本申请公开了具有流通源的腔室。所描述的处理腔室可以包括腔室外壳，腔室外壳至少部分地限定半导体处理腔室的内部区域。腔室可以包括定位在腔室外壳内的喷头，并且喷头可至少部分地将内部区域划分为远程区域和处理区域，在处理区域能包含基板。腔室也可包...

本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：环，环具有第一环部件和第二环部件；可调整调谐环；以及致动机构。第一环部件与第二环部件对接，使得第二环部件相对于第一环部...

公开对于静电夹盘的方法与设备的技术，此静电夹盘适合在高操作温度下操作。在一个示例中，提供一种基板支撑组件。基板支撑组件包含实质上碟形的陶瓷主体，陶瓷主体具有上表面、圆柱侧壁以及下表面。上表面经配置以支撑基板于上表面上，以在真空处理腔室中...

一种用于晶片逐点分析的方法，包括以下步骤：接收第一工艺配方的第一配方参数、第二工艺配方的第二配方参数，使用第一工艺配方来处理的第一晶片上的多个位置的第一多个测量和使用第二工艺配方来处理的第二晶片上的多个位置的第二多个测量。使用用于多个配...

本文提供化学机械抛光(CMP)设备及用于制造CMP设备的方法。CMP设备可包括抛光衬垫、抛光头保持环及抛光头膜等等，且可经由诸如三维(3D)打印工艺的增材制造工艺制造CMP设备。CMP设备可包括整合于其中的无线通信设备组件。制造CMP设...

本发明揭露一种用于在经氧化退火的金属氮化物膜中降低氧含量的方法，包括将此膜暴露至等离子体。

用于沉积金属膜的方法，包括：在基板上形成非晶硅层以作为成核层和/或胶黏层。一些实施例进一步包括并入胶黏层，以增加非晶硅层与金属层黏着到该基板的能力。

用于填充半导体特征的间隙的方法包括将基板表面暴露于前驱物和反应物并暴露于退火环境以降低沉积的膜的湿法蚀刻速率比率，并且填充间隙。

本文所述的实施方式大体涉及针对在III‑V族沟道材料的外延生长之前清洁基板的改善的方法和解决方案。使用第一处理气体以从基板表面移除原生氧化物层，第一处理气体包括惰性气体和氢源。随后使用第二处理气体Ar/Cl2/H2以在基板表面上产生反应...

一种动态更新交互式诊断简图叠加(schematic overlay)的计算机执行的方法包括以下步骤：显示第一图式，该第一图式包括多个静态图形对象，每一静态图形对象对应至复合系统的一设计元件并识别诊断简图叠加，该诊断简图叠加包括多个动态图...

本发明涉及用于物理气相沉积腔室的沉积环及静电夹盘。本发明的实施例大体上关于用于半导体处理腔室的处理套件，以及具有该套件的半导体处理腔室。具体而言，此述的实施例关于包括沉积环与底座组件的处理套件。该处理套件的部件单独(及组合)运作以显著地...

公开了一种氧气相容等离子体源。描述的处理腔室可以包括腔室外壳，所述腔室外壳至少部分地界定半导体处理腔室的内部区域。腔室外壳可以包括盖。腔室可以包括被配置成在腔室的处理区域内支撑基板的台座。腔室也可以包括与电源耦接的第一喷淋头。第一喷淋头...

公开了喷头组件和处理腔室。本文中描述的实施例总体涉及一种基板处理设备，并且更具体地涉及一种用于基板处理设备的改进喷头组件。喷头组件包括气体分配板和一个或多个温度检测组件。气体分配板包括具有顶表面和底表面的主体。一个或多个温度检测组件与气...

本发明的实施方式涉及一种石英拱形结构组件。该拱形结构组件包括上拱形结构与下拱形结构。该上拱形结构包括：中心窗；以及上周边凸缘，该上周边凸缘在该中心窗的圆周处接合于该中心窗，其中在该中心窗的内侧表面上的切线相对于该周边凸缘的平坦上表面成约...

根据本公开内容的一方面，提出一种用以处理基板上的材料的设备。此设备包括真空腔室(110)和测量配置(160)，测量配置装配用以测量基板(15)和/或于基板上处理的材料的一或多个性质，其中测量配置包括具有热电冷却器(171)的冷却装置(1...

提供一种用于处理多个基板的处理腔室。处理腔室包括：腔室主体，具有单一基板传送开口；第一基板支撑台面，设置在腔室主体中；和第二基板支撑台面，设置在腔室主体中。每个基板支撑台面经构造以在处理期间支撑基板。第一基板支撑台面、第二基板支撑台面和...

本公开内容提供了一种用于在真空处理腔室中支撑柔性基板(10)的设备(100)。设备(100)包括：涂布滚筒，所述涂布滚筒可围绕旋转轴线(105)旋转，其中涂布滚筒具有支撑表面(110)，所述支撑表面(110)经构造以用于支撑柔性基板(1...

本公开内容提供了一种用于在真空处理腔室(912)中进行基板处理期间保持基板(10)的保持布置(100)。所述保持布置(100)包括：柔性装置，所述柔性装置具有一个或多个区段，其中所述一个或多个区段在第一操作条件下被提供以具有第一部分、第...

本公开内容提供了一种经构造以用于在基板上溅射沉积的设备。所述设备包括：圆柱形的溅射阴极，所述圆柱形的溅射阴极可围绕旋转轴线而旋转；和磁体组件，所述磁体组件经构造以提供在圆柱形的溅射阴极的相对侧上的第一等离子体跑道和第二等离子体跑道，其中...

一种制造静电卡盘的方法，包括抛光静电卡盘的陶瓷主体的表面，以产生抛光表面，并将陶瓷涂层沉积到所述陶瓷主体的所述抛光表面上，以产生经涂布的陶瓷主体。所述方法进一步包括在所述经涂布的陶瓷主体之上设置掩模，所述掩模包括多个椭圆形孔，并通过所述...