描述一种用于金属或金属合金的蒸发源(100)。蒸发源包括：蒸发坩锅(104)，其中蒸发坩锅配置为蒸发金属或金属合金；分布管(106)，具有一或多个出口(712)，沿着分布管的长度提供，其中分布管流体连通于蒸发坩锅，其中分布管进一步包括第...

本发明涉及用于处理腔室的腔室部件和制造制品的方法。一种制造制品的方法包括提供用于蚀刻反应器的环。随后，执行离子辅助沉积(IAD)以在环的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是抗等离子体的稀土氧化物膜，所述抗等离子体的稀土氧化物膜具有小...

本发明涉及基座组件及处理室。本文所描述的是气体分配组件及由数个扇形(pie‑shaped)区段制成的基座组件，该数个扇形区段可以被个别地整平、移动或变换。本文还描述的是包含气体分配组件、基座组件及感测器的处理室，并具有反馈电路来调整该基...

本发明提供用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备。本发明还提供用于使用原位沉积的腔室涂层的等离子体处理系统的原位低压腔室清洁及气体喷嘴设备。用于导体蚀刻应用的某些腔室清洁实施例包括基于NF3的等离子体清洁，所述等离子体清洁在低...

本发明涉及用于处理腔室的腔室部件、抗等离子体盖或喷嘴及制造制品的方法。制造制品的方法包含提供用于蚀刻反应器的盖或喷嘴。随后执行离子辅助沉积(IAD)以在盖或喷嘴的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是具有小于300μm的厚度以及10微...

在此描述具有物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管(LED)的制造。举例而言，多腔室系统包括物理气相沉积(PVD)腔室，所述PVD腔室具有铝构成的靶。也包括一腔室，所述腔室适于沉积无掺杂或n型的氮化镓，或适于沉积前...

本文中所述的实施方式总体涉及对基板上的三维(3D)结构的掺杂。在一个实施方式中，保形的含掺杂物膜可沉积在3D结构上方。可结合在膜中的合适的掺杂物可以包括硼、磷、和其他合适的掺杂物。随后可使膜退火以将掺杂物扩散至3D结构中。

本公开内容的实施方式提供了一种用于等离子体处理腔室装置中的腔室部件。所述腔室部件可以包括提供富氟表面的涂层。在一个实施方式中，用于等离子体处理装置中的腔室部件包括具有包含氧化钇的外层的主体，所述主体具有形成在其上的涂层，其中所述涂层包含...

本实用新型提供了一种用于沉积材料的设备。所述设备包括：阴极阵列，其中所述阴极阵列中的两个相邻阴极仅一个被构造成被操作以具有一或多个时间间隔，其中所述相邻阴极的仅一个阴极在一或多个时间间隔期间溅射在相同基板上。

提供一种用于基板(10)的运输的设备(100)。设备(100)包括真空腔室(110)和磁悬浮系统(120)，真空腔室(110)具有经构造以将真空侧(101)从大气侧(102)分开的腔室壁，磁悬浮系统(120)经构造以用于真空腔室(110...

描述了相对于第二暴露部分选择性蚀刻图案化基板的暴露部分的方法。蚀刻工艺是气相蚀刻，该气相蚀刻使用在与等离子体流出物组合之前于任何等离子体中并未被激发的氧化前驱物，所述等离子体流出物是在来自惰性前驱物的远程等离子体中形成。等离子体流出物可...

公开一种用于加热衬底的加热装置，所述加热装置具有石墨主体和至少一个加热元件，所述至少一个加热元件包括设置在所述主体内的连续材料区段。也公开了包括所述加热装置的处理腔室。

描述一种用于真空溅射沉积的设备(100)。所述设备包括：真空腔室(110)；真空腔室(110)内的三个或更多个溅射阴极，用于在基板(200)上溅射材料；气体分配系统(130)，用于向真空腔室(110)提供包括H2的处理气体；真空系统(1...

在此提供用于共同溅射多个靶材的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，处理腔室包括：基板支撑件，用于支撑基板；多个阴极，耦接到载体，并具有待溅射于基板上的相应的多个靶；和处理屏蔽件，耦接到载体且并在相邻的多个靶的对之间延伸。

增材制造包括在支撑件上相继形成多个层。从所述多个层沉积一个层包括：分配第一颗粒；在对应于物体表面的选定区域中选择性地分配第二颗粒；以及熔融所述层的至少一部分。所述层在整个层中具有所述第一颗粒并且在所述选定区域中具有所述第二颗粒。替代或另...

一种增材制造系统包括具有用于支撑被制造的物体的顶表面的工作台、用于在所述工作台上方输送多个连续的进料层的进料分配器、用于熔融进料的至少一部分最外层的被定位在所述工作台之上的能量源、和用于在已经熔融至少一部分所述最外层之后将冷却剂流体输送...

本申请公开了具有多区温度控制及多重净化能力的基座。本文揭示了用于半导体工艺处理设备的基板支撑组件。所述组件可包括基座及与所述基座连结的主杆。所述基座可被配置以提供多重区域，所述多重区域具有独立控制的温度。每一区域可包括流体通道，藉由循环...

本申请公开了稀土氧化物的顶部涂层的离子辅助沉积。制造制品的方法包含以下步骤：提供制品，所述制品诸如，用于蚀刻反应器的腔室部件。执行等离子体喷涂沉积工艺以在腔室部件的至少一个表面上方沉积第一保护层。所述第一保护层是具有大于约50微米的厚度...

公开了一种氧气相容等离子体源。描述的处理腔室可以包括腔室外壳，所述腔室外壳至少部分地界定半导体处理腔室的内部区域。腔室外壳可以包括盖。腔室可以包括被配置成在腔室的处理区域内支撑基板的台座。腔室也可以包括与电源耦接的第一喷淋头。第一喷淋头...

公开了一种具有改良轮廓的双通道喷淋头。所描述的处理腔室可包括腔室外壳，所述腔室外壳至少部分限定半导体处理腔室的内部区域。腔室可包括底座。腔室可包括定位在盖与处理区域之间的第一喷淋头，并且可包括定位在第一喷淋头与处理区域之间的面板。腔室也...