用于旋转沉积腔室的顶灯模块制造技术

一种用于在基板处理腔室中使用的加热模块。加热模块具有外壳，外壳中具有加热源。加热模块可以是设置于基座组件上方的气体分布组件的一部分，以直接加热基座的顶表面和晶片。加热模块可具有恒定的或可变的功率输出。描述了使用加热模块处理晶片的处理腔室及方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于旋转沉积腔室的顶灯模块背景本专利技术的实施例大体涉及用于处理基板的设备。更具体地，本专利技术涉及用以使用顶端安装的加热源在基板上执行原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)的批处理平台。形成半导体器件的工艺通常在包含多个腔室的基板处理平台中进行。在一些例子中，多腔室处理平台或群集工具的目的是用以在受控环境中在基板上连续地执行两个或更多个工艺。然而，在其他例子中，多腔室处理平台可在基板上仅执行单一处理步骤；额外的腔室意欲最大化由平台处理基板的速率。在后面的情况中，在基板上执行的工艺通常为批量工艺，其中相对大量的基板(如，25或50个)在给定的腔室中同时地处理。以经济可行的方式，对于在各个基板上执行过于耗时的工艺而言，批处理是特别有利的，诸如对于ALD工艺或一些化学气相沉积(CVD)工艺而言。随着半导体器件的尺寸缩减，半导体产业对于工艺变化的容限持续地降低。为了满足这些更严格的工艺需求，此产业已经发展出满足该严格工艺窗需求的许多新的工艺，但这些工艺常常需要较长的时间去完成。例如，对于在高深宽比、65纳米或较小互连特征的表面上共形地形成铜扩散阻障层而言，可能需要使用ALD工艺。ALD本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理腔室，包括：圆形气体分布组件，定位于所述处理腔室内，所述气体分布组件在所述气体分布组件的前表面中包括多个狭长气体端口，所述多个狭长气体端口至少从所述圆形气体分布组件的内径区域延伸至外径区域，所述多个气体端口包括：反应气体端口，用以传送反应气体至所述处理腔室；净化气体端口，用以传送净化气体至所述处理腔室；及真空端口，用以从所述处理腔室排空气体；加热模块，包括加热源，所述加热模块位于所述圆形气体分布组件内并具有楔形形状且所述加热源包括灯或电阻式加热器的一者或多者；及基座组件，位于所述处理腔室内，用以在绕旋转轴的基本上圆形的路径中旋转至少一个基板，所述基座组件具有由内侧周边边缘和外侧周边边缘...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.03 US 14/506,3171.一种处理腔室，包括：圆形气体分布组件，定位于所述处理腔室内，所述气体分布组件在所述气体分布组件的前表面中包括多个狭长气体端口，所述多个狭长气体端口至少从所述圆形气体分布组件的内径区域延伸至外径区域，所述多个气体端口包括：反应气体端口，用以传送反应气体至所述处理腔室；净化气体端口，用以传送净化气体至所述处理腔室；及真空端口，用以从所述处理腔室排空气体；加热模块，包括加热源，所述加热模块位于所述圆形气体分布组件内并具有楔形形状且所述加热源包括灯或电阻式加热器的一者或多者；及基座组件，位于所述处理腔室内，用以在绕旋转轴的基本上圆形的路径中旋转至少一个基板，所述基座组件具有由内侧周边边缘和外侧周边边缘所界定的顶表面，所述基座组件定位于所述圆形气体分布组件下方，使得所述基座组件的所述顶表面面对所述圆形气体分布组件的所述前表面。2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述加热源包括至少一个灯，以将辐射能导引朝向所述基座组件的所述顶表面。3.如权利要求2所述的处理腔室，其中所述至少一个灯具有通往所述基座组件的所述顶表面的基本畅通的路径。4.如权利要求3所述的处理腔室，其中所述加热模块并入气体端口中。5.如权利要求1至4中任一项所述的处理腔室，其中所述加热模块进一步包括扩散板，位于所述加热源和基座的所述顶表面之间。6.如权利要求5所述的处理腔室，其中所述扩散板是实心屏蔽件且没有气体经过所述加热模块。7.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述扩散板包含SiC。8.如权利要求7所述的处理腔室，其中所述加热模块定位于所述处理腔室的装载区处。9.如权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·约德伏斯基，R·T·楚杰洛，K·格里芬，G·K·邝，K·贝拉，夏立群，M·斯里拉姆，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US