使用定向成在喷洒主体下方且向入口端口引导流体的流体出口的抛光垫清洗系统及相关方法技术方案

揭示了使用定向成在喷洒主体下方且朝向入口端口引导流体的流体出口的抛光垫清洗系统及相关方法。结合浆料的抛光垫接触基板以使基板的表面平面化且移除基板缺陷，同时产生碎屑。喷洒系统从抛光垫移除碎屑以防止基板损坏并改良效率。通过在喷洒主体下方向抛光垫且朝向入口端口引导流体，可将碎屑携带在流体中并将碎屑引导至喷洒主体的内气室中。随后，经由出口端口从内气室中移除流体所携带的碎屑。以此方式，碎屑移除可减少基板缺陷，改良设施清洁度，且改良抛光垫效率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用定向成在喷洒主体下方且向入口端口引导流体的流体出口的抛光垫清洗系统及相关方法背景
本公开的实施例总体上涉及在基板上且在形成于基板上的层上产生平面表面，且更具体地涉及化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing；CMP)。
技术介绍
在集成电路及其他电子装置的制造中，多层导电、半导电及介电材料在晶片基板的表面上沉积或从该表面移除，该晶片基板如半导体基板或玻璃基板。由于材料层顺序地沉积在基板上并从基板上移除，因此基板的最上层表面可变为非平面，且需要先进行平面化，随后才能在该表面上进一步进行微影图案化。对表面进行平面化，或“抛光”表面是一种工艺，在该工艺中，从基板表面移除材料以形成大体均匀、平面的基板表面。平面化适用于移除诸如粗糙表面、结块材料、晶格损坏、刮痕及污染材料层的不需要的表面构形及表面缺陷。平面化也适用于通过移除已经沉积以填充特征的过量材料而在基板上形成特征，且用以提供均匀表面以用于后续基于光刻的图案化步骤。化学机械平面化或化学机械抛光(CMP)是用于平面化基板的常见技术。CMP利用通常与研磨剂混合以形成浆料的化学组成物，以便从基板的表面上选择性移除材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于安置在化学机械抛光系统中的抛光垫的喷洒系统，所述喷洒系统包括：喷洒主体，具有底侧及顶侧，所述喷洒主体包括入口端口、内气室及出口端口，所述入口端口向所述底侧开口；及第一组流体出口，具有一定向，所述定向引导离开所述第一组流体出口的流体在所述喷洒主体的所述底侧下方且朝向所述入口端口。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.24 US 14/523,4821.一种用于安置在化学机械抛光系统中的抛光垫的喷洒系统，所述喷洒系统包括：喷洒主体，具有底侧及顶侧，所述喷洒主体包括入口端口、内气室及出口端口，所述入口端口向所述底侧开口；及第一组流体出口，具有一定向，所述定向引导离开所述第一组流体出口的流体在所述喷洒主体的所述底侧下方且朝向所述入口端口。2.如权利要求1所述的化学机械抛光系统，其中所述流体出口中的至少一者包括缝隙、孔、可替换喷嘴配件或致偏器中的至少一者。3.一种安置在化学机械抛光系统中的喷洒系统，所述化学机械抛光系统具有用于支撑抛光垫和抛光头的平台以用于在抛光的同时固持基板，所述喷洒系统包括：喷洒主体，具有底侧及顶侧，所述底侧面对所述平台，所述喷洒主体包括入口端口、内气室及出口端口，所述入口端口向所述底侧开口；及第一组流体出口，具有一定向，所述定向引导离开所述第一组流体出口的流体在所述喷洒主体的所述底侧下方且朝向所述入口端口。4.如权利要求1或权利要求3所述的喷洒系统，进一步包括：第二组流体出口，具有一定向，所述定向在所述喷洒主体的所述底侧下方且朝向所述入口端口引导离开所述第二组流体出口的流体，其中所述入口端口分隔所述第一组流体出口和所述第二组流体出口。5.如权利要求1或权利要求3所述的喷洒系统，其中所述喷洒主体的所述顶侧进一步包括凸状外部顶表面。6.如权利要求1或权利要求3所述的喷洒系统，其中所述喷洒主体进一步包括：发散通路，从所述入口端口延伸到所述内气室中。7.如权利要求1或权利要求3所述的喷洒系统，进一步包括：隔板，安置在所述入口端口中，且将所述入口端口分隔为第一入口端口和第二入口端口。8.如权利要求1或权利要求3所述的喷洒系统...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·D·巴特菲尔德，张寿松，B·J·金，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US