提供一种基板支撑设备。该设备包含圆形底板和一个或更多个间隔器，绕着该底板的圆周设置间隔器。间隔器可从该底板的顶部表面延伸，且环形主体可耦合至间隔器。该环形主体可与该底板间隔开以界定该底板与该环形主体之间的孔隙。一个或更多个支撑柱可耦合至...

本发明的实施方式提供匹配及校准处理腔室中的处理腔室性能的方法。在一个实施方式中，用于校准用于半导体制造处理的处理腔室的方法包含以下步骤：在处理腔室中执行第一预定处理，在执行预定处理的同时收集第一组信号(第一组信号由设置在处理腔室中的第一...

用于沉积膜的方法包含使基板表面暴露于有机基毒化剂，以相对于特征的底部优先抑制在特征的顶部的膜生长并沉积膜。可以使基板暴露于毒化剂任意次数以促进在特征中由下而上的膜生长。

本公开关于操作等离子体反应器的方法，该等离子体反应器具有电子束等离子体源以独立调整电子束密度、等离子体离子能量及自由基总数。本公开进一步关于用于等离子体反应器的电子束源，该等离子体反应器具有RF驱动电极以产生电子束。

兹提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施例中，处理基板的方法包括：(a)在处理容积内的第一电极与第二电极之间提供处理气体，处理气体包含聚合物形成气体和蚀刻气体，其中第一电极在第二电极对面；(b)从第一RF电源施加第一电压波形至第二电极...

用于沉积膜的方法，包括将基材表面循环暴露至前体与除气环境，以移除从膜释出的气体。一些实施例进一步包括：并入毒化特征的顶部，以抑制特征的顶部处的膜生长。一些实施例进一步包括：在循环之间蚀刻在特征的顶部沉积的该膜的一部分，以增加间隙填充均匀度。

在此公开用于将一层耐火金属层溅射到设置在基板上的阻挡层上的系统和方法。在一或多个实施方式中，在集成电路中溅射沉积钨结构的方法包括以下步骤：将基板移动到等离子体处理腔室中，且移动到与溅射靶材组件相对的基板支撑件上，溅射靶材组件包含具有不超...

提供了沉积包含SiO或SiN的可流动薄膜的方法。某些方法包含：将基板表面暴露于硅氧烷或硅氮烷前驱物；将基板表面暴露于等离子体活化的共反应物以提供SiON中间薄膜；紫外线固化SiON中间薄膜以提供固化的中间薄膜；和退火固化的中间薄膜以提供...

本揭示案的实施方式大体涉及用于处理半导体基板的群集工具。在一个实施方式中，群集工具包含多个处理腔室，所述多个处理腔室连接至传送腔室，且每一处理腔室可同时处理四个或更多个基板。为了降低成本，每一处理腔室包含：基板支撑件，用于支撑四个或更多...

本公开的实施例关于在处理腔室中使用的喷淋头组件。喷淋头组件包括多孔插入件，该多孔插入件布置于气体分配板与底板之间的空间中，以缓和由等离子体点火导致的侵蚀性基团，从而减少腔室中的颗粒问题及金属污染。多孔插入件是诸如金属之类的导电材料，用以...

在此描述的实施方式一般涉及具有缩减空间的处理腔室，以执行超临界干燥处理或其他相变处理。该腔室包含可移动地设置于第一轨道上的基板支撑件和可移动地设置于第二轨道上的门。基板支撑件和门可经配置以相互独立地移动，且该腔室可经配置以最小化腔室内基...

公开一种基板处理方法。该方法包含以下步骤：输送溶剂至处理腔室，且输送基板至该处理腔室。出现在该处理腔室中的溶剂的分量可经配置以浸没该基板。可输送液态CO2至该处理腔室且可将该液态CO2与该溶剂混合。可输送一分量大于该处理腔室的容积的额外...

本公开的实施例大体而言涉及集成电路制造。更具体而言，本文所述实施例提供用于在基板上沉积硼‑碳膜的技术。在一实施例中，提供处理基板的方法。方法包含使含烃气体混合物流动至具有基板定位于内的处理腔室的处理容积，其中基板经加热达约400℃至约7...

本文描述的实施方式大体涉及一种框架，所述框架用于在等离子体处理腔室中用来提供在等离子体处理腔室的框架与侧壁之间流动的非均匀气流。在一个实施方式中，框架包括：框架主体，具有限定框架主体的内壁和外壁；中心开口，形成在框架中、由内壁限定；和角...

本文描述的实施方式一般涉及并入小热质量的处理腔室，所述腔室能够实现针对超临界干燥工艺的有效温度循环。所述腔室一般包含：主体、衬垫和隔离元件，所述隔离元件能够实现使衬垫展现出相对于主体的小热质量。所述腔室还构造有用于在腔室的处理容积内产生...

公开用于处理基板的设备与方法。在一些实施方式中，基板处理系统包括：处理腔室、基板支撑件、共振器线圈及共振电感调谐电路，处理腔室界定用于接收基板的内部容积且具有等离子体形成区域，基板支撑件定位于内部容积内，共振器线圈设置成靠近等离子体形成...

本文提供用于处理基板的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法，包括以下步骤：将设置于基板处理腔室的处理容积内的基板加热到达约400摄氏度的温度，其中基板包括暴露的导电材料；和将基板暴露于处理气体，以还原导电材料的受污染表面，处理气体...

本公开内容提供了用于真空沉积在基板上的设备(100)。设备(100)包括：真空腔室(110)，具有第一区域(112)和第一沉积区域(114)；一个或多个沉积源(120)，位于第一沉积区域(114)，其中所述一个或多个沉积源(120)经构...

提供了用于在溅射沉积工艺期间支撑至少一个基板的载体(100)。载体(100)包括：非导电的载体主体(102)，具有第一末端(111)和相对的第二末端(112)；电绝缘的第一导引装置(120)，设于陶瓷载体主体(102)的第一末端(111...

提供用于在基板上真空沉积的设备。所述设备包括：真空腔室，所述真空腔室具有沉积区域；一个或多个沉积源，所述一个或多个沉积源位于沉积区域中并且经构造以在基板沿着运输方向被运输通过一个或多个溅射沉积源时在基板上真空沉积；和掩蔽布置，所述掩蔽布...