The present disclosure relates generally to polishing products, as well as to devices and methods for chemical mechanical polishing substrates using polishing products. In some embodiments, polishing products such as polishing pads include a plurality of layers, wherein one or more layers (i.e., at least the top layer) include a plurality of nanofibers that are placed into contact with the substrate during the polishing process. In one embodiment, the polishing product includes a layer having a thickness of less than about 0.032 inches, and the layer comprising a fiber having a diameter of about 10 nanometers to about 200 microns.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背景
本公开的实施方式大体涉及用于基板或晶片的化学机械抛光的装置和方法,更确切地涉及抛光制品制造系统,以及制造和使用用于化学机械抛光的抛光垫或抛光制品的方法。
技术介绍
化学机械抛光(Chemicalmechanicalpolishing;CMP)为已经在许多不同工业中用以磨平基板表面的常规工艺。在半导体工业中,随着元件特征尺寸越来越小,抛光和磨平的均匀性已变得越来越重要。在CMP工艺过程中,诸如硅晶片的基板安装在承载头上,器件表面抵靠旋转抛光垫放置。承载头在基板上提供可控的载荷以将基板的器件表面推向抛光垫。通常将抛光液(诸如具有研磨颗粒的浆料)供应至移动抛光垫和抛光头的表面。通常将抛光浆料(包括研磨剂和至少一种化学反应剂)供应至抛光垫,以在垫与基板之间的界面处提供研磨化学溶液。抛光垫和抛光头向基板施加机械能,同时垫也有助于控制浆料的传送,所述浆料在抛光工艺期间与基板相互作用。高效CMP工艺不仅提供高抛光率,而且提供不具有小尺度粗糙度、含有最小缺陷并且是平坦(即不具有大规模形貌)的基板表面。在抛光系统中执行的化学机械抛光工艺通常包括多个抛光垫,该多个抛光垫执行整个 ...
【技术保护点】
一种抛光制品,其包括:层,其由随机分布的纤维构成,所述随机分布的纤维具有约10纳米至约200微米的直径和约每平方厘米0.1克至约每平方厘米50克的密度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.30 US 62/110,4541.一种抛光制品,其包括:层,其由随机分布的纤维构成,所述随机分布的纤维具有约10纳米至约200微米的直径和约每平方厘米0.1克至约每平方厘米50克的密度。2.如权利要求1所述的抛光制品,其中所述层包括抛光材料,所述抛光材料卷绕在用于辊对辊抛光系统上的供应辊上。3.如权利要求2所述的抛光制品,其中所述层具有小于约0.032英寸的厚度。4.如权利要求2所述的抛光制品,其中所述纤维的交叉点包括涂层。5.如权利要求1所述的抛光制品,其中所述层设置在背层上。6.如权利要求5所述的抛光制品,其中所述层和所述背层包括抛光材料,所述抛光材料卷绕在用于辊对辊抛光系统上的供应辊上。7.如权利要求5所述的抛光制品,其中所述纤维的交叉点包括涂层。8.一种抛光制品,其包括:第一层,其具有约0.007英寸至约0.001英寸的厚度,所述第一层包括具有约10纳米至约200微米的直径的随机纤维;以及第二层,其粘附至所述第一层的背面。9.如权利要求8所述的抛光制品,其中所述第一层包括约每平方厘米0.1克至约每平方厘米50克的密度。10.如权利要求8所述的抛光制品,其中所述抛光...
【专利技术属性】
技术研发人员:R·D·托勒斯,M·C·奥里拉利,F·C·雷德克,R·巴贾杰,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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