具有改良轮廓的双通道喷淋头制造技术

公开了一种具有改良轮廓的双通道喷淋头。所描述的处理腔室可包括腔室外壳，所述腔室外壳至少部分限定半导体处理腔室的内部区域。腔室可包括底座。腔室可包括定位在盖与处理区域之间的第一喷淋头，并且可包括定位在第一喷淋头与处理区域之间的面板。腔室也可包括定位在半导体处理腔室的面板与处理区域之间的所述腔室内的第二喷淋头。第二喷淋头可包括耦合在一起的至少两个板以限定在所述至少两个板之间的容积。所述至少两个板可至少部分限定通过第二喷淋头的通道，并且每个通道可由在所述通道的第一末端处的第一直径表征并可由在所述通道的第二末端处的多个端口表征。

Double channel spray head with improved contour

A double - channel spray head with an improved contour is disclosed. The described processing chamber may include a chamber shell, which at least partially defines an inner region of a semiconductor processing chamber. The chamber can include a base. The chamber may include a first spray head positioned between the cover and the processing area, and may include a panel positioned between the first shower head and the processing area. The chamber may also include a second spray head located in the panel of the semiconductor processing chamber and the chamber between the processing area. The second spray head may include at least two plates coupled together to limit the volume between the at least two plates. The at least two plates can at least partially define the passages through the second spray heads, and each channel can be characterized by the first diameter at the first end of the channel, and can be characterized by multiple ports at the second end of the channel.

【技术实现步骤摘要】
具有改良轮廓的双通道喷淋头
本申請主张于2016年10月4日申请并且标题为“DUAL-CHANNELSHOWERHEADWITHIMPROVEDPROFILE”的美国专利申請No.15/285,331的权益，所述美国专利申請全文出于全部目以引用方式并入本文中。本技术涉及半导体系统、工艺和设备。更具体来说，本技术涉及可包括喷淋头的处理腔室，所述喷淋头可用作等离子体电极。
技术介绍
集成电路可能通过在基板表面上产生复杂图案化的材料层的工艺制成。在基板上产生图案化材料需要用于移除已暴露材料的受控方法。化学蚀刻用于各种目的，所述目的包括将光刻胶中的图案转移至下层、减薄层、或减薄已经存在于表面上的特征的横向尺寸。通常期望具有与另一种材料相比更快地蚀刻一种材料的蚀刻工艺，进而促进例如图案转移工艺。认为此蚀刻工艺对第一种材料具有选择性。由于材料、电路、和工艺的多样性，已经开发了对各种材料具有选择性的蚀刻工艺。蚀刻工艺、沉积工艺和清洁工艺可在各种腔室中进行。这些腔室可包括组件，所述组件可用以形成电容耦合的等离子体，或可能靠近产生其他形式的等离子体的内部腔室区域，诸如电感耦合的等离子体。腔室组件可能以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体处理腔室，包含：腔室外壳，至少部分限定所述半导体处理腔室的内部区域，其中所述腔室外壳包含盖；底座，配置成支撑在所述半导体处理腔室的处理区域内的基板；以及第一喷淋头，定位在所述半导体处理腔室内，所述半导体处理腔室包含耦合在一起的至少两个板以限定在所述至少两个板之间的容积，其中所述至少两个板至少部分限定通过所述第一喷淋头的通道，并且其中每个通道由在所述通道的第一末端处的第一直径表征并由在所述通道的第二末端处的多个端口表征。

【技术特征摘要】
2016.10.04 US 15/285,3311.一种半导体处理腔室，包含：腔室外壳，至少部分限定所述半导体处理腔室的内部区域，其中所述腔室外壳包含盖；底座，配置成支撑在所述半导体处理腔室的处理区域内的基板；以及第一喷淋头，定位在所述半导体处理腔室内，所述半导体处理腔室包含耦合在一起的至少两个板以限定在所述至少两个板之间的容积，其中所述至少两个板至少部分限定通过所述第一喷淋头的通道，并且其中每个通道由在所述通道的第一末端处的第一直径表征并由在所述通道的第二末端处的多个端口表征。2.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中每个端口由小于所述第一直径的直径表征。3.如权利要求1所述的半导体处理腔室，进一步包含与电源耦合的第二喷淋头，其中所述第二喷淋头定位在所述盖与所述处理区域之间的所述半导体处理腔室内。4.如权利要求3所述的半导体处理腔室，进一步包含与电气接地耦合的面板，其中所述面板定位在所述第一喷淋头与所述处理区域之间的所述半导体处理腔室内。5.如权利要求4所述的半导体处理腔室，其中所述面板与所述第二喷淋头直接接触，并且其中所述面板和所述第二喷淋头与电气接地耦合。6.如权利要求4所述的半导体处理腔室，其中所述半导体处理腔室进一步包含在所述第一喷淋头与所述面板之间的间隔件，并且其中所述第一喷淋头、所述面板、和所述间隔件被配置成至少部分限定在所述半导体处理腔室内的等离子体处理区域。7.如权利要求3所述的半导体处理腔室，其中所述底座与电源耦合，并且其中所述第二喷淋头与电气接地耦合。8.如权利要求7所述的半导体处理腔室，其中所述底座和所述第二喷淋头被配置成至少部分限定在所述半导体处理腔室的所述处理区域内的等离子体处理区域。9.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述第一喷淋头定位在所述腔室内，所述第一喷淋头具有面对面板的每个通道的所述第一末端，并具有靠近所述半导体处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·卢博米尔斯基，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US