具体实施方式涉及静电卡盘表面，所述静电卡盘表面具有最小接触面积特征。更具体地，本发明的具体实施方式提供用于提供颗粒生成减少和基板和卡紧设备的磨损减少的静电卡盘组件，所述静电卡盘组件具有凸起伸长的表面特征图案。

本发明的实施方式提供热处理腔室，所述热处理腔室包括设置在基板支撑组件的相对侧上的加热组件与驱动机构。特定而言，加热组件设置在基板支撑组件下方以处理以器件面朝上的基板且驱动机构设置在基板组件上方。

本发明的实施方式涉及利用主动对准在柔性基板上进行无掩模光刻的设备和方法。在一个实施方式中，一种光刻设备包括圆柱形滚轴，所述圆柱形滚轴可绕着中心轴旋转并且配置成在圆柱形基板支撑表面上传送柔性基板。多个印刷单元的每一者包括图像感测装置和图像...

一种电镀系统包括具有容器的处理器，所述容器具有分别含有阴极电解液和阳极电解液的第一或上隔室和第二或下隔室，在所述隔室之间存在处理器阴离子隔膜。惰性阳极安置在所述第二隔室中。补充器经由阴极电解液返回线和供应线和阳极电解液返回线和供应线与所...

本公开内容的实施方式提供一种用于处理腔室的适配器。在一个实施方式中，所述适配器包括：中空主体，所述中空主体具有第一端部和第二端部，所述第二端部与所述第一端部相反；第一块体和第二块体，所述第一块体和所述第二块体关于所述主体的纵轴对称设置在...

本公开案总体涉及一种用于处理基于网的基板的方法和设备。当所述基板在辊之间行进时，所述基板可被拉伸并且因而扭曲。一旦所述基板到达所述辊处，所述基板扭曲就会固定。通过调整处理参数，所扭曲的基板得以处理，而不需要校正所述扭曲。

一种处理柔性基板的方法包括以下步骤：提供具有聚合表面的柔性基板；发射电子束；将所述聚合表面暴露于所述电子束；经由将所述聚合表面暴露于所述电子束而修改所述聚合表面；以及将阻挡层沉积在经修改的表面上。

提供用于在半导体器件的接触结构中沉积接触金属层的方法。在一个实施方式中，提供一种沉积接触金属层以用于形成半导体器件中的接触结构的方法。所述方法包括进行循环金属沉积工艺以在基板上沉积接触金属层和对设置在基板上的接触金属层进行退火。所述循环...

揭示了一种用于静电夹盘(ESC)的夹紧电路，所述夹紧电路包括：一个或多个夹紧电极，安置在所述ESC的电介质体中；多个像素电极，安置在所述电介质体中；以及夹紧电路，所述夹紧电路包括所述一个或多个夹紧电极以及所述多个像素电极，所述夹紧电路可...

本发明描述用于蚀刻低k及其它介电质膜的方法及制程腔室。举例而言，方法包括以等离子体制程修改低k介电层的部分。在掩模层及低k介电层的未经修改的部分上有选择地蚀刻低k介电层的经修改的部分。描述具有用于交替地产生不同等离子体的多个腔室区域的蚀...

本发明的实施例提供一种设备，该设备包括基板支撑件；激光辐射源，该激光辐射源沿着光学路径发射激光辐射；和照明光学器件，该照明光学器件沿着光学路径设置。照明光学器件包括慢轴透镜集合和快轴透镜集合。设备进一步包括均化器，该均化器沿着光学路径设...

本文所述的实施方式保护抛光系统的保持环不受腐蚀性抛光化学物质的影响。在一个实施方式中，保持环具有环形主体，所述环形主体具有顶表面、内径侧壁、外径侧壁和底表面。内径侧壁被配置成用于限定基板。环形主体具有：刚性环形部分；聚合物环形部分，所述...

一种配置中的除污及剥除处理腔室。配置中的除污及剥除处理腔室。本发明的实施例提供了包括两个或更多隔离腔室容积的一种负载锁定腔室，其中一腔室容积被配置来用于处理基板，且另一腔室容积被配置来提供冷却给基板。本发明的一实施例提供了一种负载锁定腔...

本发明涉及通过冷却剂流量控制及加热器占空比控制的组件温度控制。公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制...

本文所述的实施方式涉及用于执行浸没场引导的曝光后烘烤工艺的方法和装置。本文所述的装置的实施方式包括腔室主体，所述腔室主体限定处理容积。基座可设置在所述处理容积内，并且第一电极可耦接到所述基座。可移动杆可延伸穿过所述腔室主体且与所述基座相...

这里所描述的实施方式提供用于以均匀的激光能量处理半导体基板的设备和方法。激光脉冲或光束被导引至空间均化器，该空间均化器可为多个透镜，这些透镜沿着平面布置，该平面垂直于激光能量的光学路径，一个实例是微透镜阵列。该空间上均匀的能量由空间均化...

本申请公开了稀土氧化物基单片式腔室材料。一种固体烧结陶瓷制品可包括固溶体，所述固溶体包含：约30摩尔％至约60摩尔％的浓度的Y