用于旋转压板式ALD腔室的等离子体源制造技术
Plasma source for rotating pressboard type ALD chamber
The present invention relates to a plasma source for rotating a pressure plate type ALD chamber. A substrate processing chamber and method for processing a substrate is provided, and the substrate processing chamber includes an inductively coupled plasma source pie pie, plasma source positioning coupling the inductance into the plasma region of plasma source adjacent the platen rotation of the substrate will pass through and the etc..
【技术实现步骤摘要】
用于旋转压板式ALD腔室的等离子体源本申请是申请日为2014年3月14日、申请号为201480015817.4、题为“用于旋转压板式ALD腔室的等离子体源”的分案申请。
本专利技术的实施例总体涉及用于处理基板的装置。更具体而言，本专利技术涉及用于在基板上执行原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)的批量处理平台。
技术介绍
形成半导体器件的工艺通常在容纳有多个腔室的基板处理平台中进行。在一些情况下，多腔室式处理平台或群集工具的目的在于，在受控环境中，顺序地对基板执行两个或更多个工艺。然而，在其他情况下，多腔室式处理平台可以仅对基板执行单个处理步骤；附加的腔室旨在使平台处理基板的速率最大化。在后一种情况下，对基板执行的工艺通常是批量处理，其中，在给定腔室中，同时处理相对大数量的(例如，25个或50个)基板。以经济上可行的方式来说，对单独的基板执行的过于耗时的工艺(诸如，对ALD工艺及一些化学气相沉积(CVD)工艺)，批量处理是尤其有益的。基板处理平台或系统的有效性通常通过拥有成本(COO)来量化。尽管受到许多因素影响，但是COO在很大程度上受到系统占地面积(fo...
【技术保护点】
一种饼形等离子体源，具有定义宽度的内周边缘和外周边缘，所述内周边缘比所述外周边缘窄，所述等离子体源包括沿着所述等离子体源的宽度延伸的间隔开的多个导电棒，所述等离子体源配置为在所述内周边缘与所述外周边缘之间形成具有基本上均匀的等离子体密度的电感耦合的等离子体。
【技术特征摘要】
2013.03.15 US 61/788,2481.一种饼形等离子体源，具有定义宽度的内周边缘和外周边缘，所述内周边缘比所述外周边缘窄，所述等离子体源包括沿着所述等离子体源的宽度延伸的间隔开的多个导电棒，所述等离子体源配置为在所述内周边缘与所述外周边缘之间形成具有基本上均匀的等离子体密度的电感耦合的等离子体。2.如权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所述导电棒之间的所述间距是所述饼形等离子源的被所述导电棒延伸穿过的宽度的函数。3.如权利要求2所述的处理腔室，其特征在于，相比在所述外周边缘处，朝向所述饼形等离子体源的所述内周边缘，导电棒的密集度更大。4.如权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所述多个导电棒包括重复地穿过所述饼形等离子体源的单个棒。5.如权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所述导电棒中的每一个导电棒都是分开的棒。6.如权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所述多个导电棒以相对于所述饼形等离子体源的径向壁的倾斜角度延伸。7.如权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所述饼形等离子体源还包括电介质层，所述电介质层在所述多个导电棒与其中形成等离子体的区域之间。8.如权利要求7所述的处理腔室，其特征在于，所述电介质层包括石英。9.一种处理腔室，包括：至少一个如权利要求1至8中任一项所述的电感耦合的饼形等离子体源；以及基板支撑装置，所述基板支撑装置在所述处理腔室内，所述基板支撑装置可绕所述处理腔室的中心轴旋转，以使至少一个基板沿与所述至少一个饼形等离子体源相邻的所述弧形路径移动。10.如权利要求9...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·C·福斯特，J·约德伏斯基，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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