描述了蚀刻图案化的非均相结构上的暴露硅的方法，且方法包括自含氟前体与含氢前体形成的远端等离子体蚀刻。将来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区中，等离子体流出物在基板处理区中与硅的暴露区反应。等离子体流出物与图案化的非均相结构反应...

本发明描述了控制反应沉积工艺和相应组件和/或设备的方法。所述方法包括使用电源提供功率至阴极，提供电压设定点至电源，接收与提供至阴极的功率相关的功率值，和依据功率值控制工艺气体的流量以提供对于功率值的闭环控制。

本文所公开的实施方式总体包括一种用于电介质膜的基于自由基的沉积的装置。该装置包括：处理腔室；自由基源，所述自由基源被耦接到处理腔室；基板支撑件，所述基板支撑件设置在处理腔室中；以及双通道喷头，所述双通道喷头设置在自由基源与基板支撑件之间...

本实用新型公开了一种包含扩散结合的耐等离子体的加热器板的基板支撑件。本实用新型的实施方式总体涉及具有在其上的保护涂层的受热的基板支撑件。所述保护涂层是由纯氧化钇或主要为氧化钇的合金制成。所述保护涂层被扩散结合到所述基板支撑件的加热器板。...

本公开的实施方式提供一种用于支撑基板的改进的静电卡盘。所述静电卡盘包括：卡盘主体，所述卡盘主体耦合到支撑杆，所述卡盘主体具有基板支撑表面；多个突片，所述多个突片远离所述卡盘主体的所述基板支撑表面突出，其中所述突片绕所述卡盘主体圆周设置；...

描述了一种基板载具，该基板载具使用比例式热流体输送系统。在一个示例中，装置包括热交换器，以向基板载具的流体通道提供热流体并且接收来自流体通道的热流体，流体通道中的热流体用以在基板处理期间控制载具的温度。比例阀控制从热交换器至流体通道的热...

提供针对鳍式场效晶体管(FinFET)的利用选择性沉积工艺形成具有多个期望材料的鳍片结构的方法，该期望材料形成在该鳍片结构的不同位置上。在一实施例中，在基板上形成具有期望材料的结构的方法包括在具有三维(3D)结构形成于上的基板上沉积第一...

本发明所述的实施方式一般涉及用于将基座耦接至处理腔室的杆组件。杆组件包括枢轴机构、第一弹性密封件、第二弹性密封件、壳体与运动组件，其中第一弹性密封件耦接至枢轴机构，第二弹性密封件耦接至板的第一侧上的板，该板具有耦接至第一弹性密封件的第二...

一种用于热处理基板的装置、系统及方法。脉冲电磁能量源能以至少100Hz的频率产生脉冲。可移动基板支撑件可相对于电磁能量脉冲移动基板。光学系统可设置在能量源和可移动基板支撑件之间，且可包含将电磁能量脉冲塑形成矩形分布的部件。控制器可命令所...

本文中提供具有可拆卸气体分配板的喷淋头的实施例。在一些实施例中，在半导体处理腔室中使用的喷淋头可包括：底座，所述底座具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧；气体分配板，所述气体分配板设置为接近底座的第二侧，其中气体分配板由具有约60Ω‑cm...

本发明提供具有双重或多重掺杂剂入口以用于处理半导体基板的方法与装置，这些入口形成于外延腔室的不同位置处且被构造成于沉积期间朝向基板的不同位置供应掺杂剂气体。一个实施方式中，耦接外延沉积腔室而构造的气体递送系统包括：气体导管，具有第一端与...

本发明所述实施方式一般涉及用于在半导体装置上形成硅外延层的设备。可依序或同时提供沉积气体与蚀刻气体以改善外延层沉积特性。气体分配组件可与沉积气体源及蚀刻气体源耦接。在沉积气体与蚀刻气体提供至处理腔室的处理空间前，沉积气体与蚀刻气体可维持...

极紫外(EUV)掩模基底制造系统包括：用于建立真空的基板操作真空腔室；位于真空中的基板操作平台，以用于搬运装载于该基板操作真空腔室中的超低膨胀基板；及可让该基板操作平台进出且用于形成EUV掩模基底的多个子腔室，该多个腔室包括：第一子腔室...

本文公开的实施方式总体提供一种可改善升降杆区域上方的沉积速率和均匀膜厚度的升降杆。在一个实施方式中，所述升降杆包括具有第一末端和通过轴耦接至第一末端的第二末端的升降杆，所述第一末端包括具有顶表面的杆头，其中所述顶表面是平面且平坦的；以及...

增材制造系统包含：工作台；供给材料分配装置，该供给材料分配装置经构造以输送供给材料覆盖该工作台；激光器，该激光器经构造以产生激光束；控制器，该控制器经构造以引导该激光束至储存于电脑可读取介质中的数据所规定的位置处以造成该供给材料熔融；及...

在诸如薄膜电池(TFBs)、电致变色(EC)装置等电化学装置中、在电极与固态电解质之间包括中间层，以降低界面电阻和过电位，用于促进离子传输(例如锂离子传输)通过电化学装置堆叠中的某些界面。本文公开了制造这些电化学装置的方法和设备。

一种制造极紫外线反射构件的方法，其包括：提供基板；在所述基板上形成多层堆叠，所述多层堆叠包括多个反射层对，这些反射层对具有第一反射层与第二反射层以形成布拉格反射器；以及在所述多层堆叠上形成覆盖所述多层堆叠的覆盖层，所述覆盖层由氧化钛、氧...

本发明实施方式涉及用于在外延薄膜形成期间批量处理的方法与装置。在一个实施例中，处理腔室包括腔室盖件与基板支撑件。腔室盖件包括中心设置的气体入口与第一气体偏转器，第一气体偏转器与腔室盖件耦接并经调适而将第一工艺气体侧向导向横跨多个基板的表...

一种薄膜电池可以包含：包含基板表面的基板；形成在所述基板表面上的第一集电器(FCC)层，所述FCC层具有第一FCC表面和第二FCC表面，并且其中所述第一FCC表面与所述基板接触，而且所述第二FCC表面为第一三维表面；沉积在所述第一集电器...

一种选择性沉积方法，其相对于电介质表面来将金属选择性地沉积在金属表面。所述方法包括下述步骤：将金属氧化物表面还原成金属表面；和保护电介质表面以最小化所述电介质表面上的沉积。