本公开内容的实施方式包括氮硅化钨膜和沉积氮硅化钨膜的方法。在一些实施方式中，一种薄膜微电子器件包括半导体基板，该基板具有钨栅极电极堆叠，该钨栅极电极堆叠包含氮硅化钨膜，该氮硅化钨膜具有WxSiyNz的化学式，其中x是约19至约22原子百...

描述了硬掩模和ARC层的单一前驱物沉积的方法。所得的膜是利用具有低碳含量的高密度氧化硅SiO2层封端的具有较高碳含量的SiOC层。所述方法可以包括：将第一沉积前驱物输送至基板，所述第一沉积前驱物包含SiOC前驱物和第一流速的含氧气体；使...

本公开的实施方案大体而言是关于一种改良的工厂接口，该工厂接口耦接到设以测量基板的膜性质的板载计量壳体。在一个实施方案中，一种设备包含工厂接口以及计量壳体，该计量壳体通过装载端口可移除地耦接到该工厂接口，该计量壳体包含板载计量组件，用于测...

本文中所述的实施方式涉及用以减少(例如在HDP‑CVD、PECVD、PE‑ALD及蚀刻腔室中)腔室电弧放电的装置及涂覆方法。所述装置包括用于涂覆材料的原位沉积的环形气体分配器，及包括环形气体分配器的处理腔室。所述环形气体分配器包括环形主...

本文所公开的实施方式大致涉及一种等离子体处理腔室和用于发弧事件的检测设备。在一个实施方式中，本文公开一种发弧检测设备。发弧检测设备包含探针、检测电路和数据记录系统。探针定位为部分地暴露于等离子体处理腔室的内部空间。检测电路配置成从探针接...

确定晶片的校准曲线，晶片包含基板上的层。校准曲线表示局部参数变化随着与晶片暴露至光相关的处理参数而变。测量晶片的局部参数。基于晶片的局部参数，确定套刻误差。基于校准曲线，计算处理映像，以校正晶片的套刻误差。处理映像表示处理参数随晶片上的...

用于清洁光掩模的设备包括在头部中的转子，其中转子具有包括中心开口的密封板、在中心开口中的弹性掩模密封件、和附接至弹性掩模密封件且适用于移动弹性掩模密封件至开启及关闭位置中的牵拉器。在头部中的马达旋转转子。在头部中的推板移动以操作牵拉器。...

描述了一种用于保持基板(101)的保持布置(100)。保持布置包括主体(110)、粘合布置(130)和传力布置(140)。主体(110)具有由柔性材料组成的第一壁(120)。粘合布置(130)用于附接基板，其中粘合布置(130)提供在第...

本公开内容提供一种被配置为用于在基板(10)上进行溅射沉积的系统(100)。该系统(100)包括具有处理区(112)的溅射沉积腔室(110)、布置于该处理区(112)的第一侧处的一或多个溅射沉积源(120)及布置在该处理区(112)的第...

描述一种用于测量已蒸发材料的沉积率的测量组件(100)。测量组件(100)包括：第一振荡晶体(110)，用于测量沉积率；第二振荡晶体(120)，用于测量沉积率；和可移动遮板(140)。可移动遮板(140)经构造以用于阻挡从第一测量出口(...

本文描述的实施方式大体而言涉及抛光制品及制造在抛光工艺和清洗工艺中使用的抛光制品的方法。更具体言之，本文公开的实施方式涉及具有分级性质的复合抛光制品。在一个实施方式中，提供一种抛光制品。该抛光制品包含一个或更多个暴露的第一区域以及一个或...

本公开内容的实现方式提供用于处理腔室中的腔室部件。腔室部件包括：主体，所述主体在等离子体处理腔室中使用；氧化物阻挡层，所述氧化物阻挡层形成在主体的暴露表面的至少一部分上，氧化物阻挡层具有2gm/cm3或大于2gm/cm3的密度；以及氟氧...

本发明涉及干式清洁陶瓷物品的方法。本文提供了一种具有陶瓷基板与陶瓷涂层的陶瓷物品，其中该陶瓷涂层具有初始孔隙度与初始裂缝量。该陶瓷物品以约每分钟0.1℃至约每分钟20℃的升降温速率被加热至介于约1000℃与约1800℃间的温度范围。以该...

本公开内容的实施方式大体涉及用于清洁处理腔室的方法。更特定地，本文中描述的实施方式涉及用于确定处理腔室清洁终点的方法。在一些实施方式中，提供一种用于检测清洁终点的“虚拟传感器”。“虚拟传感器”基于监测腔室前级管道压力在腔室的清洁期间的趋...

一种数据分析方法与系统，包括产生第一节点，确定所述第一节点的第一超立方体，确定样本是否存在于所述第一超立方体内。若所述样本不存在于所述第一超立方体内，则所述方法包括确定所述样本是否存在于第一超球体内，其中所述第一超球体具有与所述第一超立...

公开了用于边缘均匀性控制的可调整的延伸电极。本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：第一环，所述第一环具有顶表面和底表面；可调整调谐环，所述可调整调谐环具有顶...

在一种用于电镀半导体晶片与类似衬底的处理系统中，从电镀处理器的旋转器移除该处理器的接触环，并以先前褪镀的接触环予以替换。这使接触环能在系统的环件服务模块中被褪镀，同时该处理器继续工作。晶片处理量得以提升。该接触环可以附接至夹盘，该夹盘用...

本发明涉及一种方法以及腔室部件。一种用于半导体工艺腔室部件的表面的多组分涂层组成物包括使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工艺腔室部件的该表面上的氧化钇或氟化钇的至少一个第一膜层以及使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工艺腔室部件的该表面上的额...

处理基板的方法包含以下步骤：提供基板，该基板具有聚合物介电层、形成在该聚合物介电层内的金属焊垫及形成在该聚合物介电层的顶上的第一金属层；在该基板的顶上沉积聚合物层；将该聚合物层图案化，以形成多个开口，其中该多个开口包括最靠近该金属焊垫所...

本发明公开一种半导体器件，该半导体装置具有：半导体基板，该半导体基板具有含<1,0,0>平面和<1,1,0>平面的晶体结构和在<1,1,0>平面的方向上与该<1,0,0>平面形成约0.3度...