透射测温探测器制造技术

本实用新型专利技术公开一种透射测温探测器。所述透射测温探测器包括：探测器歧管，所述探测器歧管用以探测来自腔室主体中的处理区附近的辐射；辐射探测器，所述辐射探测器光耦合至所述探测器歧管；和光谱多陷波滤波器。

【技术实现步骤摘要】
透射测温探测器
本文描述的实施方式涉及处理基板的装置和方法。更具体地，本文描述的装置和方法涉及通过辐射透射进行的温度测量。
技术介绍
退火的新趋势的特征在于在基于灯的退火腔室中进行处理。这种处理要求在低温下进行准确的温度评估。由于低的信噪比，仅利用辐射发射测量的温度评估可能在低于约400℃的温度下不准确。透射测温可提供必要的准确度和精确度。透射测温为评估基板(例如，硅基板)的热状态的常见方式。热处理腔室通常将基板暴露于强烈的、非相干或相干的辐射以提高基板(整个基板或基板的部分或表面区域)的温度。用于加热基板的辐射在腔室中产生强背景辐射环境。高功率辐射用于评估基板的热状态，因为它能与腔室中的背景辐射区分开。通常使用激光，因为激光提供高功率，以及因为它们提供选择最适于基板的特定波长的机会。激光产生相干辐射，当所述辐射透射穿过基板时，能指示基板的热状态，热状态可被记录为温度。透射辐射可通过高温计探测，与源辐射相比较，并且结果与推断基板热状态相关。迄今为止，通常将源辐射选择为少数量(例如，一个或两个)的窄波长带。同样地，仅在少数量(例如，一个或两个)的窄波长带处分析透射辐射。需要可靠的透射高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透射测温探测器，其特征在于包括：探测器歧管，所述探测器歧管用以探测来自腔室主体中的处理区附近的辐射；辐射探测器，所述辐射探测器光耦合至所述探测器歧管；以及光谱多陷波滤波器。

【技术特征摘要】
2017.05.26 US 62/511,602;2017.06.02 US 62/514,6401.一种透射测温探测器，其特征在于包括：探测器歧管，所述探测器歧管用以探测来自腔室主体中的处理区附近的辐射；辐射探测器，所述辐射探测器光耦合至所述探测器歧管；以及光谱多陷波滤波器。2.根据权利要求1所述的透射测温探测器，其特征在于所述探测器歧管在所述腔室主体中包括多个高温计探头。3.根据权利要求2所述的透射测温探测器，其特征在于所述探测器歧管包括多个光学开关，其中所述多个高温计探头的子集光耦合至每个光学开关。4.根据权利要求1所述的透射测温探测器，其特征在于所述辐射探测器附接至所述腔室主体。5.根据权利要求1所述的透射测温探测器，其特征在于所述光谱多陷波滤波器在两个光谱带中传输辐射，每个光谱带具有在10nm与15nm之间的带宽。6.根据权利要求1所述的透射测温探测器，其特征在于所述辐射探测器包括：衍射光栅，柱面透镜，...

【专利技术属性】
技术研发人员：塞缪尔·C·豪厄尔斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：新型
国别省市：美国,US