氧化硅薄膜的选择性侧向生长制造技术

本文揭示的实施例通常涉及形成氧化硅膜的方法。此方法可包括在具有末端羟基的基板的表面上执行硅烷化。接着使用等离子体与H2O浸泡来再生成基板的表面上的羟基以执行额外的硅烷化。进一步的方法包括使用路易斯酸来催化这些暴露表面，直接地使该暴露第一和第二表面非活化及在侧壁表面上沉积含硅层。多个等离子体处理可被执行以沉积具有期望厚度的层。

Selective lateral growth of silicon oxide films

Embodiments disclosed herein relate to methods for forming silicon oxide films. The method may include performing silylation on the surface of a substrate having an end hydroxyl. Next, the plasma is soaked with H2O to regenerate the hydroxyl groups on the surface of the substrate to perform additional silylation. Further methods include using Lewis acid to catalyze these exposed surfaces, directly exposing the first and second surfaces to non activation and depositing a silicon containing layer on the sidewalls. A plurality of plasma treatments may be performed to deposit layers with desired thickness.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文描述的实施例通常涉及半导体制造，并且更具体地涉及选择性形成氧化硅膜的方法。
技术介绍
随着半导体工业引进具有更高性能和更强功能的新一代的集成电路(IC)，形成那些IC的组件的密度也被增加。随着增加的组件密度，单个部件或组件之间的大小、尺寸及间隔被减小。图案化工艺的增加的分辨率是降低IC上的特征结构的尺寸与间隔的一种机制。增加的分辨率可通过改变图案的固有分辨率来达成。图案的固有分辨率是图案可转移的最细微的空间细节。固有分辨率是诸如所使用的辐射的波长与图案中的特征结构的尺寸等因子的的函数。可以使用诸如自对准双图案法(SADP)和自对准四图案法(SAQP)的图案加乘工艺来增加图案化工艺的最终分辨率，而不会改变曝光工具的固有分辨率。因此，这些工艺可减少每层的微影曝光的数量，这减少了组件制造的显著成本。目前图案加乘通常是通过一些沉积与蚀刻步骤的组合来达成。这样的方式是非常不符合经济效益的，并且会造成显著的整合复杂性。此外，由于特征结构尺寸变得更小。所以，存在着控制集成电路中特征结构尺寸的新方法的需求。
技术实现思路
本文描述的实施例通常涉及选择性沉积氧化硅层的方法，诸如选择性沉积在电介质表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沉积氧化硅膜的方法，依序地包括以下步骤：将基板定位于处理腔室中，所述基板具有：第一层；及第二层，所述第二层设置在所述第一层上方，所述第二层具有暴露的第二表面与形成在所述第二层中的一个或多个特征结构，所述特征结构产生一个或多个侧壁表面与暴露的第一表面；用催化剂来处理所述基板，所述催化剂包括路易斯酸，所述催化剂在所述暴露的第一表面、所述一个或多个侧壁表面及所述暴露的第二表面上形成末端反应性基团；将催化剂去活化剂输送到所述基板，所述催化剂去活化剂被等离子体活化，所述基板被偏压以使所述催化剂去活化剂被所述暴露的第一表面与所述暴露的第二表面接收，所述末端反应性基团被保持在所述一个或多个侧壁表面上；以...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.09 US 62/113,944;2015.12.30 US 14/984,5991.一种沉积氧化硅膜的方法，依序地包括以下步骤：将基板定位于处理腔室中，所述基板具有：第一层；及第二层，所述第二层设置在所述第一层上方，所述第二层具有暴露的第二表面与形成在所述第二层中的一个或多个特征结构，所述特征结构产生一个或多个侧壁表面与暴露的第一表面；用催化剂来处理所述基板，所述催化剂包括路易斯酸，所述催化剂在所述暴露的第一表面、所述一个或多个侧壁表面及所述暴露的第二表面上形成末端反应性基团；将催化剂去活化剂输送到所述基板，所述催化剂去活化剂被等离子体活化，所述基板被偏压以使所述催化剂去活化剂被所述暴露的第一表面与所述暴露的第二表面接收，所述末端反应性基团被保持在所述一个或多个侧壁表面上；以及将硅醇输送到所述基板，所述硅醇将含硅层沉积在所述一个或多个侧壁表面上。2.如权利要求1所述的方法，其中所述末端反应性基团是CH3。3.如权利要求1所述的方法，其中所述硅醇是具有通式Si(OR)3OH的化合物，R基团是碳氢化合物。4.如权利要求1所述的方法，其中所述硅醇是三-(第三丁氧基)硅醇、三-(第三戊氧基)硅醇、或上述的衍生物。5.如权利要求1所述的方法，其中所述路易斯酸是有机铝化合物、有机铁化合物、有机钛化合物、有机锌化合物、或上述的组合物。6.如权利要求1所述的方法，其中所述路易斯酸是三甲基铝(TMA)、AlCl3、FeCl3、TiCl4、ZnCl4、或上述的组合物。7.如权利要求1所述的方法，其中所述催化剂去活化剂包括O2、N2、NH3、H2、H2O、He、Ar、或上述的组合物。8.一种沉积氧化硅膜的方法，依序地包括以下步骤：将基板定位于处理腔室中，所述基板包括：电介质区域，所述电介质区域具有暴露的电介质表面与形成在所述电介质区域中的一个或多个特征结构，所述特征结构具有侧壁，所述暴露的电介质表面与所述侧壁具有末端羟基；以及金属区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈一宏，K·陈，S·慕克吉，A·B·玛里克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US