氮氧化硅梯度构思制造技术

本公开内容的实施方式一般涉及用于在液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)及有机发光二极管(organic light‑emitting diode,OLED)显示器中使用低温多晶硅(low temperature polysilicon,LTPS)薄膜晶体管的方法及装置。

Conception of nitrogen oxide gradient in nitrogen

Embodiments of this disclosure generally relates to the liquid crystal display (Liquid Crystal Display, LCD) and organic light emitting diode (organic light emitting diode, OLED) using low temperature polysilicon display (low temperature polysilicon, LTPS) method and device of Bo Mojing tube.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮氧化硅梯度构思背景
本公开内容的实施方式一般涉及用于在液晶显示器及有机发光二极管显示器中使用低温多晶硅(lowtemperaturepolysilicon,LTPS)薄膜晶体管的方法及装置。
技术介绍
由于大型玻璃面板在使用上固有的温度限制，低温多晶硅(low-temperaturepolycrystallinesilicon,LTPS)对于显示器技术而言相当重要。使用低温多晶硅制造的薄膜晶体管具有改良的半导体性能，能够形成具有更高分辨率的显示器。因此，低温多晶硅薄膜晶体管提供改良电子装置(例如液晶显示器及有机发光二极管显示器)的可能性。随着液晶显示器及有机发光二极管技术的改善，对于更大分辨率的需求便产生。低温多晶硅薄膜晶体管的层间光线的光透射比(transmittance)是改良分辨率的阻碍。特别是，当邻近的层具有不同的折射率时，光透射比减小，限制了分辨率。用于改良分辨率的一种方法是改良低温多晶硅薄膜晶体管的层间光线的光透射比。因此，存在对低温多晶硅薄膜晶体管中改良的光透射比的需求。
技术实现思路
本文所述的实施方式一般涉及具有低温多晶硅技术的液晶显示器及有机发光二极管装置，包括为了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：基板；两个双层，所述两个双层布置于所述基板之上，各所述双层包括：第一无机层，所述第一无机层具有第一折射率；第二无机层，所述第二无机层具有第二折射率，所述第一折射率系小于所述第二折射率；以及过渡堆叠结构，所述过渡堆叠结构布置于所述第一无机层与所述第二无机层之间，所述过渡堆叠结构包括至少第三无机层及第四无机层，其中：所述第三无机层布置于所述第一无机层上且具有第三折射率；所述第四无机层布置于所述第三无机层上且具有第四折射率；所述第三折射率大于所述第一折射率且小于所述第四折射率；以及所述第四折射率大于所述第三折射率且小于所述第二折射率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.08 US 62/190,2341.一种薄膜晶体管，包括：基板；两个双层，所述两个双层布置于所述基板之上，各所述双层包括：第一无机层，所述第一无机层具有第一折射率；第二无机层，所述第二无机层具有第二折射率，所述第一折射率系小于所述第二折射率；以及过渡堆叠结构，所述过渡堆叠结构布置于所述第一无机层与所述第二无机层之间，所述过渡堆叠结构包括至少第三无机层及第四无机层，其中：所述第三无机层布置于所述第一无机层上且具有第三折射率；所述第四无机层布置于所述第三无机层上且具有第四折射率；所述第三折射率大于所述第一折射率且小于所述第四折射率；以及所述第四折射率大于所述第三折射率且小于所述第二折射率。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一无机层包括氧化硅，且所述第二无机层包括氮化硅。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括：铟锡氧化物层，所述铟锡氧化物层布置于所述两个双层之上；以及聚合物层，所述聚合物层布置于所述两个双层之上以及所述铟锡氧化物层之下。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括：阻挡层，所述阻挡层布置于所述基板之上以及所述两个双层之下，所述阻挡层包括：第五无机层，具有第五折射率；第六无机层，具有第六折射率，所述第五折射率大于所述第六折射率；以及过渡堆叠结构，布置于所述第五无机层与所述第六无机层之间，所述过渡堆叠结构包括至少第七无机层及第八无机层，其中：所述第七无机层布置于所述第五无机层上且具有第七折射率；所述第八无机层布置于所述第七无机层上且具有第八折射率；所述第七折射率小于所述第五折射率且大于所述第八折射率；以及所述第八折射率小于所述第七折射率且大于所述第六折射率。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其中：所述第一无机层包括氮化硅；所述第二无机层包括氧化硅；所述第五无机层包括氮化硅；以及所述第六无机层包括氧化硅。6.如权利要求4所述的薄膜晶体管，进一步包括：铟锡氧化物层，所述铟锡氧化物层布置于所述两个双层之上；以及聚合物层，所述聚合物层布置于所述两个双层之上以及所述铟锡氧化物层之下。7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，进一步包括：聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层布置于所述铟锡氧化物层之上。8.一种薄膜晶体管，包括：玻璃基板；栅极绝缘体双层，所述栅极绝缘体双层布置于所述玻璃基板之上，所述栅极绝缘体双层包括：第一无机层，所述第一无机层具有第一折射率；第二无机层，所述第二无机层具有第二折射率，所述第一折射率小于所述第二折射率；以及过渡堆叠结构，所述过渡堆叠结构布置于所述第一无机层与所述第二无机层之间，所述过渡堆叠结构包括至少第三无机层及第四无机层，其中：所述第三无机层布置于所述第一无机层上且具有第三折射率；所述第四无机层布置于所述第三无机层上且具有第四折射率；所述第三折射率大于所述第一折射率且小于所述第四折...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔寿永，元泰景，任东吉，约翰·M·怀特，崔弈，张雪娜，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US