本发明关于静电夹盘及其制造方法，所述静电夹盘包括导热基座，所述导热基座具有安置于所述导热基座中的数个加热元件。金属层覆盖所述导热基座的至少一部分，其中所述金属层使所述数个加热元件免受射频(radio frequency，RF)耦合，且用...

本公开内容的实施方式提供一种衬垫组件，所述衬垫组件包括多个各自分开的气体通道。所述衬垫组件能实现遍及待处理的基板上的流动参数的可保持性，这些流动参数诸如速度、密度、方向和空间位置。可利用根据本公开内容的实施方式的衬垫组件，对遍及待处理的...

本发明提供使用含钨反应气体沉积钨膜或含钨膜的原子层沉积方法，所述含钨反应气体包含以下的一或多种：五氯化钨、具有经验式WCl5或WCl6的化合物。

基板氧化组件包括：界定处理容积的腔室主体；设置在处理容积中的基板支撑件；耦接到处理容积的等离子体源；流动耦接到处理容积的蒸汽源；和基板加热器。一种处理半导体基板的方法包括：开始基板的高纵横比结构的共形自由基氧化，包括：加热基板；以及将基...

基板氧化组件包括：界定处理容积的腔室主体；设置在处理容积中的基板支撑件；耦接到处理容积的等离子体源；流动耦接到处理容积的蒸汽源；和基板加热器。一种处理半导体基板的方法包括：开始基板的高纵横比结构的共形自由基氧化，包括：加热基板；以及将基...

本公开内容涉及用于将金属沉积到基板表面上的电镀单元和用于在用来将金属电镀到基板表面上的电镀腔室中遮蔽基板的表面的装置。在一个实施方式中，一种用于将金属沉积到基板表面上的电镀单元包括：电镀腔室，所述电镀腔室被配置成接收含有金属离子的电解质...

本公开内容的实施方式一般涉及用于在液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)及有机发光二极管(organic light‑emitting diode,OLED)显示器中使用低温多晶硅(low temperatu...

描述了一种自通孔移除非晶硅/氧化硅膜堆叠的方法。该方法可涉及包含氟的远程等离子体及包含氟及远程等离子体中未激发的含氮与氢的前驱物的局部等离子体以移除氧化硅。该方法可随后涉及惰性物种的局部等离子体以潜在地移除任何薄碳层(光阻剂的残留物)并...

在此公开了一种图像校正应用程序，该图像校正应用程序涉及对制造处理中的基板施加无掩模光刻图案的能力。在此所描述的实施方式涉及软件应用程序平台，该软件应用程序平台利用基板的时间偏移曝光来维持校正非均匀图像图案的能力。应用程序利用时间延迟来将...

描述一种用于测量已蒸发材料的沉积速率的测量组件(100)。测量组件(100)包括用于测量沉积速率的振荡晶体(110)和用于固持振荡晶体(110)的固持器(120)，其中固持器包括具有高于k＝30W/(mK)的热传导系数k的材料。

描述了经构造以附接到载体主体(160)以用于保持基板(101)的保持器(200)。保持器(200)包括具有第一倾斜表面(212)的第一部分(210)，所述第一部分(210)经构造以附接到载体主体(160)；第二部分(220)，所述第二部...

一种增材制造系统包括：工作台，具有用于支撑正被制造的物体的顶表面；分配器，用于在所述工作台之上输送前驱物材料的多个连续层；多个灯，用于加热所述工作台且设置在所述工作台的所述顶表面下方；和能源，用于融合所述前驱物材料的最外层的至少一些。

本发明的实施例大体而言涉及一种清洁基板的方法及一种基板处理设备，所述基板处理设备设以进行所述清洁基板的方法。更具体地说，本发明的实施例涉及一种以减少或消除半导体器件特征之间的线黏附负面效应的方式清洁基板的方法。本发明的其它实施例涉及一种...

本发明涉及基板处理腔室和半导体处理系统。描述了气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一多个孔，并且该下板材可以界定第二和第三多个孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该...

本实用新型公开一种透射测温探测器。所述透射测温探测器包括：探测器歧管，所述探测器歧管用以探测来自腔室主体中的处理区附近的辐射；辐射探测器，所述辐射探测器光耦合至所述探测器歧管；和光谱多陷波滤波器。

本文提供处理配件及包含此处理配件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理配件包括沉积环，所述沉积环被配置而设置在基板支撑件上，所述基板支撑件被设计为用于支撑具有给定宽度的基板，所述沉积环包含：环形带，所述环形带被配置为搁置在所述基板...

本文中描述了一种外延沉积腔室，比如高生长速率外延腔室，所述外延沉积腔室在腔室中圆顶上方具有上部锥体，用于控制空气流。所述上部锥体在所述腔室中具有由两个或更多个间隙分离的第一部件和第二部件，每个部件具有部分圆柱形区域和从所述部分圆柱形区域...

本发明涉及稀土氧化物基单片式腔室材料。一种固体烧结陶瓷制品可包括固溶体，所述固溶体包含：约30摩尔％至约60摩尔％的浓度的Y2O3；约20摩尔％至约60摩尔％的浓度的Er2O3；以及约0摩尔％至约30摩尔％的浓度的ZrO2、Gd2O3或...

一种用于形成零件的增材制造设备包括支撑件、用于在支撑件上或支撑件上的下层上输送第一颗粒层的第一分配器、用于将第二颗粒输送至第一颗粒层上以使得第二颗粒渗入第一颗粒层的第二分配器、用于熔融第一颗粒与第二颗粒以形成零件的熔融层的能量源，及耦接...

本公开内容的实现方式提供用于处理腔室中的腔室部件。腔室部件包括：主体，所述主体在等离子体处理腔室中使用；氧化物阻挡层，所述氧化物阻挡层形成在主体的暴露表面的至少一部分上，氧化物阻挡层具有约2gm/cm