基于纳米粒子的氧化铈浆料制造技术

一种用于化学机械平坦化的浆料，该浆料包含表面活性剂及平均直径介于20nm至30nm之间且具有氧化铈外表面的研磨粒子。这些研磨粒子是使用水热合成工艺所形成。这些研磨粒子占该浆料的0.1重量％至3重量％。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基于纳米粒子的氧化铈浆料相关申请的交叉引用本申请主张于2014年10月30日递交的申请号为62/072,908的美国临时申请案的优先权。
本专利技术一般地涉及基板的化学机械抛光。
技术介绍
在制造现代半导体集成电路(IC)的工艺中，经常需要对基板的外表面进行平坦化。例如，可能需要平坦化以抛光基板的外层，直到留下预定厚度的外层或直到暴露出已图案化的下层的顶表面。例如，在浅沟槽隔离(STI)中会沉积氧化物层以填充缝隙并覆盖住氮化物层。随后抛光除去该氧化层以暴露出该氮化物的顶表面，留下位在该氮化物层的隆起图案之间的氧化物材料以在该基板上形成绝缘沟槽。化学机械抛光(CMP)是一种公认的平坦化方法。此种平坦化方法通常需要将基板安装在承载头上。通常使基板的暴露表面抵靠着旋转中的抛光垫。该抛光垫可具有耐用的粗糙化表面。通常在抛光垫的表面上供给耐磨的抛光浆料。该承载头在基板上提供可控制的负载以将该基板压靠在抛光垫上同时使该基板与该抛光垫进行相对运动。
技术实现思路
例如，相较于含有次微米(submicron)尺寸范围研磨粒子的浆料而言，具有纳米级研磨粒子的研磨剂抛光浆料可提供改进的CMP性能，举例而言，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学机械平坦化的浆料，包括：研磨粒子，所述研磨粒子具有介于20nm与30nm之间的平均直径及具有氧化铈外表面，其中所述研磨粒子是使用水热合成工艺所形成的，其中所述研磨粒子占所述浆料的0.1重量％至3重量％之间；及表面活性剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.30 US 62/072,9081.一种用于化学机械平坦化的浆料，包括：研磨粒子，所述研磨粒子具有介于20nm与30nm之间的平均直径及具有氧化铈外表面，其中所述研磨粒子是使用水热合成工艺所形成的，其中所述研磨粒子占所述浆料的0.1重量％至3重量％之间；及表面活性剂。2.如权利要求1所述的浆料，其中所述研磨粒子在所述浆料中所占的含量少于0.3重量％。3.如权利要求1所述的浆料，其中所述研磨粒子包含氧化铈。4.如权利要求1所述的浆料，其中所述研磨粒子包括硅核心及覆盖所述硅核心的氧化铈外壳。5.如权利要求1所述的浆料，其中所述表面活性剂包括聚丙烯酸。6.如权利要求5所述的浆料，所述浆料是由所述研磨粒子、所述聚丙烯酸及去离子水所组成。7.如权利要求1所述的浆料，其中所述研磨粒子具有小于0.3的多分散性指数。8.一种制造用于化学机械平坦化浆料的方法，包括以下步骤：于溶液中加入前驱物材料；维持所述溶液的pH值处在大于7的pH值；在反应容器中使所述溶液经受大于100psi的压力及高于100℃的温度；及收集所述研磨粒子，其中所述研磨粒子具有小于30nm的直径。9....

【专利技术属性】
技术研发人员：兰加·拉奥·阿内帕利，罗伯特·简·维瑟，拉杰夫·巴贾，达尔尚·撒卡尔，普莉娜·古拉迪雅，乌代·马哈詹，阿卜杜尔·沃布·穆罕默德，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US