等离子体CVD膜中覆盖物的气体流动轮廓调节控制制造技术

一种调节一个或多个图案化膜的局部应力与覆盖误差的方法可包括调节引入腔室主体的气体的气体流动轮廓、使腔室主体内的气体流向基板、旋转基板，及通过利用双区加热器控制基板温度来统一基板的中心至边缘温度轮廓。用于沉积膜的腔室可包括包含一个或多个处理区的腔室主体。腔室主体可包括气体分配组件，气体分配组件具有挡板以用于输送气体至一个或多个处理区。挡板具有第一区域与第二区域，第一区域与第二区域各具多个孔洞。腔室主体可具有双区加热器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体CVD膜中覆盖物的气体流动轮廓调节控制背景
本专利技术的实施例大体涉及在基板上沉积膜层的方法和设备。
技术介绍
硬模(例如非晶氢化碳)防止精细材料的损坏及变形，例如二氧化硅或碳掺杂氧化硅。此外，硬模可当作蚀刻掩模，并结合常规光刻技术来防止蚀刻期间的材料移除。在一些应用中，例如光刻处理，期望硬模对于光辐射(即光波长在约400纳米(nm)与约700nm之间)是高度透射的。对于特定光波长的透射性允许更准确的光刻配准，进而允许掩模与基板上的特定位置的精确对准。材料对于给定光频的透射性通常量化成材料的消光系数，此也称作吸收系数(κ)。例如，就约6000埃至厚的非晶氢化碳层而言，非晶氢化碳层在用于光刻配准的光频(例如630nm)下应具有0.12或以下的吸收系数，否则掩模无法准确对准。也可使用吸收系数大于0.12的层，但层厚度可能需减小，以达成准确光刻配准。在覆盖误差方面，高κ值不会造成覆盖误差，但高κ范围可能造成覆盖误差。非晶氢化碳(也称作非晶碳且表示成α-C:H)本质是无长序晶级的碳材料，从而可含大量氢含量，例如约10至45原子％的数量级。α-C:H因化学惰性、光学透射性和良好机械性质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种调节一个或多个图案化膜的局部应力与覆盖误差的方法，所述方法包含：经由包含第一区域与第二区域的挡板调节气体的气体流动轮廓，其中所述第一区域与所述第二区域各自具有多个孔洞；通过所述挡板的所述第一区域与所述第二区域的所述多个孔洞，将所述气体引入腔室主体；使所述腔室主体内的气体流向基板的第一区域与第二区域；及在将至少部分的膜沉积至所述基板上后，旋转所述基板。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.03 US 62/059,751;2014.11.20 US 14/549,3801.一种调节一个或多个图案化膜的局部应力与覆盖误差的方法，所述方法包含：经由包含第一区域与第二区域的挡板调节气体的气体流动轮廓，其中所述第一区域与所述第二区域各自具有多个孔洞；通过所述挡板的所述第一区域与所述第二区域的所述多个孔洞，将所述气体引入腔室主体；使所述腔室主体内的气体流向基板的第一区域与第二区域；及在将至少部分的膜沉积至所述基板上后，旋转所述基板。2.如权利要求1所述的方法，进一步包含：通过利用双区加热器控制所述基板温度，统一所述基板的中心至边缘温度轮廓，其中所述双区加热器包含第一加热区和第二加热区，且其中所述第二加热区外接所述第一加热区。3.如权利要求1所述的方法，进一步包含：利用测量工具，监测跨所述一个或多个图案化膜的膜形貌。4.如权利要求1所述的方法，其中所述挡板包含：在所述挡板的第一区域的孔洞密度比在所述挡板的第二区域的孔洞密度高。5.如权利要求4所述的方法，其中所述挡板的第一区域是中心区域，所述挡板的第二区域是边缘区域。6.如权利要求1所述的方法，其中当所述基板由遮蔽环支撑时旋转所述基板。7.如权利要求1所述的方法，其中所述基板旋转180度。8.一种调节一个或多个图案化膜的局部应力与覆盖误差的方法，所述方法包含：经由包含第一区域与第二区域的挡板调节气体的气体流动轮廓，其中所述第一区域与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·K·库尔施拉希萨，S·拉斯，P·P·杰哈，S·巴苏，K·D·李，M·J·西蒙斯，金柏涵，G·巴拉苏布拉马尼恩，Z·段，荆雷，M·B·潘迪特，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US