在一个实施方式中，提供一种基座，包含：第一主要表面，所述第一主要表面与第二主要表面相对；和设置于所述第一主要表面上的多个接触结构，这些接触结构的每一者至少部分地被多个径向定向的凹槽的其中一者或多者和环状凹槽环绕，其中所述多个接触结构的每...

本公开内容的实施方式涉及可旋转RF耦合装置和结合此装置的静电夹盘。在某些实施方式中，可旋转RF耦合装置包括导电板；可旋转对分圆柱，所述可旋转对分圆柱配置成耦合至静电夹盘的介电盘，以提供RF功率至布置于介电盘中的一个或多个RF偏压电极；多...

实施例包含用于检测晶片处理工具中的颗粒的装置及方法。在实施例中，具有晶片形状因素的颗粒监控装置包含多个微传感器，该多个微传感器能够在所有压力方案中(例如，在真空条件下)操作。颗粒监控装置可包含时钟，以当微传感器的参数响应于接收晶片处理工...

本文所描述的实施方式一般涉及基板处理系统，诸如蚀刻处理系统。在一个实施方式中，本文公开了一种基板处理系统。基板处理系统包含移送腔室和耦接至移送腔室的多个处理腔室。多个处理腔室包含第一处理腔室、第二处理腔室和第三处理腔室。第一处理腔室经构...

本公开内容提供了一种用于将基板装载到真空处理模块中的设备。所述设备包括伯努利型保持器，所述伯努利型保持器具有表面，所述表面经构造以面对基板；和气源，经构造以在表面与基板之间导引气流，其中伯努利型保持器经构造以在基板与表面之间提供压力来使...

本文描述蚀刻氮化硅比蚀刻硅或氧化硅快的方法。亦描述将额外材料选择性沉积至氮化硅上的方法。氮化硅与氧化硅的暴露部分可皆存在于图案化基板上。自组装单层(SAM)选择性地沉积覆于氧化硅上但不在暴露的氮化硅上。自组装单层的分子包括头部基团与尾部...

本文所公开的实施方式一般地涉及用于处理基板的底表面以抵消基板上的热应力的方法及装置。可将校正应变施加至基板的底表面，校正应变可补偿基板的顶表面上的非期望的应变及变形。可通过任意结合沉积、注入、热处理及蚀刻在基板的背侧上形成经特别设计的膜...

本公开内容大体涉及大体涉及用于进行半导体器件制造的设备，且更特定而言，涉及用于在高密度等离子体化学气相沉积处理中部分覆盖基板支撑件的表面的盖环。在一个实施方式中，盖环可包括环形主体、内支撑块、一或多个隔热部、倒圆肩部、外唇部、垂直附属部...

本实用新型一般涉及具有零件磨损指示器的腔室部件和等离子体处理腔室。在一个实施方式中，腔室部件具有零件磨损指示器。腔室部件具有主体。主体具有顶表面和底表面。零件磨损指示器材料设置在腔室部件主体中。零件磨损指示器具有主体。零件磨损指示器的主...

本公开涉及通过原子层沉积获得的多层抗等离子体涂层。本文描述了使用原子层沉积(ALD)工艺将抗等离子体涂层沉积到腔室部件的表面上的制品、系统和方法。抗等离子体涂层具有应力消除层和包含Y2O3‑ZrO2固溶体的层，并且均匀地覆盖特征，诸如纵...

本实用新型公开一种处理腔室及用于外延腔室中的部件和锥体。本文中描述了一种外延沉积腔室，比如高生长速率外延腔室，所述外延沉积腔室在腔室中圆顶上方具有上部锥体，用于控制空气流。所述上部锥体在所述腔室中具有由两个或更多个间隙分离的第一部件和第...

本公开涉及用于CMP应用的薄的塑料抛光用具。本公开内容提供了一种用于抛光基板的方法和设备，包括抛光用具，所述抛光用具包括聚合物片材，所述聚合物片材具有凸起表面纹理，所述凸起表面纹理形成在所述聚合物片材的表面上。根据本公开内容的一个或多个...

本公开内容的实施方式提供分选单元和检验系统。在一个示例中，一种分选单元包括分选系统和多个料箱，基板分选到所述料箱中。分选单元包括料箱搬运装置，料箱搬运装置具有用于接收多个料箱中的一个料箱的第一终端受动器和用于将空的料箱安置于所接收的料箱...

公开了半导体处理腔室和等离子体处理腔室。所描述的处理腔室可包括腔室外壳，所述腔室外壳至少部分限定半导体处理腔室的内部区域。腔室可包括底座。腔室可包括定位在盖与处理区域之间的第一喷淋头，并且可包括定位在第一喷淋头与处理区域之间的面板。腔室...

本公开内容涉及一种等离子体处理腔室，以及一种用于等离子体处理腔室的环。本实用新型一般地阐述对用于蚀刻或其他等离子体处理腔室中的环组件的侵蚀进行检测的方法和设备。在一个实施方式中，一种方法通过以下步骤开始：在等离子体处理腔室中利用等离子体...

描述一种用于保持基板的载体(100)。载体(100)包括载体主体(110)和粘附布置(120)，载体主体(110)具有第一表面(111)，粘附布置(120)设置于第一表面(111)上。载体主体(110)包括一或多个管道(115)，一或多...

一种抛光系统，包括：抛光站，包括用以支撑抛光垫的压板；支撑件，用以保持基板；直列计量站，用以在抛光站中抛光基板的表面之前或之后测量基板；及控制器。直列计量站包括彩色线扫描相机；白光源；框架，支撑光源和相机；及马达，用以沿垂直于第一轴线的...

本公开内容的实现方式一般地涉及用于在基板表面上外延沉积的方法和设备。更具体言之，本公开内容的实现方式一般地涉及用于在外延沉积之前作表面预备(preparation)的方法和设备。在一个实现方式中，提供了一种处理基板的方法。该方法包括以下...

本公开提供了用于在基板蚀刻之后清洗腔室部件的方法。在一个例子中，一种用于清洗的方法包括以下步骤：使用等离子体活化蚀刻气体混合物，以产生活化的蚀刻气体混合物，蚀刻气体混合物包含含氢前体和含氟前体；及将活化的蚀刻气体混合物输送到工艺腔室的处...

本文公开的实现描述一种在装载锁定斜面蚀刻腔室内的斜面蚀刻设备及其使用方法。所述斜面蚀刻设备具有在装载锁定斜面蚀刻腔室内的掩模组件。在蚀刻处理期间，掩模组件传输气体流，以控制斜面蚀刻，而无需使用阴影框。如此，在所述斜面边缘处的所述边缘排除...